moseft 文章 進(jìn)入moseft技術(shù)社區(qū)
模擬集成電路設(shè)計中的MOSFET非理想性
- MOS晶體管表現(xiàn)出理想模型所沒有的各種二階效應(yīng)。為了設(shè)計在現(xiàn)實世界中工作的模擬集成電路，我們需要了解這些非理想因素。在上一篇文章中，我們介紹了基本的MOSFET結(jié)構(gòu)和工作區(qū)域。我們討論的模型描繪了一個理想的MOSFET，并且由于其較長的溝道尺寸，對于早期的MOSFET來說是相當(dāng)準(zhǔn)確的。然而，隨后的研究和晶體管的持續(xù)小型化都揭示了晶體管行為中的一系列非理想性。本文將介紹這些非理想性的基礎(chǔ)知識以及它們?nèi)绾斡绊懩M集成電路中的晶體管性能。寄生電容由于MOSFET的物理實現(xiàn)，在端子結(jié)之間形成了以下寄生電容：CGS
- 關(guān)鍵字： MOSEFT 晶體管
副邊同步整流
- 問：如何提高隔離式電源的效率？答：在大多數(shù)降壓調(diào)節(jié)器的典型應(yīng)用中，使用有源開關(guān)而非肖特基二極管是標(biāo)準(zhǔn)做法。這樣能大大提高轉(zhuǎn)換效率，尤其是產(chǎn)生低輸出電壓時。在需要電流隔離的應(yīng)用中，也可使用同步整流來提高轉(zhuǎn)換效率。圖1所示為副邊同步整流的正激轉(zhuǎn)換器。圖1 正激轉(zhuǎn)換器的自驅(qū)動同步整流驅(qū)動開關(guān)進(jìn)行同步整流可以通過不同方式實現(xiàn)。一種簡單方法涉及到跨越變壓器副邊繞組來驅(qū)動。如圖1所示。本例中，輸入電壓范圍可能不是非常寬。使用最小輸入電壓時，SR1和SR2的柵極需要有足夠的電壓，以便開關(guān)能夠可靠地導(dǎo)通。為確保MOSFE
- 關(guān)鍵字： MOSEFT
推動更快、更安全、更高效EV充電器的技術(shù)
- 隨著電動汽車（EV）數(shù)量的增加，對創(chuàng)建更加節(jié)能的充電基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的需求也在日益增長，如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動汽車相比，新型電動汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開發(fā)快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動汽車充電至80％，行駛大約250 km。根據(jù)聯(lián)合充電系統(tǒng)和Charge de Move標(biāo)準(zhǔn)， 快速DC充電站 可提供高達(dá)400 kW的功率。今天，我們將研究驅(qū)動更快、更安全、更高效的充電器的半導(dǎo)體技術(shù)
- 關(guān)鍵字： EV SiC IGBT MOSEFT CMTI
臻驅(qū)科技與羅姆成立碳化硅技術(shù)聯(lián)合實驗室
- 中國新能源汽車電驅(qū)動領(lǐng)域高科技公司臻驅(qū)科技（上海）有限公司（以下簡稱“臻驅(qū)科技”）與全球知名半導(dǎo)體廠商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）宣布在中國（上海）自由貿(mào)易區(qū)試驗區(qū)臨港新片區(qū)成立“碳化硅技術(shù)聯(lián)合實驗室”，并于2020年6月9日舉行了揭牌儀式。與IGBT*1等硅（Si）功率元器件相比，碳化硅（SiC）功率元器件具有傳導(dǎo)損耗、開關(guān)損耗*2小、耐溫度變化等優(yōu)勢，作為能夠顯著降低損耗的半導(dǎo)體，在電動汽車車載充電器以及DC/DC轉(zhuǎn)換器等方面的應(yīng)用日益廣泛。自2017年合作以來，臻驅(qū)科技和羅姆就采
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為汽車電子系統(tǒng)提供供電和保護(hù)，無開關(guān)噪聲，效率高達(dá)99.9%
- 簡介為汽車電子系統(tǒng)供電時，不但需要滿足高可靠性要求，還需要應(yīng)對相對不太穩(wěn)定的電池電壓，具有一定挑戰(zhàn)性。與車輛電池連接的電子和機(jī)械系統(tǒng)具有差異性，可能導(dǎo)致標(biāo)稱12 V電源出現(xiàn)大幅電壓偏移。事實上，在一定時間段內(nèi)，12 V電源的變化范圍為–14 V至+35 V，且可能出現(xiàn)+150 V至–220 V的電壓峰值。其中有些浪涌和瞬變在日常使用中出現(xiàn)，其他則是因為故障或人為錯誤導(dǎo)致。無論起因為何，它們對汽車電子系統(tǒng)造成的損害難以診斷，修復(fù)成本也很高昂。通過總結(jié)上個世紀(jì)的經(jīng)驗，汽車制造商對會干擾運(yùn)行、造成損壞的電子狀況
- 關(guān)鍵字： SOA ECU MOSEFT
使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅(qū)動器的能源效率
- 本文將強(qiáng)調(diào)出無論就能源效率、散熱片尺寸或節(jié)省成本方面來看,工業(yè)傳動不用硅基(Si)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)點。摘要由于電動馬達(dá)佔工業(yè)大部分的耗電量,工業(yè)傳動的能源效率成為一大關(guān)鍵挑戰(zhàn)。因此,半導(dǎo)體製造商必須花費(fèi)大量心神,來強(qiáng)化轉(zhuǎn)換器階段所使用功率元件之效能。意法半導(dǎo)體(ST)最新的碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(SiC MOSFET)技術(shù),為電力切換領(lǐng)域立下全新的效能標(biāo)準(zhǔn)。1.導(dǎo)言目前工業(yè)傳動通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近開發(fā)的碳化
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艾睿電子推出集成雙向電力轉(zhuǎn)換器解決方案，推動電動汽車到電網(wǎng)技術(shù)發(fā)展
- 全球技術(shù)解決方案提供商 艾睿電子 近日發(fā)布了集成雙向電力轉(zhuǎn)換器解決方案，為電動汽車（EV）配備強(qiáng)大的移動充電器，提供高性能雙向充電/放電技術(shù)，令電動汽車不但可以儲存電力，并可將剩余的電能供應(yīng)給住宅和電網(wǎng)。方案可以進(jìn)一步實現(xiàn)"車輛到家居"（Vehicle-to-Home - V2H）和"車輛到電網(wǎng)"（Vehicle-to-Grid - V2G）供電模式，有助于調(diào)節(jié)電網(wǎng)高峰期的負(fù)荷，充分利用車輛電池閑置期間的資源，從而促進(jìn)智慧城市向更持續(xù)更節(jié)能的發(fā)展
- 關(guān)鍵字： MOSEFT EV
英飛凌新一代650V碳化硅MOSFET的性能和應(yīng)用分析
- 2020年2月，碳化硅的領(lǐng)導(dǎo)廠商之一英飛凌祭出了650V CoolSiC? MOSFET，帶來了高性能和高功效。它是如何定義性能和應(yīng)用場景的？下一步產(chǎn)品計劃如何？碳化硅業(yè)的難點在哪里？為此，電子產(chǎn)品世界等媒體視頻采訪了英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級市場經(jīng)理陳清源先生。英飛凌科技 電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū) 開關(guān)電源應(yīng)用高級市場經(jīng)理 陳清源據(jù)悉，此次英飛凌推出了8款650V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品，采用2種插件TO-247封裝，既可采用典型的TO-247 三引腳封裝，也
- 關(guān)鍵字： MOSEFT 碳化硅 SMD
輕松驅(qū)動CoolSiC? MOSFET：柵極驅(qū)動設(shè)計指南
- 由米勒電容引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)，常被認(rèn)為是當(dāng)今碳化硅MOSFET應(yīng)用的一大缺陷。為了避免這種效應(yīng)，在硬開關(guān)變流器的柵極驅(qū)動設(shè)計中，通常采用負(fù)柵極電壓關(guān)斷。但是這對于CoolSiC? MOSFET真的有必要嗎？引言選擇適當(dāng)?shù)臇艠O電壓值是設(shè)計所有柵極驅(qū)動的關(guān)鍵。借助英飛凌的CoolSiC MOSFET技術(shù)，設(shè)計人員能夠選擇介于15-18 V之間的開通柵極電壓，從而讓開關(guān)擁有最佳的載流能力或抗短路能力。而柵極關(guān)斷電壓值只需要確保器件能夠安全地關(guān)斷。英飛凌建議設(shè)計人員將MOSFET分立器件的關(guān)斷電壓定為0 V，從而
- 關(guān)鍵字： MOSEFT 柵極電壓
東芝面向中大電流IGBT／MOSFET 推出內(nèi)置保護(hù)功能的光耦
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和MOSFET的預(yù)驅(qū)動光耦，適用于工業(yè)逆變器和光伏（PV）的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。這款全新的預(yù)驅(qū)動光耦內(nèi)置多種功能[1]，其中包括通過監(jiān)控集電極電壓實現(xiàn)過流檢測。產(chǎn)品于今日起開始出貨。新型預(yù)驅(qū)動光耦使用外部P溝道和N溝道互補(bǔ)的MOSFET作為緩沖器，來控制中大電流IGBT和MOSFET。目前現(xiàn)有產(chǎn)品[2]需要使用雙極型晶體管構(gòu)成的緩沖電路來實現(xiàn)電流放大，這會在工作中消耗基極電流。新產(chǎn)品能夠
- 關(guān)鍵字： IGBT MOSEFT
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