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復(fù)旦最新成果：用于規(guī)?；呻娐分圃斓?2英寸高質(zhì)量二維半導(dǎo)體問(wèn)世
- 二維半導(dǎo)體,CMOS,CVD
- 關(guān)鍵字： 二維半導(dǎo)體 CMOS CVD
ALD技術(shù)在未來(lái)半導(dǎo)體制造技術(shù)中的應(yīng)用
- 由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優(yōu)點(diǎn)，ALD（原子層淀積）技術(shù)早從21世紀(jì)初即開(kāi)始應(yīng)用于半導(dǎo)體加工制造。DRAM電容的高k介電質(zhì)沉積率先采用此技術(shù)，但近來(lái)ALD在其它半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域也已發(fā)展出愈來(lái)愈廣泛的應(yīng)用。
- 關(guān)鍵字： ALD 半導(dǎo)體制造 FinFET PVD CVD
Applied Materials宣布開(kāi)發(fā)出深寬比高達(dá)30：1的化學(xué)氣相淀積技術(shù)
- Applied Materials公司近日宣布開(kāi)發(fā)出了一種新的化學(xué)氣相淀積(CVD)技術(shù)，這種技術(shù)能為20nm及更高等級(jí)制程的存儲(chǔ)/邏輯電路用晶體管淀積高質(zhì)量的 隔離層結(jié)構(gòu)。據(jù)Applied Materials公司宣稱(chēng)，這些隔離結(jié)構(gòu)的深寬比可超過(guò)30：1，比目前工藝對(duì)隔離結(jié)構(gòu)的要求高出5倍左右。 這項(xiàng)技術(shù)使用了Applied Materials公司名為Eterna流動(dòng)式化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(Flowable CVD:FCVD)的技術(shù)專(zhuān)利，淀積層材料可以在液體形態(tài)下自由流動(dòng)到需要填充的各種形狀的結(jié)構(gòu)中
- 關(guān)鍵字： 應(yīng)用材料 CVD 20nm
應(yīng)用材料公司推出業(yè)界最高產(chǎn)量CVD工藝主機(jī)
- 應(yīng)用材料公司推出業(yè)界最高產(chǎn)量CVD工藝主機(jī)－ Applied Producer GT 近日，應(yīng)用材料公司宣布推出業(yè)界最快速最經(jīng)濟(jì)的CVD（化學(xué)氣相沉積）主機(jī) － Applied Producer® GT™，把硅片生產(chǎn)能力提升到了一個(gè)新的水平。該產(chǎn)品每小時(shí)可處理150片硅片，產(chǎn)量達(dá)到其他競(jìng)爭(zhēng)系統(tǒng)的兩倍，從而降低了30%的擁有成本，并將單位面積每小時(shí)硅片處理數(shù)量提高了50%。Producer GT全面支持所有應(yīng)
- 關(guān)鍵字： CVD 單片機(jī) 工業(yè)控制 工藝主機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 應(yīng)用材料公司 工業(yè)控制
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