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泰克攜手芯聚能共推SiC功率模塊，協(xié)同打造新能源車(chē)產(chǎn)業(yè)新生態(tài)

_____在國(guó)家“雙碳”戰(zhàn)略的引領(lǐng)下，節(jié)能減排已成為推動(dòng)各行各業(yè)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型的核心動(dòng)力。泰克科技與廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司的合作，正是這一戰(zhàn)略下的重要實(shí)踐，雙方致力于推動(dòng)SiC功率模塊產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，共同加速第三代半導(dǎo)體技術(shù)在新能源汽車(chē)領(lǐng)域的應(yīng)用，促進(jìn)了產(chǎn)業(yè)的綠色升級(jí)。第三代半導(dǎo)體技術(shù)的日益成熟，為新能源汽車(chē)的發(fā)展帶來(lái)了新的機(jī)遇。碳化硅（SiC）作為新一代新能源汽車(chē)功率模塊的首選，其市場(chǎng)需求不斷增長(zhǎng)。雙脈沖測(cè)試是表征功率開(kāi)關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段。然而，第三代半導(dǎo)體的高壓高速特性對(duì)測(cè)試工具提出了更
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　　自去年7月以來(lái)，三菱電機(jī)發(fā)布了一系列碳化硅(SiC)功率模塊，這些產(chǎn)品將于今年6月18日至20日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展 2013(展位號(hào)：402)中隆重亮相。　　眾所周知，目前市場(chǎng)上采用的功率模塊的IGBT芯片大多采用硅材料制造，但是業(yè)界對(duì)硅(Si)材料的性能利用已接近極限。與Si相比，SiC的禁帶寬度是Si的3倍，臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是Si的10倍，電子飽和速率是Si的2倍。　　與傳統(tǒng)的Si功率器件相比，SiC功率器件具有關(guān)斷拖尾電流極小、開(kāi)關(guān)速度快、損耗低、耐高溫的特
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