全球第一大芯片自動化設計解決方案提供商及全球第一大芯片接口IP供應商、信息安全和軟件質量的全球領導者Synopsys近日宣布， Synopsys 設計平臺獲得TSMC最新版且最先進的5nm工藝技術認證，可用于客戶先期設計。通過與TSMC的早期密切協(xié)作，IC Compiler ? II 的布局及布線解決方案采用下一代布局和合法化技術，最大限度地提高可布線性和總體設計利用率。借助重要的設計技術協(xié)同優(yōu)化工作，通過使用PrimeTime?Signoff和StarRC?提取技術實現ECO閉合，IC Compil
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Synopsys 5nm
這兩年，三星電子、臺積電在半導體工藝上一路狂奔，雖然有技術之爭但把曾經的領導者Intel遠遠甩在身后已經是不爭的事實。
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三星 5nm
隨著5nm工藝制造難度的增加，臺積電以及三星電子等巨頭研發(fā)所耗費的時間勢必會增加不少，這也為中芯國際彎道超車提供了一定的機遇。
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臺積電 5nm
據臺灣媒體報道，臺積電將于本周在臺灣南部科學工業(yè)園區(qū)(STSP)開工建設新的5nm工廠，并將于2020年啟動3nm工廠，而新工藝的快速演進將大大鞏固臺積電一號代工廠的地位。
臺積電董事長張忠謀會出席奠基儀式，這也將是他在今年6月份退休之前，最后一次參加這類活動。
目前，臺積電正在積極準備量產7nm，預計第二季度即可實現、第四季度火力全開。
更關鍵的是，臺積電已經壟斷了7nm代工市場，收獲了100%的訂單，包括高通驍龍855、蘋果A12等重磅大單，徹底擊敗三星。
根據路線圖，臺積
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臺積電 5nm
5nm以下的工藝尺寸縮減邏輯;DRAM、3DNAND和新型存儲器的未來;太多可能解決方案帶來的高成本。
近日，外媒SE組織了一些專家討論工藝尺寸如何繼續(xù)下探、新材料和新工藝的引入帶來哪些變化和影響，專家團成員有LamResearch的首席技術官RickGottscho、GlobalFoundries先進模塊工程副總裁MarkDougherty、KLA-Tencor的技術合伙人DavidShortt、ASML計算光刻產品副總裁GaryZhang和NovaMeasuringInstruments的首
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5nm DRAM
一時之間，仿佛EUV成為了衡量中國半導體設備產業(yè)發(fā)展水平的標桿，沒有EUV就無法實現半導體強國之夢？
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EUV 5nm
根據比利時研究機構Imec指出，設計人員可以選擇采用2D非等向性(顆粒狀速度更快)材料(如黑磷單層)，讓摩爾定律(Moore‘s Law)擴展到超越5納米(nm)節(jié)點。Imec研究人員在Semicon West期間舉辦的年度Imec技術論壇(Imec Technology Forum)發(fā)表其最新研究成果。
Imec展示的研究計劃專注于實現高性能邏輯應用的場效電晶體(FET)，作為其Core CMOS計劃的一部份。Imec及其合作伙伴分別在材料、元件與電路層級實現協(xié)同最佳化，證實了在傳
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Imec 5nm
Imec 開發(fā)下一代 5nm 2D 通道 FET 架構，證實采用 2D 非等向性材料可讓摩爾定律延續(xù)到超越 5nm 節(jié)點…
根據比利時研究機構Imec指出，設計人員可以選擇采用2D非等向性(顆粒狀速度更快)材料(如黑磷單層)，讓摩爾定律(Moore's Law)擴展到超越5納米(nm)節(jié)點。Imec研究人員在Semicon West期間舉辦的年度Imec技術論壇(Imec Technology Forum)發(fā)表其最新研究成果。
Imec開發(fā)的下一代5nm 2D通道
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摩爾定律 5nm
上周，Nvidia CEO黃仁勛在臺北電腦展上表示摩爾定律已死(黃仁勛說摩爾定律已死，Nvidia要用人工智能應對)，不過IBM和三星有不同意見。
雷鋒網消息，日前，IBM聯合三星宣布了一項名為nanosheets的晶體管制造技術。該技術拋棄了標準的 FinFET 架構，采用全新的四層堆疊納米材料。這項技術為研發(fā)5nm芯片奠定了基礎。IBM表示，借助該項技術，芯片制造商可以在指甲蓋大小的芯片面積里，塞下將近300億個晶體管。要知道，高通不久前發(fā)布的采用10nm工藝的旗艦芯片驍龍835，也才不過集
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IBM 5nm
據外媒報道，三星聯合 IBM 日前宣布了一項名為 nanosheets 的技術。得益于該技術，芯片制造商能夠將更多的晶體管容納到更小的芯片組里，他們宣稱在 5nm 芯片可以實現在指甲蓋大小中集成 300 億顆晶體管，而當前 10nm 的驍龍 835 僅僅集成的晶體管數量約為 30 億。
IBM 稱，同樣封裝面積晶體管數量的增大有非常多的好處，比如降低成本、提高性能，而且非常重要的一點是，5nm 加持下，現有設備如手機的電池壽命將提高 2 至 3 倍。早在 2015 年，IBM 就攜手 Glo
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IBM 5nm
晶圓代工龍頭臺積電年度股東常會將于6月8日登場，并于今(24)日上傳致股東報告書，當中揭露先進制程技術最新進展，其中，7納米已在今年4月開始試產，預期良率改善將相當快速，5納米則維持原先計劃，預計2019年上半年試產。
臺積電董事長張忠謀指出，去年間與主要客戶及硅智財供應商攜手合作完成7納米技術硅智財設計，并開始進行硅晶驗證，按照計劃在今年4月試產。
5納米部分，張忠謀表示，規(guī)劃使用極紫外光(EUV)微影技術，以降低制程復雜度，制程技術預計2019年上半年試產。
10納米部分則是已在
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臺積電 5nm
回顧臺媒的這些宣傳，只是讓大家對臺媒在宣傳中國臺灣的高科技企業(yè)的先進技術研發(fā)進展時，要進行思考，而不是完全相信，先進技術研發(fā)需要大量人力物力，并非一朝一夕可以取得領先優(yōu)勢。
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臺積電 5nm
臺積電物聯網業(yè)務開發(fā)處資深處長王耀東表示，未來臺積電成長動能來自于高階智慧型手機、高效運算晶片、物聯網及車用電子。而臺積電在10奈米技術開發(fā)如預期，今年底可以進入量產，第一個采用10奈米產品已達到滿意良率，目前已經有三個客戶產品完成設計定案，預期今年底前還有更多客戶會完成設計定案，該產品在明年第1季開始貢獻營收，且在2017年快速提升量產。
7奈米部分，臺積電該部分進度優(yōu)異，7奈米在PPA及進展時程均領先競爭對手，兩個應用平臺高階智慧型手機及高效運算晶片客戶都積極采用臺積電7奈米先進制程技術，且
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臺積電 5nm
由IEEEElectronDeviceSociety主辦的半導體互連(布線)技術相關國際會議“IEEEInternationalInterconnectTechnologyConference(IITC)2016”于5月23～26日在美國圣荷西舉辦。這是該會議時隔兩年再次回到美國，共有超過230人參加，展開了積極的討論。
IITC2016的論文數量為一般口頭演講(包括主題演講)45件，展板發(fā)表33件。一般演講按領域劃分，涵蓋硅化物的“MUP(Materials
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5nm 布線技
The Motley Fool談論了英特爾計劃推出的三個10nm節(jié)點架構，而不是此前預期的兩種：“管理層向投資者表示，他們正試圖回到2年/低于10nm的節(jié)奏(此話或意味著2年內從10nm轉到7nm)。不過根據剛從熟知英特爾計劃的消息人士那獲得的信息，該公司正致力于三款、而不是兩款10nm節(jié)點架構”。
此前有消息稱，Kaby Lake會停留在當前的14nm節(jié)點，并打亂英特爾每2年一升級的制造技術步伐。該公司首款10nm處理器架構被稱作“Cannonlake&rd
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英特爾 5nm
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