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vbe 文章進入vbe技術社區(qū)

基于晶體管VBE 的振蕩器測量溫度

模擬 EE 世界失去了一顆明星。Jim 的數(shù)百篇文章、書籍和應用筆記是（并將繼續(xù)是）信息、靈感和看到大師輕松解決棘手設計難題的喜悅的無底泉源，所有這些都包含在令人愉快的寫作風格中。這里介紹的設計思想源自他發(fā)表在 AN45測量和控制電路集（夜班尿布和設計）第 7 頁的電路之一。模擬 EE 世界失去了一顆明星。Jim 的數(shù)百篇文章、書籍和應用筆記是（并將繼續(xù)是）信息、靈感和看到大師輕松解決棘手設計難題的喜悅的無底泉源，所有這些都包含在令人愉快的寫作風格中。這里介紹的設計思想源自他發(fā)表在 AN45測量和控制電路
關鍵字：晶體管 VBE 振蕩器

ADALM2000實驗：共發(fā)射極放大器

目標本活動的目的是研究BJT的共發(fā)射極配置。?背景知識共發(fā)射極放大器是三種基本單級放大器拓撲之一。BJT共發(fā)射極放大器一般用作反相電壓放大器。晶體管的基極端為輸入，集電極端為輸出，而發(fā)射極為輸入和輸出共用（可連接至參考地端或電源軌），所謂“共射”即由此而來。?材料■? ?ADALM2000主動學習模塊■? ?無焊面包板??? 五個電阻??? 一個50 kΩ可變電阻、電位計??? 一個小信
關鍵字： VBE IC NPN

一種采用二次曲率補償?shù)膸痘鶞试?/a>

帶隙基準源廣泛應用于各類集成電路之中。在現(xiàn)代集成電路日益發(fā)展的今天，帶隙基準源扮演了極其重要的角色。在A／D，D／A轉(zhuǎn)換器以及一些模擬和數(shù)字電路中，帶隙基準源起著至關重要的作用，它的溫度特性和抗噪聲能力直接決定了整體電路的精度和性能。因此，提高帶隙基準源的精度是十分重要的。

關鍵字：帶隙基準源集成電路 VBE A／D D／A

模擬電子—從放大器說起（三）：雙極型三極管

1947年12月，貝爾實驗室的約翰·巴丁、沃爾特·布喇頓在威廉·肖克利的指導下共同發(fā)明了點接觸形式的雙極性晶體管，從這一天開始整整一個時代拉開了序幕。
關鍵字：晶體管三極管基極放大器 VBE

VBE標準及其在實時動態(tài)圖像實時顯示中的應用

摘要：本文介紹了視頻電子標準協(xié)會(VESA)制定的VBE標準，結(jié)合該標準，通過對基于嵌入式平臺的遙感圖像實時滾動顯示系統(tǒng)的三種軟件實現(xiàn)方案進行對比，凸顯了該標準的在硬件資源占用上的優(yōu)勢，最后，本文給出了一個基于
關鍵字：實時顯示應用圖像動態(tài) 及其 VBE 標準

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