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            臺(tái)積電火拼三星,爭(zhēng)搶7納米高地

            •   芯片大戰(zhàn)異?;馃?隨著目前7nm工藝技術(shù)的成熟,芯片企業(yè)開(kāi)始陸續(xù)推出各自的高端芯片,未來(lái)的芯片市場(chǎng)將有如何的變化?讓我們拭目以待。
            • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  三星  7納米  

            蘋果華為爭(zhēng)搶首顆7納米處理器芯片皇冠 高通和三星已掉隊(duì)?

            •   在iPhone發(fā)布會(huì)上,蘋果高管高調(diào)宣稱新iPhone Xs和Xs Max裝備第一顆7納米智能手機(jī)處理器,它所用的技術(shù)是目前最先進(jìn)的。華為也曾說(shuō)過(guò)同樣的話。到底誰(shuí)是第一呢?不是很明確。如果非要挑一家企業(yè),可能應(yīng)該選擇臺(tái)積電,因?yàn)閮煽钚酒际撬圃斓摹! ?月份,臺(tái)積電開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)7納米芯片,今年年末或者明年年初,三星將會(huì)正式生產(chǎn)7納米芯片。GlobalFoundries之前也在開(kāi)發(fā)7納米芯片,不過(guò)最近放棄了,也就是說(shuō)它雖然投資幾十億美元,但是一無(wú)所獲。向下一代技術(shù)前進(jìn)時(shí),英特爾慢了一步,它管自己的技
            • 關(guān)鍵字: 蘋果  華為  7納米  

            AMD明年將出7納米芯片,會(huì)不會(huì)把英特爾甩出去幾條街呢?

            •   在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域,芯片之爭(zhēng)早成定局?! 〉?,英特爾的挑戰(zhàn)者AMD一直死心不改,想要在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域分得更多羹?! ≈?,英特爾作為長(zhǎng)期占據(jù)著服務(wù)器處理器99%的市場(chǎng)份額全球巨無(wú)霸,對(duì)AMD幾乎是置之不理的,或者漠不關(guān)心的。但是,現(xiàn)在看來(lái),英特爾已經(jīng)開(kāi)始緊張了?! “⒚饔^察分析指出:這對(duì)于整個(gè)全球服務(wù)器芯片領(lǐng)域,是一件很好的事情。數(shù)據(jù)中心不能只是英特爾一家之言,需要更多參與者進(jìn)來(lái)改變?nèi)虻纳鷳B(tài)與格局,以此帶給數(shù)據(jù)中心用戶更多的實(shí)惠?! 榇耍覀兛吹絿?guó)外消息稱:2019年AMD計(jì)劃將推出7納米芯片,這樣的
            • 關(guān)鍵字: AMD  7納米  芯片  

            AMD明年將出7納米芯片,會(huì)不會(huì)把英特爾甩出去幾條街呢?

            •   在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域,芯片之爭(zhēng)早成定局?! 〉牵⑻貭柕奶魬?zhàn)者AMD一直死心不改,想要在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域分得更多羹?! ≈?,英特爾作為長(zhǎng)期占據(jù)著服務(wù)器處理器99%的市場(chǎng)份額全球巨無(wú)霸,對(duì)AMD幾乎是置之不理的,或者漠不關(guān)心的。但是,現(xiàn)在看來(lái),英特爾已經(jīng)開(kāi)始緊張了。  阿明觀察分析指出:這對(duì)于整個(gè)全球服務(wù)器芯片領(lǐng)域,是一件很好的事情。數(shù)據(jù)中心不能只是英特爾一家之言,需要更多參與者進(jìn)來(lái)改變?nèi)虻纳鷳B(tài)與格局,以此帶給數(shù)據(jù)中心用戶更多的實(shí)惠?! 榇?,我們看到國(guó)外消息稱:2019年AMD計(jì)劃將推出7納米芯片,這樣的
            • 關(guān)鍵字: AMD  7納米  芯片  

            杭州7納米芯片出爐 為何仍難掩中國(guó)芯頭之痛

            • 嘉楠耘智在臺(tái)積電的“助攻”下,“搶點(diǎn)后臨門一腳”,摘下“全球首個(gè)”桂冠,值得“慶賀”,但專業(yè)領(lǐng)域的一個(gè)突破,還遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到‘這是中國(guó)芯片勝利反擊的輝煌一刻’的程度?!?/li>
            • 關(guān)鍵字: 7納米  芯片  

            胡正明:技術(shù)創(chuàng)新可能讓半導(dǎo)體晶體管密度再增加1000倍

            •   “半導(dǎo)體市場(chǎng)正在經(jīng)歷由技術(shù)推動(dòng)到需求推動(dòng)的轉(zhuǎn)變。而半導(dǎo)體技術(shù)上的創(chuàng)新,可能讓半導(dǎo)體晶體管密度再增加1000倍,仍有巨大空間?!苯?,美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校教授、國(guó)際微電子學(xué)家胡正明在接受集微網(wǎng)采訪時(shí)表示?! ∽?965年摩爾定律提出以來(lái),歷經(jīng)半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展,如今越來(lái)越遭遇挑戰(zhàn),特別是新世紀(jì)以來(lái),每隔十年,摩爾定律以及半導(dǎo)體的微型化似乎便會(huì)遭遇到可能終止的危機(jī)?! 『靼l(fā)明了鰭型晶體管(FinFET)以及「全耗盡型絕緣層上硅晶體管」(FD-SOI),兩大革命性創(chuàng)新為半導(dǎo)體帶來(lái)新契機(jī)。 2011年5月
            • 關(guān)鍵字: FinFET  7納米  

            評(píng)論:臺(tái)積電南京廠即將量產(chǎn) 大陸代工市占率搶50%

            •   預(yù)計(jì)2018年臺(tái)積電依舊穩(wěn)居大陸晶圓代工市場(chǎng)之首,主要是臺(tái)積電優(yōu)異的制造技術(shù)與高良率的表現(xiàn),持續(xù)獲得大陸下游客戶的青睞,且在2018年5月臺(tái)積電于南京12吋廠開(kāi)始導(dǎo)入16納米來(lái)進(jìn)行量產(chǎn),以及比特大陸已包下臺(tái)積電南京廠每月約2萬(wàn)片16納米產(chǎn)能之下,估計(jì)2018年臺(tái)積電在大陸晶圓代工市場(chǎng)的市占率將有機(jī)會(huì)往50%靠攏,有效拉開(kāi)與排名第二名中芯國(guó)際的差距。   顯然在大陸針對(duì)晶圓代工進(jìn)行進(jìn)口替代之際,臺(tái)積電祭出直接投資的對(duì)策來(lái)先發(fā)制人,卡位其進(jìn)口替代,且南京設(shè)廠以獨(dú)資的方式進(jìn)行,可避免許多大陸半導(dǎo)體公司與官
            • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  7納米  

            提前完成7納米工藝開(kāi)發(fā) 三星嘗到了芯片的“甜頭”

            • 提前布局、提前研發(fā)、提前完成,先聲奪人也許是三星的一條制勝之道。
            • 關(guān)鍵字: 三星  7納米  

            三星提前完成的7納米工藝開(kāi)發(fā)有何威力?

            •   據(jù)外媒報(bào)道,三星電子已經(jīng)利用遠(yuǎn)紫外線(EUV)設(shè)備完成了7納米芯片工藝的開(kāi)發(fā)。最初,這家韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭計(jì)劃在今年下半年完成這項(xiàng)技術(shù),但最終它提前六個(gè)月實(shí)現(xiàn)目標(biāo)。   相比10納米工藝,7納米工藝可以讓產(chǎn)品面積縮小40%。此外它還能將芯片性能提高10%,在性能相同時(shí)將能耗提高35%。這意味著,三星電子將能夠?yàn)橐苿?dòng)設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、服務(wù)器和加密貨幣采礦業(yè)制造出更先進(jìn)的半導(dǎo)體。   三星電子一名高管說(shuō):“7納米工藝讓移動(dòng)設(shè)備廠商能夠在設(shè)備中安裝更大的電池,或者是采用更薄的設(shè)計(jì)。”
            • 關(guān)鍵字: 三星  7納米  

            格羅方德公布7納米制程資訊,預(yù)計(jì)較14納米制程提升40%效能

            •   根據(jù)科技媒體《ZDNet》的報(bào)導(dǎo),在日前的 2017 年國(guó)際電子元件會(huì)議(IDEM 2017)上,晶圓代工大廠格羅方德(GlobalFoundries)公布了有關(guān)其 7 納米制程的詳細(xì)資訊。與當(dāng)今用于 AMD 處理器,IBM Power 服務(wù)器芯片,以及其他產(chǎn)品的 14 納米制程產(chǎn)品相比,7 納米制程在密度、性能與效率方面都有顯著提升。另外,格羅方德還表示,7 納米制程將采用當(dāng)前光刻技術(shù)。不過(guò),該公司也計(jì)劃盡快啟用下一代 EUV 光刻技術(shù)以降低生產(chǎn)成本。   報(bào)導(dǎo)中指出,格羅方德最新一代的 3D 或
            • 關(guān)鍵字: 格羅方德  7納米  

            格羅方德公布7納米制程資訊,預(yù)計(jì)較14納米制程提升40%效能

            •   根據(jù)科技媒體《ZDNet》的報(bào)導(dǎo),在日前的 2017 年國(guó)際電子元件會(huì)議(IDEM 2017)上,晶圓代工大廠格羅方德(GlobalFoundries)公布了有關(guān)其 7 納米制程的詳細(xì)資訊。與當(dāng)今用于 AMD 處理器,IBM Power 服務(wù)器芯片,以及其他產(chǎn)品的 14 納米制程產(chǎn)品相比,7 納米制程在密度、性能與效率方面都有顯著提升。另外,格羅方德還表示,7 納米制程將采用當(dāng)前光刻技術(shù)。不過(guò),該公司也計(jì)劃盡快啟用下一代 EUV 光刻技術(shù)以降低生產(chǎn)成本?! ?bào)導(dǎo)中指出,格羅方德最新一代的 3D 或 F
            • 關(guān)鍵字: 格羅方德  7納米  

            傳三星格羅方德英特爾競(jìng)爭(zhēng)海思7納米第二供應(yīng)商

            •   海思半導(dǎo)體在臺(tái)積電16nm、10nm兩個(gè)制程世代一戰(zhàn)成名后,全力挺進(jìn)7納米制程,據(jù)傳海思7納米第二供貨商三星、格羅方德、英特爾競(jìng)搶分食,不過(guò)第一供應(yīng)商非臺(tái)積電莫屬,之前海思已經(jīng)與三星簽署過(guò)晶圓代工協(xié)議。不過(guò)最終結(jié)果三家公司誰(shuí)能成為海思的第二供應(yīng)商尚未有結(jié)論。   高通正努力研發(fā)新一代驍龍855移動(dòng)平臺(tái),將由臺(tái)積電以7納米制程代工生產(chǎn),預(yù)計(jì)2019年上市。此外iPhone下世代的A12訂單,臺(tái)積電以7納米結(jié)合InFO全拿訂單也勝券在握。   臺(tái)積電7納米制程將于明年量產(chǎn),業(yè)界預(yù)期,臺(tái)積電可望持續(xù)獨(dú)吃
            • 關(guān)鍵字: 海思  7納米  

            擔(dān)憂蘋果高通擠壓7納米產(chǎn)能,海思考察第二供應(yīng)商分散風(fēng)險(xiǎn)

            •   市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)ICInsights表示,隨著IC設(shè)計(jì)廠崛起,大陸晶圓代工需求同步升溫,預(yù)估今年中國(guó)晶圓代工市場(chǎng)規(guī)模將逼近70億美元,將增加16%,增幅將是整體晶圓代工市場(chǎng)的1倍以上,占整體晶圓代工比重將達(dá)13%。高度稱贊的晶圓代工市場(chǎng),也意味著更激烈的競(jìng)爭(zhēng)與混戰(zhàn)。目前,臺(tái)積電在全球的市場(chǎng)占有率排名第一,領(lǐng)先其他對(duì)手。根據(jù)IC Insights的調(diào)查報(bào)告,臺(tái)積電去年合并營(yíng)收接近300億美元(294.88億美元),市場(chǎng)占有率高達(dá)59%;排名第二的是GlobalFoundries(格芯),去年合并營(yíng)收為55.
            • 關(guān)鍵字: 海思  7納米  

            聯(lián)電暫緩10、7納米制程 不追臺(tái)積電獲外資認(rèn)同

            •   晶圓代工大廠聯(lián)電共同總經(jīng)理簡(jiǎn)山杰、王石掌舵近2個(gè)月,營(yíng)運(yùn)轉(zhuǎn)為務(wù)實(shí)導(dǎo)向,不再追趕臺(tái)積電先進(jìn)制程,對(duì)外釋出10、7納米制程暫緩跟進(jìn)訊息,改走自己的路,預(yù)計(jì)靠現(xiàn)有制程提高投資獲利,贏得外資法人認(rèn)同。   隨著蘋果的iPhone8將上市,由臺(tái)積電以10納米制程代工生產(chǎn)的A11處理器正大量出貨,加上非蘋陣營(yíng)也將紛紛推出新機(jī)種,臺(tái)積電預(yù)期第3季營(yíng)收將季增近16%,第4季可望強(qiáng)勁成長(zhǎng)。   明年整體營(yíng)運(yùn)好轉(zhuǎn)   聯(lián)電在先進(jìn)制程已大為落后臺(tái)積電,新上任的共同總經(jīng)理檢視市場(chǎng)現(xiàn)實(shí)面,決定暫緩跟進(jìn)10、7納米制程,今
            • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  7納米  

            三星砸54億美元、7納米提前建廠

            •   三星電子決定提前興建南韓華城的18號(hào)線,提高競(jìng)爭(zhēng)力搶單。   韓媒BusinessKorea 19日?qǐng)?bào)導(dǎo),三星華城廠的18號(hào)線原定明年動(dòng)工,如今三星決定提前至今年11月破土。18號(hào)線的建筑面積為40,536平方公尺,總樓面面積為298,114平方公尺。投資金額為6兆韓圜(54億美元),預(yù)定2019年下半完工,生產(chǎn)存儲(chǔ)器以外的半導(dǎo)體產(chǎn)品。   華城廠為綜合晶圓廠,生產(chǎn)DRAM、3D NAND flash、系統(tǒng)半導(dǎo)體等。18線將裝設(shè)數(shù)十臺(tái)先進(jìn)晶圓代工所需的極紫外光(EUV)微影機(jī)臺(tái)。三星提前施工,顯示
            • 關(guān)鍵字: 三星  7納米  
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