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中微推出硅通孔刻蝕設(shè)備Primo TSV200E
- 中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中微”)推出了8英寸硅通孔(TSV)刻蝕設(shè)備Primo TSV200E(TM) -- 該設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊且具有極高的生產(chǎn)率，可應(yīng)用于8英寸晶圓微電子器件、微機(jī)電系統(tǒng)、微電光器件等的封裝。繼中微第一代和第二代甚高頻去耦合等離子刻蝕設(shè)備Primo D-RIE(TM) 和Primo AD-RIE(TM)之后，中微的這一TSV刻蝕設(shè)備將被用于生產(chǎn)芯片的3D封裝、CMOS圖像感測(cè)器、發(fā)光二極管、微機(jī)電系統(tǒng)等。中微的8英寸硅通孔刻蝕設(shè)備Primo TSV200E(TM)已經(jīng)進(jìn)入昆山西鈦微
- 關(guān)鍵字： 中微 硅通孔 Primo TSV200E
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