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TFT-LCD面板高溫Cell Gap預(yù)警重力Mura

摘要：重力Mura是TFT-LCD行業(yè)頑固不良，其形成原因?yàn)镃ell Gap均勻性差導(dǎo)致透光率不均，在視覺(jué)上呈現(xiàn)出色不均現(xiàn)象。為解決傳統(tǒng)監(jiān)控方式重力Mura不易攔截的缺陷，基于重力Mura形成原理，本文通過(guò)探究液晶量對(duì)Cell Gap的影響，Cell Gap變化的敏感區(qū)間，不同液晶量面板在高溫條件下其Cell Gap隨加熱時(shí)間的變化趨勢(shì)以及不同位置Cell Gap差異性，總結(jié)出通過(guò)高溫Cell Gap變化趨勢(shì)預(yù)警重力Mura的模型，為行業(yè)內(nèi)預(yù)防重力 Mura提供了一種全新思路。關(guān)鍵詞：高溫C
關(guān)鍵字： 202209 高溫Cell Gap 重力Mura 預(yù)警模型

在6月最后一天，三星宣布3nm工藝正式量產(chǎn)，這一次三星終于領(lǐng)先臺(tái)積電率先量產(chǎn)新一代工藝，而且是彎道超車，后者的3nm今年下半年才會(huì)量產(chǎn)。根據(jù)三星官方介紹，在3nm芯片上，其放棄了之前的FinFET架構(gòu)，采用了新的GAA晶體管架構(gòu)，大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn)。與5nm相比，新開(kāi)發(fā)的3nm GAE工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，并同時(shí)提升23%的性能。第二代的3nm GAP工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時(shí)面積減少35%，效果更好。再往后呢？三星也有了計(jì)劃，3nm GAP工藝之后就會(huì)迎
關(guān)鍵字：三星 2nm GAP

　　1 引言　　隨著電子商務(wù)的發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)安全越來(lái)越重要。病毒和黑客攻擊造成的損失無(wú)法估算，防火墻、殺毒軟件等防范措施都是基于軟件的保護(hù)，并不能完全可靠地阻止外界的攻擊，因此迫切需要比傳統(tǒng)產(chǎn)品更為可靠的技術(shù)防護(hù)措施。GAP技術(shù)是一種基于硬件的保護(hù)技術(shù)。　　2 系統(tǒng)工作原理　　國(guó)內(nèi)外快速發(fā)展的GAP技術(shù)以物理隔離為基礎(chǔ)，在確保安全性的同時(shí)，解決了網(wǎng)絡(luò)之間信息交換的困難，從而突破了因安全性造成的應(yīng)用瓶頸。GAP技術(shù)是通過(guò)專用硬件使2個(gè)或者2個(gè)以上的網(wǎng)絡(luò)在不連通的情況下實(shí)現(xiàn)安全數(shù)據(jù)傳輸和資源共享的技術(shù)
關(guān)鍵字： GAP 網(wǎng)絡(luò)

　　真空管從計(jì)算機(jī)中已消失了數(shù)十年, 但如今真空卻做出令人吃驚的反擊。IBM 推出一新半導(dǎo)體制造技術(shù)，該技術(shù)通過(guò)“空氣隙”(Air-Gap，實(shí)際是微小的真空洞)來(lái)替換集成電路中銅線附近的常規(guī)絕緣材料。初步結(jié)果顯示其效果甚至比最新的固體低電介質(zhì)常數(shù)材料還要好。　　IBM 在今年5月3 日宣布了其Air-Gap 技術(shù)，常令人困惑的主流媒體的報(bào)道甚至是商業(yè)新聞接踵而至。一些記者抓住IBM提到了該技術(shù)采用了“自組裝納米技術(shù)”這一點(diǎn)，聲明這些芯片實(shí)際是自我制造。實(shí)際上, “自組裝” 技術(shù)僅僅應(yīng)用在制造過(guò)程中的
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 0711_A 雜志_技術(shù)長(zhǎng)廊 IBM 芯片 Air-Gap

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