lpcvd 文章 進入lpcvd技術(shù)社區(qū)
LPCVD TEOS 厚度的機械應(yīng)力對閃存循環(huán)性能的影響
- 摘要：本文研究了閃存循環(huán)(耐久性)與LPCVD(低壓化學氣相沉積)制程應(yīng)變的相關(guān)性。所沉積的充當S/D植入物犧牲氧化層的12.5nm SCTEOS在后面的工序中會被去除。然而有趣的是，通過應(yīng)力記憶技術(shù)(SMT)，我們發(fā)現(xiàn)對通道產(chǎn)生的應(yīng)力會影響閃存循環(huán)(耐久性)性能 【關(guān)鍵詞：耐久性/循環(huán)、LPCVD TEOS、應(yīng)力】 引言 2008年2月，有報道稱，嵌入式閃存UCP遇到擦除原始比特失敗率(RR)高于CLT(置信度檢測)S5循環(huán)
- 關(guān)鍵字： LPCVD 機械應(yīng)力
| 共1條 1/1 1 |
lpcvd介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條lpcvd!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對lpcvd的理解，并與今后在此搜索lpcvd的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對lpcvd的理解，并與今后在此搜索lpcvd的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473