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基于ClearNAND閃存的系統(tǒng)設(shè)計(jì)改進(jìn)方案
- 自問(wèn)世以來(lái)，NAND閃存對(duì)ECC(糾錯(cuò)碼)糾錯(cuò)能力的要求越來(lái)越高。雖然這不是一個(gè)新問(wèn)題，但是支持最新的多層單元(MLC)架構(gòu)和每單元存儲(chǔ)三位數(shù)據(jù)(three-bit-per-cell)技術(shù)所需的ECC糾錯(cuò)能力讓系統(tǒng)人員越來(lái)越難以應(yīng)付?！ ∵^(guò)去，ECC一直被用于提高NAND閃存子系統(tǒng)的整體數(shù)據(jù)可靠性。但是，隨著NAND單元不斷縮小，每個(gè)浮柵內(nèi)貯存的電子數(shù)量越來(lái)越少。因此，為彌補(bǔ)更小的存儲(chǔ)單元所產(chǎn)生的更高的位誤碼率，我們必須大幅提高ECC糾錯(cuò)能力，以維持所需的系統(tǒng)可靠性?！ ‰S著系統(tǒng)對(duì)ECC糾錯(cuò)要求不斷提
- 關(guān)鍵字： ClearNAND
基于ClearNAND閃存的系統(tǒng)設(shè)計(jì)改進(jìn)方案
- 自問(wèn)世以來(lái)，NAND閃存對(duì)ECC（糾錯(cuò)碼）糾錯(cuò)能力的要求越來(lái)越高。雖然這不是一個(gè)新問(wèn)題，但是支持最新的多層單元（M...
- 關(guān)鍵字： ClearNAND ECC 數(shù)據(jù)可靠性
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