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CGD的ICeGaN HEMT榮獲臺(tái)積電歐洲創(chuàng)新區(qū)“最佳演示”
- Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN? GaN HEMT 片上系統(tǒng) (SoC) 在臺(tái)積電 2023 年歐洲技術(shù)研討會(huì)創(chuàng)新區(qū)榮獲“最佳演示”獎(jiǎng)。CGD 的 ICeGaN 已使用臺(tái)積電的 GaN 工藝技術(shù)為全球客戶進(jìn)行大批量生產(chǎn)，將典型外部驅(qū)動(dòng)電路的復(fù)雜性引入單片集成的 GaN HEMT 中。這一概念減少了 PCB 級(jí)的元件數(shù)量，并顯著提高功率晶體管和整個(gè)系統(tǒng)
- 關(guān)鍵字： CGD ICeGaN HEMT 臺(tái)積電
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