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            太陽(yáng)能效率世界記錄保持者 Stephanie Essig 博士加入 Sol Voltaics

            •   太陽(yáng)能技術(shù)先驅(qū) Sol Voltaics 已經(jīng)宣布任命雙接 面太陽(yáng)能效率世界紀(jì)錄保持者 Stephanie Essig 博士為高級(jí)研究科學(xué)家。Essig 博士曾服務(wù)于知名的技術(shù)研究機(jī)構(gòu) Fraunhofer ISE 和美國(guó)國(guó)家再生能源研究室,在太陽(yáng)能串聯(lián)技術(shù)研究領(lǐng)域擁有豐富的工作經(jīng)驗(yàn),她的加入,將幫助 Sol Voltaics 加快推進(jìn)高效能太陽(yáng)能納米線的商業(yè)化進(jìn)
            • 關(guān)鍵字: 太陽(yáng)能  Sol Voltaics  

            Sol Voltaics完成創(chuàng)紀(jì)錄的2,130萬(wàn)美元融資,將用于其創(chuàng)新太陽(yáng)能技術(shù)的商業(yè)化,使現(xiàn)有太陽(yáng)能組件效率提升50%

            •   2017年7月6日,太陽(yáng)能技術(shù)先驅(qū) Sol Voltaics 完成一筆創(chuàng)紀(jì)錄的2,130萬(wàn)美元融資,這也是自2015年以來(lái)歐洲太陽(yáng)能科技公司獲得的最大單筆融資。最新的融資將用于加快其備受期待的太陽(yáng)能效率提升技術(shù)SolFilm?的商業(yè)化進(jìn)程,該技術(shù)可將傳統(tǒng)太陽(yáng)能電池組件的轉(zhuǎn)換效率提升高達(dá)50%。  SolFilm是Sol Voltaics已獲專利的低成本薄膜,由億萬(wàn)個(gè)高效砷化鎵(GaAs)納米線組成,當(dāng)該薄膜電池集成為串聯(lián)組件(tandem-junction)時(shí),
            • 關(guān)鍵字: Sol Voltaics  太陽(yáng)能  

            太陽(yáng)能納米線新創(chuàng)公司Sol Voltaics任命產(chǎn)業(yè)資深專家Arno Stassen擔(dān)任產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān)

            •   瑞典先進(jìn)太陽(yáng)能材料公司Sol Voltaics已任命經(jīng)驗(yàn)豐富的太陽(yáng)能技術(shù)先鋒Arno Stassen為新任產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān)。隨著該公司受市場(chǎng)高度期盼的太陽(yáng)能納米線技術(shù)即將商業(yè)化,近期擔(dān)任德國(guó)技術(shù)集團(tuán)Heraeus太陽(yáng)能部門業(yè)務(wù)發(fā)展部主管的Stassen博士將管理Sol Voltaics公司的產(chǎn)品營(yíng)銷。   Stassen在全球太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)擁有超過(guò)10年以上的經(jīng)驗(yàn)。 在Heraeus任職時(shí),他在提升硅的金屬化和第三代太陽(yáng)能電池至領(lǐng)先地位上發(fā)揮了重要作用。在任職Heraeus之前,Stassen 是荷蘭能源研
            • 關(guān)鍵字: 太陽(yáng)能  Sol Voltaics  

            Sol Voltaics 納米線光伏電池效率取得突破并獲得 1700萬(wàn)美元融資

            •   瑞典先進(jìn)材料新興公司 Sol Voltaics 已完成一輪創(chuàng)紀(jì)錄的1700萬(wàn)美元新的股權(quán)投資及資金挹注,以加速其納米線太陽(yáng)能薄膜串聯(lián)層技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程?! 〈艘惠咰系列募資是由新的投資者Riyadh Valley Company(RVC)領(lǐng)投。Riyadh Valley Company是位于沙特阿拉伯利雅得的沙特國(guó)王大學(xué)的風(fēng)險(xiǎn)投資機(jī)構(gòu)。長(zhǎng)期投資者Umoe,F(xiàn)AM,Industrifonden 和 Nano&nbs
            • 關(guān)鍵字: Sol Voltaics  光伏電池  

            波導(dǎo)SOl刻蝕工藝特點(diǎn)

            • 刻蝕即通過(guò)物理或化學(xué)的方法去除非光刻膠或硬掩膜覆蓋區(qū)域的材料。通常有兩種方法,分別為干法刻蝕和濕法刻蝕,它們各有優(yōu)缺點(diǎn)。但對(duì)于工藝靈活性、刻蝕精確度和可重復(fù)性等方面來(lái)說(shuō),干法刻蝕居主導(dǎo)地位。對(duì)于SOl波導(dǎo)
            • 關(guān)鍵字: 特點(diǎn)  工藝  SOl  波導(dǎo)  

            波導(dǎo)SOl化學(xué)氣相沉積工藝特點(diǎn)

            • 對(duì)于SOl波導(dǎo)來(lái)說(shuō),CVD技術(shù)一般用來(lái)淀積其上包層,通常為二氧化硅或氮化硅。對(duì)于調(diào)制器等有源器件來(lái)說(shuō),這一層還起著隔離金屬電極減小電極對(duì)波導(dǎo)造成損耗的作用,所以厚度一定要選擇合適,不能太薄,如果薄了就不能起
            • 關(guān)鍵字: 工藝  特點(diǎn)  沉積  氣相  SOl  化學(xué)  波導(dǎo)  
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