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	4g（lte）網(wǎng)絡(luò)測
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
                                
        
                  

                                
        
                    
        王建宙透露TD-LTE軟肋
        
                                                            
          
                    	
        • 日前中國移動董事長王建宙對正在研發(fā)的TD-LTE芯片提出了四個需求：首先是支持多個頻段，其二是支持2G和3G的多種網(wǎng)絡(luò)模式，其三則是語音通話的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)需要界定，其四則是4G網(wǎng)絡(luò)終端需要相對確定。這也是目前TD-LTE技術(shù)發(fā)展之中遇到的最大的困難。
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        • 關(guān)鍵字：
                        LTE  4G                          
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        CDMA邁進(jìn)LTE橋梁-eHRPD
        
                                                            
          
                    	
        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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        • 關(guān)鍵字：
                        LTE  CDMA  eHRPD  WiMAX                          
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        LTE網(wǎng)絡(luò)容量空中接口測試
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • LTE的發(fā)展對容量測試提出許多新的挑戰(zhàn)，需要采用不同于3G網(wǎng)絡(luò)的測試方法和技術(shù)。LTE的系統(tǒng)架構(gòu)比UMTS更加扁平，這意味著容量測試傳統(tǒng)上使用的基帶網(wǎng)絡(luò)接口已不適用于LTE網(wǎng)絡(luò)。本文探討這些挑戰(zhàn)，并基于成熟的空中接口
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        • 關(guān)鍵字：
                        接口  測試  空中  容量  網(wǎng)絡(luò)  LTE                          
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        分析稱2012年LTE終端價格將會急劇下降
        
                                                            
          
                    	
        • 　　網(wǎng)絡(luò)/通信終端制造商表示，預(yù)計2012年下半年LTE終端價格將出現(xiàn)急劇下降。由于2011年下半年許多芯片廠商已開始批量生產(chǎn)單模LTE芯片，高通則預(yù)計將會在2012年上半年推出其下一代多模LTE解決方案。
　　
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        • 關(guān)鍵字：
                        聯(lián)發(fā)科技  LTE                          
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        IDT擴(kuò)展業(yè)界領(lǐng)先的低抖動VCSO解決方案產(chǎn)品系列
        
                                                            
                                        
          
                    	
        •  擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 推出用于高端光網(wǎng)絡(luò)和通信應(yīng)用   的低抖動電壓控制聲表面波振蕩器 (VCSO, Voltage Controlled Surface Acoustic Wave Oscilla-tor)。新的 VCSO 時鐘發(fā)生器進(jìn)一步擴(kuò)展了 IDT 公司領(lǐng)先業(yè)界的時鐘和計時解決方案產(chǎn)品組合。
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        • 關(guān)鍵字：
                        IDT  4G                          
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        LTE時代 Femtocell盡顯優(yōu)勢
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　隨著日前中國移動宣布其TD-LTE試商用的啟動，并在深圳第26屆世界大學(xué)生運(yùn)動會上，TD-LTE首次實(shí)現(xiàn)了規(guī)模應(yīng)用。目前TD-SCDMA網(wǎng)絡(luò)的深度覆蓋仍然是很多地區(qū)TD網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化的重點(diǎn)，除了增加宏基站，中國移動也在試點(diǎn)Femto，將Femto作為TD的補(bǔ)充，解決室內(nèi)覆蓋問題。目前，該技術(shù)已經(jīng)在蘇州等城市。隨之femtocell作為補(bǔ)充宏基站來解決室內(nèi)覆蓋問題的熱門選擇再次進(jìn)入人們的視野。
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        • 關(guān)鍵字：
                        Femtocell  LTE                          
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        LTE芯片商趕送樣4G市場熱戰(zhàn)一觸即發(fā)
        
                                                            
          
                    	
        • 　　量測業(yè)者已陸續(xù)接獲長程演進(jìn)計劃(LTE)產(chǎn)品測試訂單，且全球電信營運(yùn)商也紛紛開通LTE服務(wù)，推估2012～2013年將成為LTE起飛的時間點(diǎn)；而由于晶片導(dǎo)入終端設(shè)計的測試時程約需半年時間，4G晶片商均趕在年底前將晶片送樣，以期在明后年的LTE設(shè)備需求熱潮中占有一席之地。
　
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        • 關(guān)鍵字：
                        LTE芯片  4G                          
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        MIMO分布式天線延時失衡性能分析
        
                                                            
          
                    	
        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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        • 關(guān)鍵字：
                        MIMO  分布式天線  延時失衡  LTE  天線陣列                          
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        TD-LTE測試芯片陷爭議：單模被指無市場
        
                                                            
          
                    	
        • 　　8月22日消息，在中國移動TD-LTE技術(shù)規(guī)模試驗(yàn)熱火朝天之際，由于TD-LTE終端芯片的廠商越來越多，最早進(jìn)入測試現(xiàn)場的芯片已被認(rèn)為在未來沒有實(shí)際市場價值，不少芯片廠商要求入場參與，理由是多模LTE/3G芯片符合實(shí)際市場需求，而現(xiàn)有測試芯片是單模的。
　　
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        • 關(guān)鍵字：
                        TD  LTE                          
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        導(dǎo)入28nm 高通4G多模芯片瞄準(zhǔn)移動設(shè)備
        
                                                            
          
                    	
        • 　　“多頻多?！币殉蔀?G晶片商產(chǎn)品發(fā)展的新圭臬，而一直以來在通訊晶片領(lǐng)域據(jù)有重要地位的高通(Qualcomm)，已率先將新一代整合2G、3G和長程演進(jìn)計劃(LTE)的Snapdragon平臺系列產(chǎn)品--MSM8960、MDM9x15、MDM9x25，全面導(dǎo)入28奈米先進(jìn)制程，進(jìn)一步滿足行動裝置對低功耗和輕薄短小設(shè)計的殷切需求。
　
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        • 關(guān)鍵字：
                        高通  4G  28nm                          
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        中興通訊推出業(yè)界首款“超寬頻”雙模RRU 
        
                                                            
          
                    	
        • 8月23日，中興通訊宣布已推出業(yè)界首款50MHz工作帶寬的TD-SCDMA/TD-LTE雙模RRU。這款RRU在E頻段（2320MHz~2370MHz）能夠支持2個20MHz的TD-LTE應(yīng)用，同時支持10MHz（6載波）TD-SCDMA應(yīng)用，發(fā)射功率達(dá)2通道*50W，可提升邊緣頻譜效率30%以上。該款產(chǎn)品能夠一步到位建設(shè)TDS/TDL室內(nèi)覆蓋網(wǎng)絡(luò)，對業(yè)界超寬頻雙模技術(shù)的發(fā)展具有里程碑意義。


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        • 關(guān)鍵字：
                        中興  TD-LTE                          
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        蘋果或正在內(nèi)部測試4G版iPhone
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 8月23日凌晨消息，據(jù)蘋果新聞博客MacRumors報道稱，在蘋果最近發(fā)布的iOS 5 Beta 6版中，有一段代碼提到了LTE(長期演進(jìn)技術(shù))，引發(fā)了蘋果正在內(nèi)部測試4G的猜測。
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        • 關(guān)鍵字：
                        4G  LTE  iphone                          
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        美國未來幾年加速投資4G網(wǎng)絡(luò)
        
                                                            
          
                    	
        •  據(jù)國外媒體報道，全球四大會計師事務(wù)所之一德勤公司近日公布了一項(xiàng)最新報告，報告顯示美國的無線通訊公司在2012到2016年將可能將會投入250-530億美元到4G網(wǎng)絡(luò)中，這將讓美國的GDP由現(xiàn)在的730億美元增加到1510億，并將創(chuàng)造371000到771000個工作崗位。此外伴隨著高科技企業(yè)創(chuàng)造出能改變?nèi)藗兩?、工作和學(xué)習(xí)方式的新移動寬帶產(chǎn)品和服務(wù)，同時將會帶來其他額外的增長。
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        • 關(guān)鍵字：
                        4G  3G                          
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        LTE中負(fù)荷管理功能分析
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 摘要：負(fù)荷管理功能是LTE的E-UTRAN系統(tǒng)中RRM的一個重要組成部分。通過分析LTE系統(tǒng)中eNB負(fù)荷過載的場景，引出負(fù)荷管理功能的必要性，并進(jìn)一步分析了負(fù)荷參量表示及負(fù)荷管理功能的主要處理內(nèi)容，對于移動通信系統(tǒng)負(fù)荷管
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        • 關(guān)鍵字：
                        分析  功能  管理  負(fù)荷  LTE                          
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        TMS320TCI6618-TI 高性能LTE物理層解決方案
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 引言  隨著消費(fèi)者數(shù)據(jù)需求量的不斷攀升，全球范圍內(nèi)的運(yùn)營商無一不面臨著對無線帶寬前所未有的增長需求。值得慶幸的是，包括標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu) 3GPP 等在內(nèi)的整個行業(yè)都在竭盡全力來支持這種需求。LTE 正是為幫助運(yùn)營商滿
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        • 關(guān)鍵字：
                        解決方案  物理  LTE  高性能  TI                          
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        4g（lte）網(wǎng)絡(luò)測介紹
        
      			
        
		      	
        
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條4g（lte）網(wǎng)絡(luò)測!
         
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對4g（lte）網(wǎng)絡(luò)測的理解，并與今后在此搜索4g（lte）網(wǎng)絡(luò)測的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
        
    		
        
  		
        
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
        
    		
        
      			
        
        			
        熱門主題
        
      			
        
      			
        
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