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原來為硅MOSFET設計的DC-DC控制器能否用來驅(qū)動GaNFET？
- 問題沒有專門用于驅(qū)動GaNFET的控制器時，如何使用GaNFET設計四開關降壓-升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器？回答眾所周知，GaNFET比較難驅(qū)動，如果使用原本用于驅(qū)動硅(Si) MOSFET的驅(qū)動器，可能需要額外增加保護元件。適當選擇正確的驅(qū)動電壓和一些小型保護電路，可以為四開關降壓-升壓控制器提供安全、一體化、高頻率GaN驅(qū)動。簡介在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場效應晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術，有望進一步提高功率、開關速度以及降低開關損
- 關鍵字： DC-DC控制器 GaNFET ADI
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