7nm 文章 進入7nm技術(shù)社區(qū)
AppliedMicro宣布采用臺積電7nm制程
- 臺積電7納米制程先下一城，芯片業(yè)者AppliedMicro正式宣布將采用臺積電7納米制程技術(shù)生產(chǎn)云端運算與網(wǎng)路通訊芯片。 AppliedMicro總裁兼執(zhí)行長Paramesh Gopi表示，該公司很高興有機會擴大與臺積電的合作關系，往后會努力將先進科技帶到高效能運算市場中，并且更密集地與臺積電合作，以促使AppliedMicro旗下的矽產(chǎn)品，都能受益于臺積電的優(yōu)良制程技術(shù)。同時，7納米制程技術(shù)的導入，將對正快速成長的數(shù)據(jù)中心市場帶來重要變革，對運算效能、網(wǎng)路速度、能源效率等都將帶來顯著提升，并降
- 關鍵字： 臺積電 7nm
ARM發(fā)力7nm芯片:手機功耗、性能春天!
- 據(jù)Digitimes報道，ARM今天宣布與IMEC(歐洲為電子研究中心)深化合作，前者將加入代號為INSITE的項目。 INSITE致力于優(yōu)化晶體電路設計、系統(tǒng)層面架構(gòu)的功耗表現(xiàn)、提高性能和降低成本。 報道特別提到，本次合作的重點是7nm及以上半導體芯片，這點稍有模糊，不知道是說5nm級別，還是10nm級別，但7nm是肯定的。 根據(jù)最近一次爆料，今年10~12月，臺積電會量產(chǎn)10nm FinFET工藝的聯(lián)發(fā)科Helio X30和華為麒麟970，后者有望用于11月份的Mate 9。
- 關鍵字： ARM 7nm
迎7nm制程戰(zhàn) 臺積電擴編研發(fā)大軍
- 臺積電深耕臺灣，透過增加研發(fā)支出與持續(xù)征才、擴大研發(fā)團隊編制等方式多管齊下，今年研發(fā)支出與研發(fā)大軍總數(shù)都將創(chuàng)新高，目標明年在7奈米關鍵戰(zhàn)役中勝出，為奪下全球半導體霸主的目標全力沖刺。 臺積電本周四(14日)將舉行法說會，臺積電表示，相關人才招募行動已趁近期畢業(yè)生投入職場，積極進行中;董事長張忠謀也將于法說會中，針對研發(fā)支出及先進制程挑戰(zhàn)目標，提出更詳細說明。 臺積電研發(fā)支出占年度營收約8%，以去年營收8，434.97億元，公司釋出今年挑戰(zhàn)年增5%至10%的目標估算，今年營收將突破9，000
- 關鍵字： 臺積電 7nm
元件設計/新材料整合難度大增 半導體決戰(zhàn)關鍵7nm
- 7奈米制程節(jié)點將是半導體廠推進摩爾定律(Moore’s Law)的下一重要關卡。半導體進入7奈米節(jié)點后，前段與后段制程皆將面臨更嚴峻的挑戰(zhàn)，半導體廠已加緊研發(fā)新的元件設計架構(gòu)，以及金屬導線等材料，期兼顧尺寸、功耗及運算效能表現(xiàn)。 臺 積電預告2017年第二季10奈米晶片將會量產(chǎn)，7奈米制程的量產(chǎn)時間點則將落在2018年上半。反觀英特爾(Intel)，其10奈米制程量產(chǎn)時間確定 將延后到2017下半年。但英特爾高層強調(diào)，7奈米制程才是決勝關鍵，因為7奈米的制程技術(shù)與材料將會有重大改變。
- 關鍵字： 半導體 7nm
7nm成下代技術(shù)熱點 三星、臺積電競爭日益激烈
- 三星電子(Samsung Electronics)與臺積電在新一代晶圓代工戰(zhàn)局進入白熱化，雙方紛將10納米制程量產(chǎn)目標訂在2016年底，近期三星更進一步擴大投資，向荷蘭微影設備大廠ASML訂購極紫外光微影制程(EUV)掃描機，提前搶灘7納米制程，最快2017年底可用于量產(chǎn)晶圓，業(yè)界紛關注臺積電后續(xù)可能采取的反擊策略，恐將牽動雙方未來在晶圓代工版圖變化。 業(yè)界認為EUV設備是突破微影制程界限的重要王牌，目前還沒有半導體業(yè)者真正將EUV設備導入量產(chǎn)，因為龐大的設備投資讓晶圓代工業(yè)者退卻，亦無法得知使
- 關鍵字： 三星 7nm
臺積電將在7nm制程拉開與三星、英特爾差距 稱霸半導體
- 臺積電法說會本周四(14日)登場，揭開半導體族群法說會序幕。半導體設備廠透露，臺積電在16納米拉開與三星差距，10納米超車英特爾之后，預料本次法說會，將宣告加速7納米制程腳步，向全球展現(xiàn)其半導體先進制程領先群倫的氣勢。 相較英特爾宣布2020年才產(chǎn)出7納米制程產(chǎn)品，凸顯臺積電將在于今年下半年以10納米制程試產(chǎn)聯(lián)發(fā)科等相關產(chǎn)品之后，未來在7納米一舉拉開與兩只700磅大猩猩(指三星與英特爾)差距，稱霸全球半導體產(chǎn)業(yè)。 臺積電近期已指示相關設備廠，加速7納米生產(chǎn)線建置。從臺積電罕見在3月初于美西
- 關鍵字： 臺積電 7nm
7nm制程將成臺積電力壓英特爾主戰(zhàn)場
- 安謀(ARM)與臺積電共同宣布一項為期多年的協(xié)議，針對7納米FinFET制程技術(shù)進行合作，包括支援未來低功耗、高效能運算系統(tǒng)單晶片(SoC)的設計解決方案。 這項協(xié)議延續(xù)先前采用ARM Artisan 基礎實體IP之16納米與10納米FinFET的合作。 事實上，以臺積電目前先進制程之生產(chǎn)時程來看，屬于同一世代的10納米、7納米進度已經(jīng)追上，甚至超越競爭對手英特爾(Intel)。 臺積電先進制程10納米、7納米、5納米等部分，所有制程皆on schedule10納米制程2016第1季完成產(chǎn)
- 關鍵字： 臺積電 7nm
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