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            EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> sic肖特基勢(shì)壘二極管

            采用自主設(shè)計(jì)封裝,絕緣電阻顯著提高!ROHM開(kāi)發(fā)出支持更高電壓xEV系統(tǒng)的SiC肖特基勢(shì)壘二極管

            • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出引腳間爬電距離*1更長(zhǎng)、絕緣電阻更高的表面貼裝型SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SBD”)。目前產(chǎn)品陣容中已經(jīng)擁有適用于車(chē)載充電器(OBC)等車(chē)載設(shè)備應(yīng)用的“SCS2xxxNHR”8款機(jī)型。計(jì)劃2024年12月再發(fā)售8款適用于FA設(shè)備和光伏逆變器等工業(yè)設(shè)備的“SCS2xxxN”。近年來(lái),xEV得以快速普及,對(duì)于其配套的OBC等部件而言,功率半導(dǎo)體是不可或缺的存在,因此,市場(chǎng)對(duì)發(fā)熱量少、開(kāi)關(guān)速度快、耐壓能力強(qiáng)的SiC SBD的需求日益高漲。其中,小型
            • 關(guān)鍵字: ROHM  xEV  SiC肖特基勢(shì)壘二極管  

            ROHM開(kāi)發(fā)出支持更高電壓xEV系統(tǒng)的SiC肖特基勢(shì)壘二極管

            • 采用自主設(shè)計(jì)封裝,絕緣電阻顯著提高!全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出引腳間爬電距離*1更長(zhǎng)、絕緣電阻更高的表面貼裝型SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SBD”)。目前產(chǎn)品陣容中已經(jīng)擁有適用于車(chē)載充電器(OBC)等車(chē)載設(shè)備應(yīng)用的“SCS2xxxNHR”8款機(jī)型。計(jì)劃2024年12月再發(fā)售8款適用于FA設(shè)備和光伏逆變器等工業(yè)設(shè)備的“SCS2xxxN”。近年來(lái),xEV得以快速普及,對(duì)于其配套的OBC等部件而言,功率半導(dǎo)體是不可或缺的存在,因此,市場(chǎng)對(duì)發(fā)熱量少、開(kāi)關(guān)速度快、耐壓能力強(qiáng)的Si
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            東芝推出第3代650V SiC肖特基勢(shì)壘二極管,助力提高工業(yè)設(shè)備效率

            • 中國(guó)上海,2023年7月13日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出最新一代[1]用于工業(yè)設(shè)備的碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBDs)——“TRSxxx65H系列”。首批12款產(chǎn)品(均為650V)中有7款產(chǎn)品采用TO-220-2L封裝,其余5款采用DFN8×8封裝,于今日開(kāi)始支持批量出貨。 新產(chǎn)品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種新金屬,優(yōu)化了第2代產(chǎn)品的結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)結(jié)構(gòu)[2]。它們實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先[3]的1.2V(典型值)低正向電壓,比上一代的1.45V(
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            sic肖特基勢(shì)壘二極管介紹

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