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超高壓 SiC 與超共源共柵
- 新應(yīng)用不斷涌現(xiàn)，這就需要有高壓開關(guān)技術(shù)，而且與硅 IGBT 和 IGCT 技術(shù)相比，該技術(shù)的系統(tǒng)平衡成本和運行損耗要顯著降低。該技術(shù)的應(yīng)用范圍非常廣，從固態(tài)變壓器、中壓電機驅(qū)動器到智能電網(wǎng)應(yīng)用（FACTS、STATCOM）和高壓直流斷路器均包含在內(nèi)。SiC MOSFET 被認為是在不久的將來顛覆這一領(lǐng)域的絕佳選擇，UnitedSiC 提供了獨特的方法來加速采用基于寬帶隙的高壓開關(guān)。這種方法被稱為超共源共柵 (Supercascode)。我們將這種方法及其已證明的性能與硅技術(shù)和 SiC MOSFET&nbs
- 關(guān)鍵字： 硅 IGCT
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igct介紹
集成柵極換流晶閘管IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是1996年問世的用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導(dǎo)體器件。IGCT是一種基于GTO結(jié)構(gòu)、利用集成柵極結(jié)構(gòu)進行柵極硬驅(qū)動、采用緩沖層結(jié)構(gòu)及陽極透明發(fā)射極技術(shù)的新型大功率半導(dǎo)體開關(guān)器件，具有晶閘管的通態(tài)特性及晶體管的開關(guān)特性。由于采用了緩沖結(jié)構(gòu)以及淺層發(fā)射極技術(shù)，因而使動態(tài)損耗降低了約50 [ 查看詳細 ]
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