- Abstract— 一種用于射頻和微波測試系統(tǒng)的高性能GaAsSb基區(qū),InP集電區(qū) DHBT IC 工藝被成功研發(fā)。這種GaAsSb工藝使得在工作電流為JC = 1.5 mA/micro;msup2;時fT 和 fmax分別達到了 185 GHz and 220 GHz,JC =
- 關鍵字:
DHBT 技術 集成電路 晶體管 異質 雙極 GaAsSb
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