3d-nand 文章進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區(qū)

iSuppli:閃存價(jià)格可能會(huì)跌到1美元/GB

　　iSuppli今天警告稱(chēng)閃存價(jià)格可能崩潰性地調(diào)整到1美元/GB，這是因?yàn)橛糜陂W存產(chǎn)品的NAND記憶體價(jià)格今年開(kāi)始沖高回落，并且技術(shù)的演變讓內(nèi)存單元的價(jià)位開(kāi)始雪崩。　　由于下降的價(jià)格，目前看上去過(guò)于昂貴的SSD將在兩年時(shí)間內(nèi)開(kāi)始成為主流，而成本低得多的硬盤(pán)處理器則開(kāi)始在高端市場(chǎng)被SSD擠占。　　此外，快閃記憶體價(jià)格的總體下降對(duì)于各種手持設(shè)備是一個(gè)極大的利好消息，各種手機(jī)、智能本廠(chǎng)商將會(huì)帶來(lái)更加豐厚的利潤(rùn)空間，乃至最后降低產(chǎn)品售價(jià)。
關(guān)鍵字： NAND SSD

英特爾美光公布存儲(chǔ)密度更高的新型閃存芯片

　　英特爾和美光當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二公布了存儲(chǔ)密度更高的NAND閃存芯片。新型芯片不僅能減少存儲(chǔ)芯片所占空間，還能增加消費(fèi)電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)容量。　　新NAND芯片每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)3位信息，存儲(chǔ)容量高達(dá)64G位(相當(dāng)于8GB)。英特爾和美光稱(chēng)這是它們迄今為止尺寸最小的NAND閃存芯片。　　兩家公司稱(chēng)，使用NAND閃存的數(shù)碼相機(jī)和便攜式媒體播放器等產(chǎn)品的尺寸越來(lái)越小。新型芯片還有助于降低制造成本。　　兩家公司已經(jīng)向客戶(hù)發(fā)送樣品，預(yù)計(jì)將于今年底投入量產(chǎn)。新型NAND閃存芯片將采用 25納米工藝生產(chǎn)。與每單
關(guān)鍵字：英特爾 NAND 閃存芯片

NAND Flash市況兩極　靜待8月底補(bǔ)貨潮

　　2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統(tǒng)旺季，8月初合約價(jià)卻還是跌不停，存儲(chǔ)器業(yè)者表示，蘋(píng)果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠(chǎng)需求仍十分強(qiáng)勁，但零售市場(chǎng)買(mǎi)氣不振，模塊廠(chǎng)拿貨意愿不高，把平均合約價(jià)給拉下來(lái)，其中，三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應(yīng)蘋(píng)果，走貨較順暢，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫(kù)存水位較高，但又不愿降價(jià)，與模塊廠(chǎng)陷入僵局。　　近期大陸因?yàn)閬嗊\(yùn)因素，
關(guān)鍵字： Apple NAND Flash

海力士開(kāi)始26nm的NAND閃存量產(chǎn)

　　韓國(guó)海力士聲稱(chēng)，在其M11的300毫米生產(chǎn)線(xiàn)上開(kāi)始利用20納米技術(shù)進(jìn)行64Gb的NAND閃存量產(chǎn)。　　該公司在2月時(shí)曾報(bào)道擬進(jìn)行20納米級(jí)的64Gb的NAND生產(chǎn)，采用現(xiàn)有的32Gb產(chǎn)品進(jìn)行疊層封裝完成。　　海力士稱(chēng)它的芯片是26nm的一種，有人稱(chēng)20nm級(jí)產(chǎn)品。三星是27nm的NAND閃存，IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。
關(guān)鍵字：海力士 20納米 NAND

第二季DRAM與NAND市場(chǎng)狀況及廠(chǎng)營(yíng)收排行

　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門(mén)DRAMeXchange的調(diào)查，今年第二季營(yíng)收在DRAM合約價(jià)格穩(wěn)定上揚(yáng)及產(chǎn)出持續(xù)增加下，全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營(yíng)收數(shù)字達(dá)107億美元(10.70 Billion USD)，較首季的93億美元(9.29 Billion USD)，成長(zhǎng)約15%。在 NAND Flash 部分，品牌廠(chǎng)商第二季整體營(yíng)收為47億7,600萬(wàn)美元，較首季43億6,300萬(wàn)美元成長(zhǎng)約9.5%。　　三星第二季營(yíng)收仍居全球DRAM廠(chǎng)之冠　　從市場(chǎng)面觀(guān)察，由于第二季 DRAM 合
關(guān)鍵字： DRAM NAND

Hynix公司宣稱(chēng)已開(kāi)始量產(chǎn)20nm制程級(jí)別64Gb存儲(chǔ)密度NAND閃存

　　南韓內(nèi)存廠(chǎng)商Hynix公司日前宣布已開(kāi)始量產(chǎn)20nm制程級(jí)別64Gb NAND閃存芯片，這款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工廠(chǎng)生產(chǎn)的。Hynix公司表示，升級(jí)為2xnm制程節(jié)點(diǎn)后，芯片的生產(chǎn)率相比3xnm制程提升了60%，芯片的成本也有所降低，智能手機(jī)，SSD 硬盤(pán)等的NAND閃存容量則將大有增長(zhǎng)。 ? 　　Hynix Cheong-ju M11工廠(chǎng) 　　Hynix公司稱(chēng)首款基于2xnm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品將于今年年底上市銷(xiāo)售。Hynix公司雖然不是I
關(guān)鍵字： Hynix NAND 20nm

U-Boot從NAND Flash啟動(dòng)的實(shí)現(xiàn)

摘要：U-Boot不能從NAND Flash啟動(dòng)給應(yīng)用帶來(lái)些不便，因此修改U-Boot使其支持從NAND Flash啟動(dòng)。分析了U-Boot啟動(dòng)流程的兩個(gè)階段及實(shí)現(xiàn)從NAND Flash啟動(dòng)的原理和思路，并根據(jù)NAND Flash的物理結(jié)構(gòu)和存儲(chǔ)特點(diǎn)，增加U-
關(guān)鍵字：實(shí)現(xiàn) 啟動(dòng) Flash NAND U-Boot

日本半導(dǎo)體企業(yè)1Q財(cái)報(bào)喜憂(yōu)參半

　　日本半導(dǎo)體廠(chǎng)2010年度第1季(4~6月)財(cái)報(bào)表現(xiàn)明暗兩極。東芝(Toshiba)、爾必達(dá)(Elpida)拜內(nèi)存事業(yè)表現(xiàn)亮眼之賜，獲利從谷底攀升;瑞薩電子(RenesasElectronics)則因系統(tǒng)芯片事業(yè)拖累，該季仍難揮別虧損陰霾。　　東芝半導(dǎo)體事業(yè)的營(yíng)業(yè)利益皆為NANDFlash所挹注。副社長(zhǎng)村岡富美雄表示，受惠于蘋(píng)果(Apple)iPhone等智能型手機(jī)需求帶動(dòng)，加上 NANDFlash均價(jià)跌幅趨緩，東芝半導(dǎo)體事業(yè)表現(xiàn)遠(yuǎn)超過(guò)預(yù)期。小幅虧損的系統(tǒng)芯片事業(yè)亦因NANDFlash的豐沛獲利得以
關(guān)鍵字：東芝 NAND

VLSI提高半導(dǎo)體預(yù)測(cè) 但CEO們?nèi)允侵?jǐn)慎的樂(lè)觀(guān)

　　VLSI提高IC預(yù)測(cè)，但是該公司看到雖然很多產(chǎn)品供不應(yīng)求，但是有一種可能DRAM市場(chǎng)再次下跌。　　同時(shí)由于經(jīng)濟(jì)大環(huán)境可能對(duì)于產(chǎn)業(yè)的影響，目前對(duì)于產(chǎn)業(yè)抱謹(jǐn)慎的樂(lè)觀(guān)，如Marvell.Silicon Image及其它公司的大部分高管都有同樣的看法。　　VLSI在它的最新看法中發(fā)現(xiàn)各種數(shù)據(jù)是交叉的，按VLSI的最新預(yù)測(cè)，2010年IC市場(chǎng)可能增長(zhǎng)30%，但是2011年僅增長(zhǎng)3.7%。而2010年半導(dǎo)體設(shè)備增長(zhǎng)96%。　　而在之前的預(yù)測(cè)中認(rèn)為2010年全球IC市場(chǎng)增長(zhǎng)28.1%，其它預(yù)測(cè)尚未改變。
關(guān)鍵字：芯片制造 NAND

分析師認(rèn)為閃存熱但是供應(yīng)鏈不配套

　　無(wú)疑2009年對(duì)于閃存市場(chǎng)是可怕之年。　　要感謝產(chǎn)業(yè)的很快復(fù)蘇，預(yù)測(cè)2010年全球閃存市場(chǎng)已經(jīng)很熱，然而按Web-Feet Research報(bào)告，其供應(yīng)鏈部分卻遭受困境。　　按Web-Feet剛公布的全球閃存的季度報(bào)告，NOR及NAND市場(chǎng)都很熱。NOR市場(chǎng)由2009年的47億美元，上升到2010年的57億美元。而NAND市場(chǎng)與2009年相比增長(zhǎng)33.4%，達(dá)215億美元。　　這是好的消息而壞消息在供應(yīng)鏈中也開(kāi)始傳了出來(lái)。　　Apple及其它OEM釆購(gòu)大量的閃存，使得市場(chǎng)中有些購(gòu)買(mǎi)者采
關(guān)鍵字：閃存 NAND NOR

蘋(píng)果砸中閃存

　　iPhone、iPad等蘋(píng)果i家族產(chǎn)品的熱銷(xiāo)，正引發(fā)連鎖反應(yīng)。　　7月28日，閃存企業(yè)SanDisk全球高級(jí)副總裁兼零售業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Shuki Nir在上海接受本報(bào)記者專(zhuān)訪(fǎng)時(shí)表示，蘋(píng)果產(chǎn)品的熱銷(xiāo)消耗了整個(gè)閃存芯片市場(chǎng)不少庫(kù)存，目前行業(yè)正處于供不應(yīng)求的局面。　　受此拉動(dòng)，閃存芯片巨頭們普遍迎來(lái)了一個(gè)靚麗的財(cái)季。　　近期陸續(xù)出爐的最新一季財(cái)報(bào)顯示，在iPhone以及iPad的拉動(dòng)下，閃存芯片近期需求及價(jià)格大幅上升，英特爾、三星、美光、海力士、東芝、SanDisk等閃存芯片主要提供商在當(dāng)季的銷(xiāo)售
關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片 iPhone

三星電子第二季度凈利潤(rùn)36億美元同比增83%

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子周五發(fā)布了該公司2010年第二季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，受芯片業(yè)務(wù)大幅增長(zhǎng)的推動(dòng)，公司第二季度凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)83%。　　在截至6月30日的第二季度，三星電子凈利潤(rùn)為4.28萬(wàn)億韓元(約合36億美元)。這一業(yè)績(jī)好于上年同期，2009年第二季度，三星電子的凈利潤(rùn)為2.33萬(wàn)億韓元。三星電子第二季度運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)為5萬(wàn)億韓元(約合41億美元)，創(chuàng)公司季度運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)歷史新高，同比增長(zhǎng)87.5%。三星電子第二季度營(yíng)收為37.9萬(wàn)億韓元，較去年同期增長(zhǎng)17%。三星電子本月初發(fā)布的初步財(cái)報(bào)顯示，公司第
關(guān)鍵字：三星電子 NAND 閃存芯片

EUV要加大投資強(qiáng)度

　　未來(lái)半導(dǎo)體制造將越來(lái)越困難已是不爭(zhēng)的事實(shí)。巴克萊的C J Muse認(rèn)為如DRAM制造商正處于關(guān)鍵的成品率挑戰(zhàn)階段，在4x，3x節(jié)點(diǎn)時(shí)發(fā)現(xiàn)了許多問(wèn)題。目前盡管EUV光刻己經(jīng)基本就緒(或者還沒(méi)有)，是黃金時(shí)刻，然后在芯片制造中其它的工藝技術(shù)的挑戰(zhàn)也有很多，如兩次圖形曝光(在NAND，DRAM及l(fā)ogic中)，高k金屬柵等。由此，在未來(lái)的2011-2012年，甚至更長(zhǎng)一段時(shí)期內(nèi)必須要加大投資強(qiáng)度。(Citigroup的Tim Arcuri建議要有五年時(shí)間，它是在牛/熊市小組座談會(huì)上發(fā)表此看法) 。另一位會(huì)議
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體制造 DRAM NAND

三星明年將量產(chǎn)次世代NAND Flash

　　三星電子(Samsung Electronics)宣布，2011年將開(kāi)始量產(chǎn)較既有快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年開(kāi)始量產(chǎn)后，采用該產(chǎn)品的智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)中所儲(chǔ)存的影片、照片、音樂(lè)等再生速度將更上一層樓。　　三星近期已完成可支持400Mbps資料處理速度的Toggle DDR2.0規(guī)格NAND Flash開(kāi)發(fā)作業(yè)，并計(jì)劃于2011年投入量產(chǎn)。三星計(jì)劃20奈米制程以下的NAND Flash產(chǎn)品將
關(guān)鍵字：三星電子 NAND

三星與東芝聯(lián)合加快NAND Flash速度

　　三星和東芝公司已經(jīng)宣布了一個(gè)合作計(jì)劃，旨在制定新規(guī)范推動(dòng)NAND快閃記憶體的傳輸速率，具體來(lái)說(shuō)，兩家公司致力于發(fā)展DDR 2.0 NAND型快閃記憶體和400MB/s的接口技術(shù)，這比目前版本的NAND閃存接口技術(shù)快了十倍，這項(xiàng)技術(shù)將于英特爾、鎂光和SanDisk共同開(kāi)發(fā)的ONFI接口進(jìn)行直接競(jìng)爭(zhēng)，主要面向高性能產(chǎn)品例如SSD以及智能手機(jī)和消費(fèi)電子產(chǎn)品。　　三星和東芝公司目前供應(yīng)NAND快閃記憶體市場(chǎng)70%的貨源，因此它們?cè)谛袠I(yè)內(nèi)具有相當(dāng)大的話(huà)語(yǔ)權(quán)，這對(duì)他們的新規(guī)范計(jì)劃將非常有利。　　三星上個(gè)月
關(guān)鍵字：三星 NAND 30nm