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      EEPW首頁 >> 主題列表 >> 60nm

      8月上半月1Gb DDR3芯片價格上漲11.9%

      •   據(jù)DRAMeXchange分析,由于受到新上市的超薄筆記本和內(nèi)存市場供不應(yīng)求態(tài)勢的影響,8月上半月1Gb DDR3芯片的平均交易價已繼續(xù)上揚至1.5美元,比上月提升11.9%。自今年6月下半月開始,DDR3內(nèi)存芯片的交易價格就開始上揚。   現(xiàn)貨市場方面,1Gb DDR3內(nèi)存芯片臺灣當?shù)貢r間8月10日早11:00的價格是2.16美元.另外,1Gb DDR2內(nèi)存芯片的價格也達到了1.45美元的水平。   DRAMeXchange七月份曾預(yù)計內(nèi)存業(yè)者將加速向DDR3內(nèi)存轉(zhuǎn)換的進程。韓國的三星和
      • 關(guān)鍵字: 三星  DDR3  60nm  

      爾必達:計劃明年轉(zhuǎn)向40nm制程技術(shù)

      •   8月7日消息 據(jù)透露,為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面,日本爾必達內(nèi)存公司計劃明年內(nèi)轉(zhuǎn)向使用40nm制程技術(shù),而在40nm制程技術(shù)完全成熟之前,爾必達將采 用50nm制程技術(shù)作為過渡性的制程技術(shù)。目前,爾必達公司剛剛在65nm制程技術(shù)基礎(chǔ)上開發(fā)出了60nm制程技術(shù)。不過爾必達曾計劃直接 跳過50nm制程進入40nm階段,但由于受到經(jīng)濟危機的影響未能成行。   目前韓國三星電子已經(jīng)在使用40nm 6F2技術(shù)生產(chǎn)內(nèi)存芯片,而到40nm制程技術(shù)成熟時,三星還將推出4F2技術(shù)。   美國鎂光公司則已經(jīng)
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      60nm介紹

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