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            NXP推出N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品

            •   恩智浦半導體(NXP Semiconductors,由飛利浦創(chuàng)立的獨立半導體公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品,型號為PSMN1R2-25YL,它擁有最低的導通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無損耗封裝:LFPAK)中擁有最低導通電阻RDSon的MOSFET,也是恩智浦現(xiàn)有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術(shù)于一體,可在各種嚴苛應用條件下
            • 關(guān)鍵字: NXP  MOSFET  PSMN1R2-25YL  Power-SO8  

            Diodes推出新型MOSFET 半橋器件

            •   Diodes 公司推出四款半橋MOSFET 封裝,為空間受限的應用減少了元件數(shù)量和PCB尺寸,極大地簡化了直流風扇和 CCFL 逆變器電路設計。   Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)指出:“ZXMHC 元件為SO8封裝,包含兩對互補N型和P型MOSFET,可取代四個分立式SOT23封裝的MOSFET或兩個SO8 互補MOSFET 封裝。對于現(xiàn)有不同類型的電機或其它感性負載驅(qū)動裝置來說,這意味著可節(jié)省至少一半的PCB占板面積,同時大幅降低整體存貨成本。”   ZXM
            • 關(guān)鍵字: Diodes  MOSFET  半橋器件  ZXMHC  SO8  

            意法半導體推出采用SO8窄封裝的SPI串口EEPROM存儲器芯片

            •     意法半導體推出一款采用外殼寬度僅為150-mil (3.8mm)的微型SO8N封裝、支持SPI(串行外設接口)總線的1兆位串口EEPROM存儲器芯片— 目前市場上唯一的在如此小的封裝內(nèi)放進如此高密度的SPI串口EEPROM存儲器。除窄封裝外,新產(chǎn)品M95M01還有一個SO8W寬封裝版。該產(chǎn)品是為參數(shù)快速變化的存儲應用專門設計的,例如:數(shù)字電視、DVD影碟機、游戲機以及醫(yī)療設備、工控機、汽車信息娛樂和計算機外設等。存儲密度從1千位一直到1兆位,ST的
            • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機  意法半導體  SO8  SPI串口  模擬IC  傳感器  執(zhí)行器  
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            so8介紹

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