市場研究機構水清木華日前發(fā)布“2009年手機內存行業(yè)研究報告”指出，NOR閃存在512Mb是個門檻。高于350Mb，NOR閃存的成本飛速增加。同時，NOR閃存的應用領域單一，應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大，成本優(yōu)勢越明顯，應用領域更廣泛，應用廠家也多。手機市場變化迅速，現在每一款手機的生命周期通常都小于5年，NOR最強大的優(yōu)勢“長壽”也不復存在。盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降，但是專心NOR領域的只有Spansion。而NAND
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手機 NAND NOR
盡管IC產業(yè)在步入2009年的時候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經濟危機影響的存儲產業(yè)終于看到了復蘇的曙光。面對市場可預期的需求增長，恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應市場需求，擴充產能。一是通過從高節(jié)點技術向低節(jié)點技術的制程升級，進一步擴大位級產能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢，與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產能。
展望2010年的市場前景，主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務及渠道的銷售副總裁龔翊表示：“作為全球存儲器解
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Numonyx NAND NOR閃存 PCM
盡管 IC 產業(yè)在步入 2009 年的時候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經濟危機影響的存儲產業(yè)終于看到了復蘇的曙光。面對市場可預期的需求增長，恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應市場需求，擴充產能。一是通過從高節(jié)點技術向低節(jié)點技術的制程升級，進一步擴大位級產能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢，與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產能。
展望2010年的市場前景，主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務及渠道的銷售副總裁龔翊表示：“作為全球
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Numonyx NAND NOR閃存
市場研究機構水清木華日前發(fā)布"2009年手機內存行業(yè)研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是個門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時,NOR閃存的應用領域單一,應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢越明顯,應用領域更廣泛,應用廠家也多.手機市場變化迅速,現在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優(yōu)勢"長壽"也不復存在.盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領域的只有Spansion.而NAND領域,三
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三星 NAND NOR RAM
《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內基梅隆大學教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術，看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機械硬盤，結果選出了兩個最有希望的候選 者：相變隨機存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機存取存儲(STTRAM)。
PCRAM我們偶爾會有所耳聞。它基于硫系玻璃的結晶態(tài)和非結晶態(tài)相變屬性，單元尺寸較小，而且每個單元內能保存多個比特，因此存儲密度和成本
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NAND 閃存 相變存儲
2008年DRAM產業(yè)跌落谷底，臺灣DRAM廠開門做生意平均每天虧新臺幣1億元，且龐大的負債成為臺灣科技產業(yè)的巨大問題，因此經濟部為挽救臺灣內存演產業(yè)，宣布要進行產業(yè)再造，成立臺灣內存公司(Taiwan Memory Company;TMC)，之后因為此名字已被其它公司注冊，因此改名為Taiwan Innovation Memory Company，簡稱為TIMC。
TIMC正式于2009年7月31日登記成立，董事長為聯電榮譽副董事長宣明智，帶領臺灣內存產業(yè)再造的任務，目的在于協助臺灣DRAM產
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TIMC DRAM NAND Flash
美光科技股份有限公司日前宣布，該公司將業(yè)界一流的34納米4Gb單層單元NAND閃存與50納米2Gb LPDDR相結合，生產出了市場上最先進的NAND-LPDDR多芯片封裝組合產品。美光新推出的4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝產品以智能手機、個人媒體播放器和新興的移動互聯網設備為應用目標。較小的外形尺寸、低成本和節(jié)能是這類應用的核心特色。
美光公司目前向客戶推出4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝試用產品，預計于2010年初投入量產。4Gb NAND-2Gb LPDDR組合
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美光 NAND 34納米 智能手機
10月28日消息，據國外媒體報道，全球最大的記憶體芯片制造商韓國三星電子周三表示，該公司目標要在三年內將半導體業(yè)務營收提高逾50%，并對2010年記憶體市場發(fā)表樂觀的看法。
三星電子將在周五公布第三季財報。該公司估計，今年半導體業(yè)務營收為166億美元，并稱目標要在2012年達到255億美元營收。
三星指出，明年動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)和NAND快閃記憶體(閃存)芯片將出現小規(guī)模短缺情況。
韓國三星半導體事業(yè)群總裁勸五鉉在一項高層主管會議上發(fā)表上述預估，公司發(fā)言人士也確認了這項消
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三星 NAND 存儲
英特爾和芯片技術公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術.這兩家公司稱,這種新技術將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本.
英特爾研究員和內存技術開發(fā)經理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術產生的堆疊內存陣列有可能取代目前DRAM內存和NAND閃存的一些工作.這種技術甚至能夠讓系統設計師把一些DRAM內存和固態(tài)內存的一些存儲屬性縮小到一個內存類.
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Intel 5納米 DRAM NAND
最近幾個月來，DRAM價格連連上漲，同時也拉升了NAND Flash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內存廠商的產品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已經有較大起色，但是這內存的價格上漲也波及到了電子賣場中的零售價格。那么究竟現在的內存產品是怎樣的一個局面呢，下面小編就給大家來個深度分析，給你講講這里面的道道。
9月DRAM價格猛增13% Flash亦漲4%
9月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報價約為 1.70 美元，較上個月多出了近 13%。D
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NAND DRAM 內存 存儲
美國內存大廠SanDisk近日公布第3季財報，意外由虧損轉為強勁獲利，主要由于銷售額優(yōu)于預期，以及先前減記的庫存收入回補加持。這也反映了內存制造商持續(xù)受惠于閃存芯片市場好轉趨勢。
據國外媒體報道，SanDisk第3季由去年同期的虧損1.659億美元或每股74美分，改善為獲利2.313億美元或每股99美分。去除特殊項目后，每股獲利則為76美分，優(yōu)于分析師預期的每股26美分。
該季營收增長14%至9.352億美元，遠優(yōu)于公司今年7月份預估的介于7.25-7.75億美元，以及分析師預期的7.87
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SanDisk NAND 閃存芯片
“經濟部”「DRAM產業(yè)再造計畫」20日最后截止日期，卻出現戲劇性變化!臺塑集團旗下南亞科和華亞科宣布不送件，形同退出這次計畫;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并將這次臺灣存儲器產業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局，反將了臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)一軍。力晶董事長黃崇仁表示，2010年將投入40奈米制程量產NAND Flash，且100%為自有技術，比任何同業(yè)都符合“經濟部”所要求技術扎根條件，未來力晶
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力晶 DRAM 存儲器 NAND
鎂光34nm制程企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存芯片已經進入試樣階段，MLC部分的存儲密度可達32Gb，寫入壽命達3萬次，是普通MLC產品的6倍;SLC部分存儲密度為16Gb，寫入壽命同樣為3萬次，是普通SLC產品的3倍.
鎂光這次開發(fā)成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規(guī)范(Open NAND Flash Interface)，數據傳輸率最高可達200MB/S，而且可以采用閃存封裝內部集成多片閃存芯片的封裝方案。
鎂光表示，明年初這兩種閃存芯片便可正式量產。
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鎂光 NAND 閃存芯片 34nm
研究機構集邦科技(DRAM eXchange)表示，10月上旬主流MLC NAND Flash合約均價上漲約8%~10%，主要原因是多數供貨商已接獲部份電子系統廠客戶10月到11月的旺季長單，同時近期記憶卡客戶的旺季備貨需求，因此NAND Flash市場供貨吃緊，在賣方主導市場下，10月上旬NAND Flash合約價持續(xù)地上揚。
16Gb MLC NAND Flash合約價走勢圖
集邦科技指出，在10月到11月，多數NANDFlash供貨商份仍將優(yōu)先供貨給電子系
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NAND 存儲 閃存
2009年NAND Flash缺貨缺翻天，三星電子(Samsung Electronics)在享有最大獲利之余，不但對飽受缺貨之苦的存儲器模塊廠袖手旁觀，還要推出「SAMSUNG」自有品牌記憶卡產品來搶食客戶飯碗，到底葫蘆里是賣什么藥?業(yè)界相當好奇!而原本應該站在反對立場的大客戶創(chuàng)見，這次卻成為三星自有品牌記憶卡的代理商，究竟整起故事的來龍去脈為何?連同業(yè)都有霧里看花之感，只能說三星2009年真的是新人事、新作風，每一步都讓業(yè)界跌破眼鏡!
與三星做生意的客戶都知道，2009年不論在DRAM或是N
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