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基于magnum 2 測試系統(tǒng)的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的測試技術(shù)研究
- 摘要：NAND FLASH在電子行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛的應用，然而在生產(chǎn)過程中出現(xiàn)壞塊和在使用過程中會出現(xiàn)壞塊增長的情況，針對這種情況，本文介紹了一種基于magnum II 測試機的速測試的方法，實驗結(jié)果表明，此方法能夠有效提高FLASH的全空間測試效率。另外，針對NAND FLASH的關(guān)鍵時序參數(shù)，如tREA(讀信號低電平到數(shù)據(jù)輸出時間)和tBERS(塊擦除時間)等，使用測試系統(tǒng)為器件施加適當?shù)目刂萍?，完成NAND FLASH的時序配合，從而達到器件性
- 關(guān)鍵字： NAND magnum
Nand Flash編程應用難點淺析
- Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤等?！ ?989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經(jīng)過十幾年的發(fā)展，NAND應用越來越廣泛，但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應用的一些難點：分區(qū)、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
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群聯(lián)潘健成：未來五年 NAND供不應求
- 內(nèi)存股王群聯(lián)電子昨(27)日舉行股東臨時會補選一席董事，由日商東芝內(nèi)存株式會社(TMC)當選。在市場供需方面，群聯(lián)董事長潘健成樂觀表示，未來五年，儲存型閃存(NANDFlash)將持續(xù)供不應求。 臺灣東芝先進半導體因集團組織調(diào)整，今年8月1日辭去群聯(lián)董事，群聯(lián)昨日召開股東臨時會補選，并順利由東芝內(nèi)存株式會社當選。 潘健成表示，東芝內(nèi)存主導負責東芝的全球半導體事業(yè)，東芝已將群聯(lián)股權(quán)移轉(zhuǎn)給東芝內(nèi)存;而群聯(lián)與東芝間不僅相互投資，也透過合作互補，強化技術(shù)，雙方關(guān)系將比過去15年更加緊密，在產(chǎn)業(yè)的競
- 關(guān)鍵字： NAND
2018年NAND Flash供給年增42.9%，全年度供需由緊俏轉(zhuǎn)為平衡
- 根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，2017年NAND Flash產(chǎn)業(yè)需求受到智能手機搭載容量與服務器需求的帶動，加上供給面受到制程轉(zhuǎn)進進度不如預期的影響下，供不應求的狀況自2016年第三季起已持續(xù)六個季度;展望2018年，NAND Flash供給將增加42.9%，需求端將成長37.7%，明年整體供需狀況將轉(zhuǎn)為供需平衡。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，從NAND Flash的供給面來看，因為NAND制程從2D轉(zhuǎn)進3D不如預期，導致2017年非三星陣營的新
- 關(guān)鍵字： NAND 西數(shù)
2017年全球存儲市場規(guī)模將達950億美元
- 日前，由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦的、以“中國存儲 全球格局”為主題的中國閃存市場峰會在深圳圓滿落幕。本次峰會齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、漢德資本、海康存儲等企業(yè)重量級嘉賓，一起探討存儲產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展和企業(yè)市場發(fā)展機會。峰會吸引全球近700家企業(yè)參會，其中包括東芝、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長江存儲、華為、聯(lián)想、中興、網(wǎng)易、騰訊、阿里巴巴等企業(yè)參會，涵蓋領(lǐng)域包括存儲企業(yè)、手機、電腦、汽車、工業(yè)、大數(shù)據(jù)應用等，參會觀眾超
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東芝宣布出售予美日聯(lián)盟，加速提升3D NAND產(chǎn)能追趕三星
- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，東芝公司已正式在9月20日決定將旗下半導體事業(yè)以2兆日圓出售給由美國私募股權(quán)業(yè)者貝恩資本(Bain Capital)代表的美日聯(lián)盟，，由于此出售案較預期延宕，對于NAND Flash市場的產(chǎn)能影響，預期要到明年上半年才會趨于明顯;中長期而言，在資金到位的情況下，將有助東芝在3D-NAND產(chǎn)能與技術(shù)上力拼三星。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，此次出售案的收購對象日美韓聯(lián)盟成員中包括日本政府支持的產(chǎn)業(yè)革新機構(gòu)(INCJ)財團、
- 關(guān)鍵字： 3D NAND 東芝
CFM：原廠加碼投資擴產(chǎn)64層3D NAND，然部分市場仍缺貨到年底
- 9月6日，由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦以“中國存儲?全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(China Flash Market Summit 2017)在深圳華僑城洲際酒店圓滿落幕。本次峰會除了齊聚國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)鏈重要企業(yè)嘉賓演講，其中包括三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本等業(yè)界知名企業(yè)領(lǐng)導?！ ‘斕煳蚪?00家企業(yè)參會，其中包括西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長江存儲、金士頓、華為、聯(lián)想、中興、百度、阿里巴巴等企業(yè)參會，涵蓋領(lǐng)域包括存儲企業(yè)、手機、電腦、
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存
狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能 三星3D NAND、DRAM、7納米制程大擴產(chǎn)
- 2017年三星電子(SamsungElectronics)同步啟動DRAM、3DNAND及晶圓代工擴產(chǎn)計劃，預計資本支出上看150億~220億美元，遠超過臺積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規(guī)模，三星為確保新產(chǎn)能如期開出，近期傳出已與多家硅晶圓供應商洽談簽長約，狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能，并傳出環(huán)球晶已通知客戶自2018年起硅晶圓供應量將減少30%，主要便是為支持三星產(chǎn)能需求做準備。 三星為因應DRAM和3DNAND市場強勁需求，加上在邏輯事業(yè)全力投入7納米制程，企圖與臺積電一較長短，搶
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
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