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SiC器件和封裝技術現(xiàn)狀

眾所周知，封裝技術是讓寬帶隙 (WBG) 器件發(fā)揮潛力的關鍵所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技術的性能表征，如單位面積的導通電阻 (RdsA)，同時同步降低電容以實現(xiàn)快速開關。新的分立封裝即將推出，它能讓用戶更好地利用寬帶隙快速開關性能?？捎玫臉藴誓K越來越多，而且有越來越多的新先進技術通過實現(xiàn)快速開關、降低熱阻與提高可靠性來提高產品價值。器件技術SiC 肖特基二極管銷售額占了 SiC 銷售額的?50% 以上，其中大部分是 650V、1200V 和1700V 等級。650V 二極管用于計
關鍵字： WBG RdsA

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