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	54nm
            

            
	
            
    	
            
    	  	
            
              	
                                
            
                  

                                
            
                    
            海力士宣布第二代54nm 1Gb DDR3內存芯片
            
                                                            
              
                    	
            • 　　據(jù)報道，海力士今天宣布了基于54nm工藝的第二代1Gb DDR3內存芯片，新一代1Gb DDR3芯片分為256Mb X 4和128Mb X 8兩種，并將會在本月開始投入量產。
　　此次宣布的1Gb DDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V電壓，但功耗降低了30%，號稱是目前主流1Gb DDR3市場上性能最高的內存芯片。根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計，1Gb DDR3內存芯片的市場份額已經(jīng)達到了87%，更高密度的內存芯片將在2011年成為市場上的主流。
　　根據(jù)海力士的介紹，數(shù)據(jù)中心、服務器、超級計算機或
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            • 關鍵字：
                        海力士  內存芯片  54nm  DDR3                          
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            茂德宣布中止與海力士54nm內存芯片制程合作項目
            
                                                            
              
                    	
            • 　　茂德電子(Promos)23日向臺灣證交所提報了一份聲明，聲明稱茂德與海力士間有關54nm制程內存芯片制造技術的合作協(xié)議已宣告中止。業(yè)內人士認為此舉意味著茂德將轉而投入爾必達以及即將成立的TMC臺灣內存公司的懷抱。茂德發(fā)言人稱，與海力士間54nm制程技術合作關系的結束并不會影響到兩家公司在現(xiàn)有主流制程技術方面的合作關系，不過他并沒有對此作詳細說明。
　　2005年，茂德在海力士的幫助下成功轉向90nm制程技術，2007年又在其協(xié)助下轉換為70nm制程。不過按此前的報道，茂德在轉向54nm制程的過程中
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            • 關鍵字：
                        茂德  內存芯片  54nm  90nm                          
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	共2條
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