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ASML：有望繼續(xù)向中國出貨非EUV光刻機
- 近期，全球半導體龍頭設備企業(yè)阿斯麥（ASML）、泛林（LAM）公布了其最新一季度財報，阿斯麥方面，最新一季度銷售額和利潤均超出市場預期，其新的凈預訂額也創(chuàng)下了紀錄。此外阿斯麥CEO Peter Wennink表示，ASML有望繼續(xù)向中國出貨非EUV光刻機；泛林方面，當季公司營收創(chuàng)下歷史新高，官方表示，2023年晶圓廠設備支出將下滑。ASML：有望繼續(xù)向中國出貨非EUV光刻機10月19日，光刻機大廠阿斯麥公布了2022年第三季度財報。數(shù)據(jù)顯示，ASML第三季度凈營收同比增長10%至58億歐元，超出此前業(yè)界預
- 關鍵字： ASML EUV 光刻機 泛林
ASML發(fā)布2022年第三季度財報 | 凈銷售額58億歐元，凈利潤為17億歐元 預計2022年營收約為210億歐元
- 荷蘭菲爾德霍芬，2022年10月19日—阿斯麥（ASML）今日發(fā)布了2022年第三季度財報。2022年第三季度，ASML實現(xiàn)了凈銷售額58億歐元，毛利率為51.8%，凈利潤達17億歐元。今年第三季度新增訂單金額創(chuàng)歷史新高，達到89億歐元。ASML預計2022年第四季度凈銷售額約為61億至66億歐元，毛利率約為49%?；诘谒募径阮A期的中位數(shù)，預計2022年營收約為211億歐元。2022年因快速發(fā)貨流程*產(chǎn)生的遞延到2023年的收入，預計為約22億歐元。 (*) 快速發(fā)貨流程跳過了我們工廠內(nèi)的一些
- 關鍵字： ASML 2022年第三季度財報 凈銷售額
ASML將任命Wayne Allan為管理委員會成員
- 荷蘭菲爾德霍芬，2022年10月19日 —— 阿斯麥 (ASML) 近日宣布，其監(jiān)事會將任命Wayne Allan為管理委員會成員，擔任執(zhí)行副總裁兼首席戰(zhàn)略采購官。這項任命將在2023年4月26日舉行的股東大會上正式公布。 作為執(zhí)行副總裁兼首席戰(zhàn)略采購官，Wayne主要負責采購和供應鏈管理。鑒于供應鏈績效對于ASML滿足客戶需求愈發(fā)重要，監(jiān)事會決定在管理委員會中設立此職務。隨著ASML不斷發(fā)展壯大，供應鏈必須跟上公司的成長步伐。在成功應對短期挑戰(zhàn)的同時，ASML將繼續(xù)構筑強大的管理層戰(zhàn)略關系，推
- 關鍵字： ASML 管理委員會
顯卡、內(nèi)存全在跌 ASML的EUV光刻機賣不動：一下少了15臺
- 全球半導體市場從產(chǎn)能緊張已經(jīng)轉(zhuǎn)向過剩，部分領域跌價跌得厲害，比如顯卡、內(nèi)存及SSD等，這一波芯片價格下滑也會影響廠商的生產(chǎn)計劃，結果就是ASML一度供不應求的EUV光刻機賣不動了，今年出貨量減少15臺。ASML昨天發(fā)布了2022年Q2季度財報，當季凈銷售額為54.31億歐元，好于市場預期的52.6億歐元，上年同期為40.20億歐元，同比增長35%。凈利潤為14.11億歐元，上年同期為10.38億歐元，同比增長36%。雖然業(yè)績大漲，但是ASML對全年的預期更加悲觀，從之前預期增長20%下調(diào)到了增長10%，其
- 關鍵字： 半導體 ASML 光刻機
ASML發(fā)布2022年第二季度財報 | 凈銷售額54億歐元，凈利潤為14億歐元
- 阿斯麥（ASML）今日發(fā)布了2022年第二季度財報。2022年第二季度，ASML實現(xiàn)了凈銷售額54億歐元，毛利率為49.1%，凈利潤達14億歐元。今年第二季度新增訂單金額創(chuàng)歷史新高，達到85億歐元。ASML預計2022年第三季度凈銷售額約為51億~54億歐元，毛利率約為49%~50%。2022年營收預計增長約10%。2022年因快速發(fā)貨流程*產(chǎn)生的遞延到2023年的收入，預計將從約10億歐元增加到約28億歐元。(*) 快速發(fā)貨流程跳過了我們工廠內(nèi)的一些測試環(huán)節(jié)。最終測試及驗收將在客戶現(xiàn)場進行。雖然該措施導
- 關鍵字： ASML 2022年第二季度 財報
26億一臺！ASML全新光刻機準備中：Intel提前鎖定 沖擊2nm工藝
- 對于芯片廠商而言，光刻機顯得至關重要，而ASML也在積極布局新的技術。據(jù)外媒報道稱，截至 2022 年第一季度，ASML已出貨136個EUV系統(tǒng)，約曝光7000萬個晶圓已曝光。按照官方的說法，新型號的EUV光刻機系統(tǒng) NXE:3600D將能達到93%的可用性，這將讓其進一步接近DUV光刻機（95%的可用性）。數(shù)據(jù)顯示，NXE:3600D系統(tǒng)每小時可生產(chǎn)160個晶圓 (wph)，速度為30mJ/cm，這比 NXE:3400C高18%。二正在開發(fā)的 NXE:3800E系統(tǒng)最初將以30mJ/cm的速度提供大過1
- 關鍵字： ASML Intel 2nm工藝
臺積電、Intel、三星狂買ASML EUV光刻機
- 臺積電在北美技術論壇上公布了新的制程路線圖，定于2025年量產(chǎn)2nm工藝，其采用Nanosheet（納米片電晶體）的微觀結構，取代FinFET。期間，臺積電甚至規(guī)劃了5種3nm制程，包括N3、N3E、N3P、N3S和N3X，要在2025年前將成熟和專業(yè)化制程的產(chǎn)能提高50%，包括興建更多的晶圓廠。顯然，作為產(chǎn)能提升以及興建晶圓廠的關鍵核心設備，EUV光刻機少不了要采購一大批。臺積電表示，計劃在2024年引入ASML的新一代EUV極紫外光刻機。此前，Intel曾說自己是第一個訂購ASML下一代EUV光刻機的
- 關鍵字： 臺積電 Intel 三星 ASML EUV光刻機
ASML 分享 High-NA EUV 光刻機最新進展：目標 2024-2025 年進廠
- 5 月 29 日消息，半導體行業(yè)花了十多年的時間來準備極紫外線 (EUV) 光刻技術，而新的高數(shù)值孔徑 EUV 光刻（High-NA EUV）技術將會比這更快。目前，最先進的芯片是 4/5 納米級工藝，下半年三星和臺積電還能量產(chǎn) 3nm 技術，而對于使用 ASML EUV 光刻技術的 Twinscan NXE:3400C 及類似系統(tǒng)來說，它們大都具有 0.33 NA（數(shù)值孔徑）的光學器件，可提供 13 nm 分辨率。目前來看，這種分辨率尺寸對于 7 nm / 6 nm 節(jié)點 (36 nm ~ 38 nm)
- 關鍵字： EUV 光刻機 ASML
ASML：現(xiàn)有技術能實現(xiàn)1nm工藝
- 5月17日消息，為了強調(diào)光在推進科學進步過程中的重要作用，聯(lián)合國教科文組織將每年的5月16日定為“國際光日”。5月13日，ASML在一篇公眾號文章中稱，現(xiàn)有技術能實現(xiàn)1nm工藝，摩爾定律可繼續(xù)生效十年甚至更長時間?！ SML稱，在半導體領域，摩爾定律——這一誕生于1965年的前瞻推斷，就扮演著如同光一樣的角色，指引芯片制造的每一次創(chuàng)新與突破。在過去的50多年里，摩爾定律不斷演進。摩爾關于以最小成本制造復雜芯片的最初預測，也在演進過程中被轉(zhuǎn)述成各種各樣的表述，現(xiàn)在這個定律最常被表述為半導體芯片可容納的
- 關鍵字： ASML 芯片工藝
ASML：2023年芯片產(chǎn)能將仍然供應緊張
- 日前，ASML對目前的芯片產(chǎn)能做出了推測，目前沒有任何跡象表明相關需求放緩。根據(jù)ASML首席執(zhí)行官Peter Wennink在財報會議上的說法，目前，在各大細分市場的客戶對于先進和成熟芯片制造技術需求已經(jīng)到了一種“前所未有”的地步，且沒有任何減弱的跡象。用戶旺盛的需求導致Wennink不得不承認，由于產(chǎn)能限制，ASML目前做多只能滿足其深紫外光刻機需求的60%左右。Wennink表示，這意味著，直到2023年，芯片產(chǎn)能都將處在嚴重短缺的狀態(tài)，并且沒有看到任何能夠表明需求放緩的跡象。在此次電話會議上，Pet
- 關鍵字： ASML 芯片產(chǎn)能
ASML公司開撕美國？光源技術不是根源，不交付EUV光刻機另有原因
- ASML公司雖然是荷蘭企業(yè)，但不少網(wǎng)友都把ASML公司“美”化了，這里的“美”指的是美國。在華為遭遇到芯片封鎖之前，中國半導體企業(yè)就曾向ASML公司支付了定金，采購了一臺EUV光刻機。然而，ASML公司卻遲遲沒有發(fā)貨，這也引起了網(wǎng)友的各種猜疑。眾所周知，全世界只有ASML公司能夠生產(chǎn)EUV光刻機，而一部EUV光刻機上就有超過10w的精密零件，各方面的技術也是來自全世界各國的頂尖技術。所以ASML公司的光刻機一直是供不應求。但明明已經(jīng)收了定金，10億一部的EUV光刻機，ASML公司為何有生意不做呢？大部分的
- 關鍵字： EUV ASML 光刻機
投資5000多萬 俄羅斯計劃研發(fā)全新EUV光刻機：ASML都沒有
- 光刻機是半導體制造中的核心設備之一，EUV光刻機全球也只有ASML公司能夠研發(fā)、生產(chǎn)，但它的技術限制也很多，俄羅斯計劃開發(fā)全新的EUV光刻機，使用的是X射線技術，不需要光掩模就能生產(chǎn)芯片?！ 」饪虣C的架構及技術很復雜，不過決定光刻機分辨率的主要因素就是三點，分別是常數(shù)K、光源波長及物鏡的數(shù)值孔徑，波長越短，分辨率就越高，現(xiàn)在的EUV光刻機使用的是極紫外光EUV，波長13.5nm，可以用于制造7nm及以下的先進工藝工藝?！ 《砹_斯莫斯科電子技術學院 (MIET)現(xiàn)在就接下了貿(mào)工部的6.7億盧布資金(約合51
- 關鍵字： 光刻機 ASML
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