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安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng),您知道嗎?
- 安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關(guān)鍵特性以及與第一代相比的顯著性能提升,本文則將重點(diǎn)介紹M3S產(chǎn)品的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧。寄生導(dǎo)通問題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC,因此在最高結(jié)溫TJ(MAX) = 175°C時(shí)具有最低值。即使數(shù)據(jù)表中的典型V
- 關(guān)鍵字: SiC MOSFET RSP
3G系統(tǒng)中AGC的FPGA設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)
- 1 引 言 大多數(shù)接收機(jī)必須處理動態(tài)范圍很大的信號,這需要進(jìn)行增益調(diào)整,以防止過載或某級產(chǎn)生互調(diào),調(diào)整解調(diào)器的工作以優(yōu)化工作。在現(xiàn)代無線電接收裝置中??勺冊鲆娣糯笃魇请娍氐模⑶耶?dāng)接收機(jī)中使用衰減器時(shí),他們通常都是由可變電壓控制的連續(xù)衰減器。控制應(yīng)該是平滑的并且與輸入的信號能量通常成對數(shù)關(guān)系(線性分貝)。在大多數(shù)情況下,由于衰落,AGC通常用來測量輸入解調(diào)器的信號電平,并且通過反饋控制電路把信號電平控制在要求的范同內(nèi)。 2 系統(tǒng)總體設(shè)計(jì) 在本設(shè)計(jì)中,前端TD_SCDM
- 關(guān)鍵字: TD_SCDMA AGC FPGA RSP IIR
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