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安森美下一代1200 V EliteSiC M3S器件
- 全新產(chǎn)品系列包括快速開關(guān)MOSFET和半橋功率集成模塊，具備領(lǐng)先行業(yè)的每開關(guān)超低導(dǎo)通電阻Rds(on)，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝2023 年 5 月 10日—智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力電力電子工程師實(shí)現(xiàn)更出色的能效和更低系統(tǒng)成本。全新產(chǎn)品系列包括有助于提高開關(guān)速度的EliteSiC MOSFET和模塊，以適配越來(lái)越多的800 V電動(dòng)汽車（EV）車載充電器（OBC）和電動(dòng)汽車直流快充、
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