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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> 56nm

            內(nèi)存廠商積極轉向新制程,明年芯片生產(chǎn)成本將大幅下降

            •   據(jù)臺灣內(nèi)存業(yè)者透露,由于越來越多的內(nèi)存芯片廠商都在積極轉向下一代制程技術,因此這種彼此間的良性制程競賽將令內(nèi)存芯片的生產(chǎn)成本在明年之內(nèi)將出現(xiàn)較大幅度的下降。   目前,韓國三星電子的內(nèi)存芯片產(chǎn)品已經(jīng)有50%比例在采用56nm制程制作,而第四季度,部分DDR3芯片已經(jīng)開始小批導入40nm制程。預計到明年下半年,40nm制程將成為三星的主力制程,三星也將由此再一次占據(jù)業(yè)內(nèi)領先的地位。   日本爾必達公司則很快會開始啟用其改進版65nm制程,爾必達將這種制程稱為Extra 65nm。并將隨后于明年轉移到
            • 關鍵字: 三星電子  40nm  56nm  內(nèi)存芯片  

            SanDisk閃存繼續(xù)降價 56nm量產(chǎn)指日可待

            • 今年第一季度NAND閃存出現(xiàn)了產(chǎn)能過剩的情況,尤其是多層單元NAND閃存,價格也隨之大幅度下跌,這對新達公司的影響很大。一季度他虧損57萬5000美元,而去年同期是盈利3510萬美元。今年一季度毛利潤率為14.2%,去年則為28.4%。存儲卡平均容量達到了1231MB,年增長率為87%,季度增長率 為11%。而每MB平均價格年下跌率為62%,季度下跌率為23%。 對于出現(xiàn)這種局面的原因,公司主席兼首席執(zhí)行官Eli Harari解釋說芯片制造商處在單層單元閃存到多層單元閃存的換代中,老型
            • 關鍵字: 56nm  SanDisk  閃存  消費電子  消費電子  
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            56nm介紹

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