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聯(lián)電與Cypress攜手打造65納米SONOS閃存技術(shù)
- 聯(lián)電與Cypress 27日宣布采用新的65納米SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon;硅-氧-氮化硅-氧-硅)閃存技術(shù)，已成功產(chǎn)出有效硅芯片(working silicon)，預(yù)計(jì)將于第3季正式問(wèn)世;聯(lián)電不但會(huì)采用此新制程為Cypress生產(chǎn)次世代PSoC可編程系統(tǒng)單芯片、nvSRAM和其他產(chǎn)品，也可在Cypress授權(quán)協(xié)議下，將此技術(shù)提供其他公司使用。
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)電 SONOS閃存
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