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CGD 官宣突破100KW以上技術(shù)，推動(dòng)GAN挺進(jìn)超100億美元的電動(dòng)汽車逆變器市場(chǎng)

無(wú)晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開(kāi)發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設(shè)計(jì)和運(yùn)行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術(shù)滿足100kW 以上的電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)應(yīng)用，該市場(chǎng)超過(guò)100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT IC 和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）組合在同一個(gè)模塊或集成功率管理器件（IPM）中，最大限度地提高了效率，為昂
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基于GaN的汽車應(yīng)用的最新進(jìn)展是什么？

電動(dòng)汽車（EV）越來(lái)越受歡迎，因?yàn)榫鞯南M(fèi)者，尤其是在加利福尼亞州，認(rèn)識(shí)到出色的加速性能的優(yōu)勢(shì)，例如，當(dāng)紅綠燈變綠時(shí)，汽油動(dòng)力汽車可能會(huì)被塵土甩砸。這是因?yàn)殡妱?dòng)機(jī)在駕駛員踩下油門的那一刻就會(huì)產(chǎn)生峰值扭矩。然而，與內(nèi)燃機(jī) （ICE）汽車相比，電動(dòng)汽車的主要?jiǎng)訖C(jī)是能源效率。EV 車載電池充電器EV1 的車載電池充電器（OBC）完全能夠?yàn)閬?lái)自交流電網(wǎng)的高壓牽引電池充電（圖 1）。停放的車輛插入 EV 1 級(jí)和 2 級(jí)交流充電站之一，這些充電站出現(xiàn)在停車場(chǎng)、家庭、公司、購(gòu)
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氮化鎵（GaN）賦能D類音頻放大器的未來(lái)

了解如何將氮化鎵（GaN）功率晶體管技術(shù)應(yīng)用于D類音頻放大器，可以提高信號(hào)保真度，降低功耗，并提供比硅更輕、更具成本效益的解決方案。在音頻工程中，放大器是傳遞強(qiáng)大、沉浸式聲音的核心設(shè)備。這些設(shè)備將低功率音頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為豐富、高功率的輸出，從而驅(qū)動(dòng)從便攜式揚(yáng)聲器到專業(yè)音響系統(tǒng)的一切設(shè)備。在過(guò)去十年中出現(xiàn)的各種放大器設(shè)計(jì)中，有一種脫穎而出：D類放大器。以其高效性和廣泛使用而聞名，D類技術(shù)主導(dǎo)了現(xiàn)代音頻領(lǐng)域。然而，即使是最受歡迎的放大器也有其局限性。當(dāng)前的D類音頻系統(tǒng)雖然效率很高，但在性能上仍面臨挑戰(zhàn)。D類放大器
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GaN功率FET及背后柵極驅(qū)動(dòng)器在LiDAR傳感器中的作用

氮化鎵（GaN）功率器件因其超快的開(kāi)關(guān)速度和有限的寄生效應(yīng)而成為 LiDAR 傳感器的核心構(gòu)建模塊之一，從而在高總線電壓和窄脈沖寬度下實(shí)現(xiàn)高峰值電流。為了迎來(lái)自動(dòng)駕駛汽車的未來(lái)，必須在車輛系統(tǒng)內(nèi)使用更先進(jìn)的傳感器。LiDAR 是檢測(cè)自動(dòng)駕駛汽車周圍物體存在的更廣泛使用的傳感器之一，它是光檢測(cè)和測(cè)距的縮寫，它從激光射出光并測(cè)量場(chǎng)景中的反射，有點(diǎn)像基于光的雷達(dá)。車輛的車載計(jì)算機(jī)可以使用這些數(shù)據(jù)來(lái)解釋汽車與周圍環(huán)境的關(guān)系以及道路上是否存在其他汽車和物體。LiDAR 傳感器必須基于一個(gè)非?？焖俚拈_(kāi)關(guān)，該開(kāi)關(guān)為
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第16講：SiC SBD的特性

SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點(diǎn)，可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應(yīng)用，本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性。SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）是一種利用金屬和半導(dǎo)體接觸，在接觸處形成勢(shì)壘，具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一般在200V以下，而耐壓在600V以上的SiC SBD產(chǎn)品已廣泛產(chǎn)品化。SiC SBD的某些產(chǎn)品具有3300V的耐壓。半導(dǎo)體器件的擊穿電壓與半導(dǎo)體漂移層的厚度成正比，因此為了提高耐壓，必須增加器件的厚度。而
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東芝推出應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備的具備增強(qiáng)安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開(kāi)始支持批量供貨。在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當(dāng)下橋臂[2]關(guān)閉時(shí)，米勒電流[1]可能會(huì)產(chǎn)生柵極電壓，進(jìn)而導(dǎo)致上橋臂和下橋臂[3]出現(xiàn)短路等故障。常見(jiàn)的保護(hù)措施有，在柵極關(guān)閉時(shí)，對(duì)柵極施加負(fù)電壓。對(duì)于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si
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速看！SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)白皮書完整版

隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來(lái)越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！http://www.biyoush.com/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來(lái)了！http://www.biyoush.com/article/202503/467644.htm)中我們重點(diǎn)介紹了SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)，本文將介紹演示和測(cè)試結(jié)果。演
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碳化硅與硅：為什么 SiC 是電力電子的未來(lái)

在這里，我們比較了碳化硅（SiC）與硅以及在汽車和可再生能源等行業(yè)的電力電子中的應(yīng)用。我們將探討硅和碳化硅之間的顯著差異，并了解 SiC 為何以及如何塑造電力電子的未來(lái)。硅（Si）到碳化硅（SiC）：改變電力電子的未來(lái)電力電子技術(shù)在過(guò)去幾年中取得了前所未有的進(jìn)步。硅（Si）等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料一直主導(dǎo)著電力電子和可再生能源行業(yè)。然而，碳化硅（SiC）的出現(xiàn)徹底改變了這一領(lǐng)域，為卓越的性能和效率鋪平了道路。無(wú)與倫比的效率、熱性能和高壓能力使碳化硅成為用于電子和半導(dǎo)體器件的下一代半導(dǎo)體材料。硅與
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800V與碳化硅成為新能源汽車電驅(qū)的新寵，器件性能與可靠性還有上升空間

1 我國(guó)能源汽車已突破1000萬(wàn)輛，今年將增長(zhǎng)24%據(jù)賽迪顧問(wèn) 2024 年 12 月發(fā)布的數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)顯示，我國(guó)新能源汽車的新車全球市占率有望穩(wěn)居七成以上，我國(guó)從汽車大國(guó)邁向汽車強(qiáng)國(guó)的步伐更加堅(jiān)實(shí)。據(jù)中國(guó)汽車工業(yè)協(xié)會(huì)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2024年我國(guó)汽車產(chǎn)銷分別完成3128.2萬(wàn)輛和3143.6萬(wàn)輛，同比分別增長(zhǎng)3.7％和4.5％，繼續(xù)保持在3000萬(wàn)輛以上規(guī)模，產(chǎn)銷總量連續(xù)16年穩(wěn)居全球第一。其中，新能源汽車產(chǎn)銷首次突破1000萬(wàn)輛，分別達(dá)到1288.8萬(wàn)輛和1286.6萬(wàn)輛，同比分別增長(zhǎng)34.4％和35.5
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格力：SiC工廠整套環(huán)境設(shè)備均為自主制造

自央視頻官方獲悉，格力電器董事長(zhǎng)董明珠在紀(jì)錄片中，再次回應(yīng)外界對(duì)格力造芯片質(zhì)疑，并談到了格力建設(shè)的芯片工廠，直言“是大家把芯片看得太神秘”。董明珠表示，造芯片不是格力電器孤勇地冒險(xiǎn)，是作為中國(guó)制造企業(yè)的責(zé)任與擔(dān)當(dāng)。格力做了亞洲第一座全自動(dòng)化的碳化硅工廠，整個(gè)芯片的制造過(guò)程是自己完成的。而在芯片工廠制造的過(guò)程中，格力解決了一個(gè)最大的問(wèn)題?！皞鹘y(tǒng)的芯片工廠用的環(huán)境設(shè)備都是進(jìn)口的，比如恒溫狀態(tài)，而這正好是格力強(qiáng)項(xiàng)。所以我們自主制造了整套系統(tǒng)的環(huán)境設(shè)備，要比傳統(tǒng)的降溫模式更節(jié)能，而這可以降低企業(yè)的成本?！倍髦橐?/li>
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從硅到碳化硅過(guò)渡，碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者？

電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)（圖1），這使其在電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。圖1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術(shù)？眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術(shù)替代傳統(tǒng)硅技術(shù)，基于雙極結(jié)型晶體管（B
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50V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量和開(kāi)關(guān)特性，因此在工業(yè)設(shè)備、車載設(shè)備以及需要支持大功率的應(yīng)用領(lǐng)域被越來(lái)越多地采用。此次，ROHM將封裝工序外包給了作為半導(dǎo)體后道工序供應(yīng)商（OSAT）擁有豐富業(yè)績(jī)的日月新半導(dǎo)體（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下簡(jiǎn)稱“ATX”）。
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英飛凌達(dá)成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：開(kāi)始交付首批產(chǎn)品

●? ?英飛凌開(kāi)始向客戶提供首批采用先進(jìn)的200 mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術(shù)的SiC產(chǎn)品●? ?這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn)，為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供一流的SiC功率技術(shù)●? ?200 mm SiC的生產(chǎn)將鞏固英飛凌在所有功率半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)英飛凌200mm SiC晶圓英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進(jìn)展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進(jìn)的200 mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲
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三代進(jìn)化，安森美 EliteSiC MOSFET 技術(shù)發(fā)展解析

SiC 器件性能表現(xiàn)突出，能實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)，有效應(yīng)對(duì)關(guān)鍵環(huán)境和能源成本挑戰(zhàn)，也因此越來(lái)越受到電力電子領(lǐng)域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比，SiC 器件的運(yùn)行頻率更高，有助于實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)、減少散熱、提高能效，并減輕電源轉(zhuǎn)換器的重量。其獨(dú)特的材料特性可以減少開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗。與 Si MOSFET 相比，SiC 器件的電介質(zhì)擊穿強(qiáng)度更高、能量帶隙更寬且熱導(dǎo)率更優(yōu)，有利于開(kāi)發(fā)更緊湊、更高效的電源轉(zhuǎn)換器。安森美 (onsemi)的 1200V?分立器件和模塊中的 M3S
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英飛凌達(dá)成200mm碳化硅（SiC）新里程碑：開(kāi)始交付首批產(chǎn)品

英飛凌在200mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進(jìn)展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進(jìn)的200mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造，將為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供先進(jìn)的SiC功率技術(shù)，包括可再生能源系統(tǒng)、鐵路運(yùn)輸和電動(dòng)汽車等。此外，英飛凌位于馬來(lái)西亞居林的生產(chǎn)基地正在從150mm晶圓向直徑更大、更高效的200mm晶圓過(guò)渡。新建的第三廠區(qū)將根據(jù)市場(chǎng)需求開(kāi)始大批量生產(chǎn)。英飛凌200mm SiC晶圓Rutger Wijburg博士—英飛凌科技首席運(yùn)營(yíng)官我們正在按計(jì)劃實(shí)施SiC產(chǎn)品
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