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建設高端半導體裝備，SRII賦能新一代集成電路制造
- 思銳智能攜業(yè)界尖端的離子注入（IMP）和原子層沉積（ALD）技術亮相SEMICON China 2024，持續(xù)建設全球一流的高端半導體制造裝備，廣泛賦能集成電路、第三代半導體等諸多高精尖領域。展會現場精彩瞬間思銳智能離子注入機（IMP）模型根據SEMI的數據，受芯片需求疲軟等影響，2023年全球半導體設備銷售額為1056億美元，同比下降1.9%，而中國大陸地區(qū)半導體設備銷售額同比增長28.3%。中國對成熟節(jié)點技術表現出了強勁的需求和消費能力。縱觀全局，離子注入已成為半導體器件制備中最主要的摻雜方法，是最基
- 關鍵字： 高端半導體裝備 SRII 集成電路制造 思銳智能 SEMICON China 離子注入 IMP 原子層沉積 ALD
立足產業(yè)發(fā)展新階段，思銳智能以先進ALD技術拓展超摩爾時代新維度
- 日前，以“凝聚芯合力，發(fā)展芯設備”為主題的第十屆（2022）中國半導體設備年會（CSEAC）在無錫太湖國際博覽中心隆重召開。中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟秘書長、中國半導體協(xié)會集成電路分會理事長葉甜春在致辭中強調，中國集成電路發(fā)展到現在，確實需要進入新的階段。這帶來的變化就是從被動到主動的變化。如今，既然我們有自己的體系，就需要從系統(tǒng)應用、設計、制造、封測、裝備、裁量、零部件形成內循環(huán)，然后對接國際資源構建國內國際雙循環(huán)，最終主動打造一個以我為主的全球化的新生態(tài)。在百年未有之大變局下，半導體產業(yè)同樣迎接巨變。隨著半
- 關鍵字： 思銳智能 ALD 超摩爾時代
創(chuàng)新，引領未來
- 原子層沉積(ALD, Atomic Layer Deposition)工藝，是當前及未來工藝節(jié)點相關的收縮及更復雜器件幾何形狀上沉積薄層材料的關鍵技術。如今，隨著技術節(jié)點以驚人的速度持續(xù)進步，精確而又高效地生成關鍵器件特征成為了一項持久的挑戰(zhàn)。 原子層沉積工藝依靠專業(yè)的高性能原子層沉積閥在數百萬個脈沖中輸送精確的化學品劑量，構建形成材料層。為了達到原子級精密度和高生產良品率，輸送這些脈沖式化學品劑量的閥門必須日益精確且一致。世偉洛克一直致力于此，不斷刷新ALD閥使用壽命、響應時間、高溫高流量應用
- 關鍵字： 原子層沉積 ALD 世偉洛克 超高純隔膜閥
國內首臺集成電路ALD設備進駐上海集成電路研發(fā)中心
- 近日，由北方華創(chuàng)下屬子公司北方華創(chuàng)微電子自主研發(fā)的國內首臺12英寸原子層沉積(AtomicLayerDeposition，ALD)設備進駐上海集成電路研發(fā)中心。北方華創(chuàng)微電子為國產高端裝備在先進集成電路芯片生產線的應用再添新秀。 ALD設備是先進集成電路制造工藝中必不可少的薄膜沉積設備，ALD工藝具有工藝溫度低、薄膜厚度控制精確及臺階覆蓋率高等優(yōu)點。在集成電路特征線寬發(fā)展到28納米節(jié)點后，ALD工藝應用日益廣泛。北方華創(chuàng)微電子自2014年開始布局ALD設備的開發(fā)計劃，歷時四年，成功推出中國首臺應
- 關鍵字： ALD 集成電路
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