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低電感ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù)，滿(mǎn)足光伏應(yīng)用的需求

本文介紹了新型950V IGBT和二極管技術(shù)。950V IGBT結(jié)構(gòu)基于微溝槽理念，與典型1200V技術(shù)相比，新型950V IGBT和二極管的靜態(tài)損耗和/或開(kāi)關(guān)損耗顯著降低。通過(guò)分析應(yīng)用需求與功率模塊設(shè)計(jì)的相互作用，本文確定了功率模塊的應(yīng)用結(jié)果和優(yōu)化路徑。得益于經(jīng)優(yōu)化的功率模塊設(shè)計(jì)和采用950V技術(shù)，近期推出的無(wú)基板Easy3B解決方案實(shí)現(xiàn)了全集成1500V ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的額定電流達(dá)到400A，而雜散電感低至僅15nH。1.引言提升開(kāi)關(guān)速度、提高開(kāi)關(guān)頻率和增大功率密度是目前現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器
關(guān)鍵字： Infineon ANPC

本文提出了一種優(yōu)化的ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)支持最新的1200-V SiC T-MOSFET與IGBT技術(shù)優(yōu)化組合，實(shí)現(xiàn)成本效益。市場(chǎng)上將推出一款采用全集成ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的新型功率模塊，適用于高度緊湊型、高效率1500-V并網(wǎng)逆變器。新開(kāi)發(fā)的Easy3B功率模塊在48kHz頻率條件下，可以實(shí)現(xiàn)輸出功率達(dá)到200kW以上。此外，相應(yīng)的P-Q圖幾乎呈圓形。這意味著，該功率模塊適用于儲(chǔ)能系統(tǒng)等新興應(yīng)用。1.引言過(guò)去十年，光伏產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了大規(guī)模增長(zhǎng)。規(guī)模經(jīng)濟(jì)效應(yīng)和光伏系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新，促使平準(zhǔn)化度電成本降低
關(guān)鍵字： Infineon 并網(wǎng)逆變器 ANPC

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