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鎧俠將開(kāi)發(fā)新型 CXL 接口存儲(chǔ)器：功耗、位密度優(yōu)于 DRAM、讀取快于 NAND

11 月 7 日消息，鎧俠日本當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日表示，其“創(chuàng)新型存儲(chǔ)制造技術(shù)開(kāi)發(fā)”提案已獲日本新能源?產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)（NEDO）“加強(qiáng)后 5G 信息和通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開(kāi)發(fā)項(xiàng)目 / 先進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)開(kāi)發(fā)”計(jì)劃采納。鎧俠表示，在后 5G 信息和通信系統(tǒng)時(shí)代，AI 普及等因素產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量預(yù)計(jì)將變得極其龐大，從而導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)處理和功耗增加。因此數(shù)據(jù)中心使用的存儲(chǔ)器必須能夠在高性能處理器之間高速傳輸數(shù)據(jù)，提高容量并降低功耗。鎧俠計(jì)劃開(kāi)發(fā)新型 CXL 接口存儲(chǔ)，目標(biāo)打造出較 DRAM
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