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芯片中的RDL（重分布層）是什么？
- 在芯片設(shè)計(jì)和制造中，RDL（Redistribution Layer，重分布層） 是指通過(guò)在芯片上增加金屬布線(xiàn)層來(lái)重新分布芯片的信號(hào)連接。RDL主要用于將芯片內(nèi)部的信號(hào)引出到所需的位置，以便于后續(xù)封裝或連接其他電路。RDL 的作用信號(hào)重分布：芯片內(nèi)部的輸入輸出（I/O）通常位于芯片的邊緣，但在某些封裝方式（如BGA或CSP）中，需要將這些信號(hào)重新布線(xiàn)到芯片的特定位置，便于外部引腳連接。實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)連接：提供靈活的布線(xiàn)方案，使得信號(hào)可以從芯片的任何區(qū)域引出到封裝的目標(biāo)區(qū)域。支持高級(jí)封裝技術(shù)：如倒裝芯片
- 關(guān)鍵字： 芯片設(shè)計(jì) RDL EDA
用于扇出型晶圓級(jí)封裝的銅電沉積
- 隨著集成電路設(shè)計(jì)師將更復(fù)雜的功能嵌入更狹小的空間，異構(gòu)集成包括器件的3D堆疊已成為混合與連接各種功能技術(shù)的一種更為實(shí)用且經(jīng)濟(jì)的方式。作為異構(gòu)集成平臺(tái)之一，高密度扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)正獲得越來(lái)越多的認(rèn)可。此種封裝解決方案的主要優(yōu)勢(shì)在于其封裝的基片更少，熱阻更低，電氣性能也更優(yōu)秀。這是一個(gè)體現(xiàn)“超越摩爾定律”的例子，即使用 “摩爾定律”以外的技術(shù)也能實(shí)現(xiàn)更高的集成度和經(jīng)濟(jì)效益。圖1. 2.5D封裝中的中介層結(jié)構(gòu)異構(gòu)集成技術(shù)高密度扇出型封裝技術(shù)滿(mǎn)足了移動(dòng)手機(jī)封裝的外形尺寸與性能要求，因此獲得了技術(shù)界的廣泛關(guān)注。
- 關(guān)鍵字： RDL CMP
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