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臺(tái)積電CoW-SoW 預(yù)計(jì)2027年量產(chǎn)

隨著IC設(shè)計(jì)業(yè)者透過(guò)增加芯片尺寸提高處理能力，考驗(yàn)芯片制造實(shí)力。英偉達(dá)達(dá)AI芯片Blackwell，被CEO黃仁勛譽(yù)為「非常非常大的GPU」，而確實(shí)也是目前業(yè)界面積最大的GPU，由兩顆Blackwell芯片拼接而成，并采用臺(tái)積電4納米制程，擁有2,080億個(gè)晶體管，然而難免遇到封裝方式過(guò)于復(fù)雜之問(wèn)題。CoWoS-L封裝技術(shù)，使用LSI（本地硅互連）橋接RDL（硅中介層）連接晶粒，傳輸速度可達(dá)10／TBs左右；不過(guò)封裝步驟由于橋接放置精度要求極高，稍有缺陷都可能導(dǎo)致價(jià)值4萬(wàn)美元的芯片報(bào)廢，從而影響良率及獲利
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 CoW-SoW InFO-SoW SoIC

　　臺(tái)積電今舉行股東會(huì)，共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音在營(yíng)業(yè)報(bào)告書中指出，臺(tái)積電受惠于在技術(shù)與制造上所獲得的進(jìn)展，憑借著技術(shù)上的領(lǐng)先地位，并在適切的時(shí)間提供客戶適當(dāng)?shù)漠a(chǎn)能，是臺(tái)積電能夠在去年表現(xiàn)優(yōu)于其他同業(yè)的主要關(guān)鍵。在技術(shù)方面，臺(tái)積電已完成10納米的技術(shù)驗(yàn)證，預(yù)計(jì)于今年進(jìn)入量產(chǎn)，整合型扇出(InFO)封裝技術(shù)，也預(yù)計(jì)今年中之前開(kāi)始量產(chǎn)。　　劉德音指出，2015年是臺(tái)積公司再創(chuàng)佳績(jī)的1年。面對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境的諸多挑戰(zhàn)，依然締造營(yíng)收與獲利的新紀(jì)錄，并且取得重要的技術(shù)突破。　　2015年，全球經(jīng)濟(jì)疲弱、美元走強(qiáng)
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 InFO

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