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            SEMICON China | 探討熱點(diǎn)與前沿技術(shù) ,功率及化合物半導(dǎo)體論壇2022圓滿舉辦

            • 11月1-2日,SEMICON China “功率及化合物半導(dǎo)體國際論壇2022”在上海國際會議中心成功舉辦。共有19位來自功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)先企業(yè)的講師親臨現(xiàn)場做報告分享。此次論壇重點(diǎn)討論的主題包括:開幕演講,化合物半導(dǎo)體與光電及通訊,寬禁帶半導(dǎo)體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國區(qū)總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示:“在大家的支持下,功率及化合物半導(dǎo)體國際論壇從2016年開始首辦,今年已經(jīng)是第七屆。在嚴(yán)格遵守防疫規(guī)定的前提下,希望大家能在SEMI的平臺上充分交流。不經(jīng)歷風(fēng)雨,怎么能
            • 關(guān)鍵字: 碳化硅  氮化鎵  InP  

            2×8低噪聲InGaAs/InP APD讀出電路設(shè)計

            • 對In0.53Ga0.47As/InP雪崩光電二極管(APD)探測器進(jìn)行了特性分析。以大陣列研究為基礎(chǔ),結(jié)合器件特性設(shè)計了一個2×8低噪聲讀出電路(ROIC),電路主要由電容反饋互阻放大器(CTIA)和相關(guān)雙采樣(CDS)電路單元構(gòu)成,并對讀出電路的時序、積分電容等進(jìn)行了設(shè)計。電路采用0.6 μm CMOS工藝流片,芯片面積為2 mm×2 mm,電荷存儲能力為5×107個,功耗小,噪聲低,設(shè)計達(dá)到預(yù)期要求。
            • 關(guān)鍵字: InGaAs  APD  InP  低噪聲    
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