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	3d nand
            

            
	
            
    	
            
    	  	
            
              	
                                
            
                  

                                
            
                    
            南北韓戰(zhàn)事升溫　三星命懸一線
            
                                                            
              
                    	
            • 　　才剛對全球半導體產(chǎn)業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(Samsung Electronics)，再度因南北韓政治對立情勢升溫，戰(zhàn)事恐一觸即發(fā)，而成為科技產(chǎn)業(yè)關心的焦點。業(yè)界聚焦重點放在DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)，三星在此兩大產(chǎn)業(yè)中，DRAM市占率分別超過30%，NAND Flash市占率逼近40%，未來南北韓關系若持續(xù)緊繃，甚至有戰(zhàn)事發(fā)生，將使得全球個人計算機(PC)和消費性電子產(chǎn)品供應鏈造成巨大變化。
　　全球DRAM和NAND Flash生產(chǎn)大廠：三星
　　根據(jù)DIGITIMES 
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            • 關鍵字：
                        三星電子  DRAM  NAND                          
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            三星的行動讓業(yè)界生畏
            
                                                            
              
                    	
            • 　　三星在DRAM及NAND中稱霸，年產(chǎn)值達200億美元。然而近期的幾件事讓人聯(lián)想泛泛，三星擬再奪全球代工的寶座。
　　南韓半導體大廠三星電子(Samsung Electronics)日前提高資本支出，其中在系統(tǒng)LSI(System LSI)部門，資本支出亦增加逾50%，達2兆韓元(約18億美元)，以滿足手機等系統(tǒng)單芯片(SoC)需求，顯示三星有意加強晶圓代工業(yè)務。業(yè)界對此解讀，三星主要系著眼于最大客戶高通(Qualcomm)手機芯片訂單，未來是否會擴大分食高通在臺積電訂單，高通訂單版圖移轉變化有待觀察
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            • 關鍵字：
                        三星  DRAM  NAND                          
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            迎戰(zhàn)三星 臺塑集團準備好了
            
                                                            
              
                    	
            • 　　南韓三星電子大張旗鼓擴充DRAM產(chǎn)能，引發(fā)各方關注。臺塑集團總裁王文淵日前于內部會議表示，原先預期三星明年下半年啟動擴產(chǎn)，其進度比預期快得多，惟集團與美光合作的30納米制程已完成開發(fā)，今年將切入50、42納米制程，技術超越臺系廠商;對照先前65納米，生產(chǎn)成本優(yōu)勢將提升約40%至50%，臺塑集團已積極審慎應戰(zhàn)。
　　三星大張旗鼓擴充DRAM、NAND產(chǎn)能，由于比原先預期將在明年下半年啟動快的多，也使臺灣廠商將被迫提前面臨新產(chǎn)業(yè)淘汰賽，但也突顯三星對DRAM后續(xù)產(chǎn)業(yè)前景，有偏多的立場。
　　南亞科董事
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            • 關鍵字：
                        三星電子  DRAM  NAND  50納米                          
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            NAND閃存銷售Q1微增 三星東芝主宰市場
            
                                                            
              
                    	
            • 　　據(jù)市場研究公司iSuppli發(fā)表的按美元統(tǒng)計的第一季度全球NAND閃存市場的銷售收入數(shù)字顯示，三星和東芝主宰了NAND閃存市場，僅給其它所有的公司留下了較少的市場份額。三星今年第一季度的市場份額是38.5%，緊隨其后的東芝的市場份額是33.8%。其它每一個廠商爭奪的市場份額只有27.7%。
　　按美元統(tǒng)計，今年第一季度全球NAND閃存市場的銷售收入是43.6億美元，比 2009年第四季度的43.3億美元增長了0.6%。因此，你可以計算出供應商的實際銷售收入。iSuppli稱，這是一個好消息，因為歷史
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            • 關鍵字：
                        Numonyx  NAND  閃存                          
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            Intel鎂光宣布開始量產(chǎn)銷售25nm制程NAND閃存芯片
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　繼今年二月份宣布成功試制出25nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品之后，Intel與鎂光的合資公司IMFT( Intel-Micron Flash Technologies)近日宣布開始正式對外銷售量產(chǎn)的25nm制程NAND閃存芯片，這種新制程的芯片產(chǎn)品容量將比34nm制程產(chǎn)品提升一倍。

　　這次采用25nm制程技術制作的NAND閃存芯片產(chǎn)品主要是8GB容量的芯片產(chǎn)品，這種8GB芯片的面積僅為167平方毫米，其容量可容納2000首歌曲，7000張照片或8小時時長的視頻片段。
　　目前還不清楚首款配置這
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            • 關鍵字：
                        Intel  25nm  NAND                          
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            今年 Q1 NAND閃存市調報告出爐 三星東芝占據(jù)大半江山
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　據(jù)iSuppli市調公司2010年第一季度的NAND閃存市場調查報告顯示，三星與東芝公司兩家占據(jù)了NAND閃存市場的絕大部分份額，其中三星的營收 份額最高，達到了38.5%，東芝則位居第二為33.8%，兩者合在一起占據(jù)了72.3%的NAND閃存市場營收份額。按美元計算，今年第一季度NAND 閃存的市場總值達到43.6億美元，比去年第四季度NAND閃存市場總值43.3億美元提升了0.6%。由于季節(jié)性因素的影響，每年的第一季度閃存市場一 般都會比上一年最后一季度有所萎縮，而今年則反其道而行，iSuppli
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            • 關鍵字：
                        三星  NAND  閃存                          
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            Intel 開始出貨25nm 8GB 閃存芯片
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　英特爾今天開始出貨25納米NAND閃存，容量為8GB，新款芯片外型上比原有的34nm版本更小，但存儲能力卻增加了一倍，這種芯片主要面向智能手機和多媒體播放器。
　　同時英特爾還暗示600GB的固態(tài)硬盤產(chǎn)品將在今年年末出現(xiàn)，使用的應該也就是這款閃存芯片。
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            • 關鍵字：
                        英特爾  25納米  NAND                          
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            三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關
            
                                                            
              
                    	
            • 　　2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據(jù)集邦統(tǒng)計，三星的市占率高達39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長率較上季增加15%，但平均單價(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規(guī)模約43.63億美元，較上季39.1億元成長11.6%。
　　NAND Flash產(chǎn)業(yè)2009年率先落底反彈，但2010年表現(xiàn)空間不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile 
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            • 關鍵字：
                        Samsung  NAND  DRAM                          
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            美光12億美元并恒憶 坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術
            
                                                            
              
                    	
            • 　　美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導體、私募股權基金Francisco Partners)。
　　完成收購恒憶后美光成為同時擁有DRAM、NAND以及NOR技術的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營收約5.50億美元，自由現(xiàn)金流量達4,200萬美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
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            • 關鍵字：
                        美光  DRAM  NAND  NOR                          
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            傳英特爾今年發(fā)布600GB 25nm SSD
            
                                                            
              
                    	
            • 　　Fudzilla消息，英特爾今年將有SSD方面的大計劃，預計在今年第四季度，公司將展示一款160GB-600GB的大容量高速SSD產(chǎn)品。
　　這種SSD基于25nm MLC NAND Flash打造，取代之前的34nm MLC技術，容量包括160、300和600GB，屬于第二代X25-M產(chǎn)品序列，包含1.8和2.5英寸版本。
　　其中1.8英寸版本最大容量300GB，將成為供應家庭娛樂和消費電子的主推產(chǎn)品。
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            • 關鍵字：
                        英特爾  SSD  NAND                          
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            海力士：一季度DRAM芯片平均售價季漲3%
            
                                                            
              
                    	
            • 　　以收入計全球第二大電腦記憶芯片制造商海力士半導體公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)平均售價季比上升3%，09年四季度漲幅為26%。
　　然而，海力士半導體公司在一份聲明中稱，一季度NAND快閃記憶芯片售價季比下降8%，09年四季度降幅為5%。
　　該公司補充道，一季度DRAM芯片發(fā)貨量季比上升6%，NAND芯片發(fā)貨量季比持平。
　　海力士半導體公布，該公司一季度營業(yè)利潤率為28%，09年四季度該公司營業(yè)利潤率為25%。
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            • 關鍵字：
                        海力士  NAND  DRAM                          
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            抓緊景氣回升 IM Flash新加坡廠提前運作 
            
                                                            
              
                    	
            • 　　英特爾(Intel)和美系記憶體大廠美光(Micron)所成立的合資企業(yè)IM Flash，為了趕上半導體業(yè)2010年牛氣沖天的景氣，決定讓新加坡廠重啟營運。
　　2005年英特爾和美光因看好NAND Flash市場，遂于2006年初合資成立IM Flash，由英特爾出錢出力，美光則提供技術，由IM Flash專門為這2家公司生產(chǎn)NAND Flash。但在半導體景氣循環(huán)來到低點，再加上金融海嘯的沖擊下，IM Flash受到嚴重沖擊，在2008年IM Flash裁員800人，花費35億美元打造，本應于2
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            • 關鍵字：
                        三星電子  NAND  Flash                          
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            三星電子全球率先批量生產(chǎn)20納米制程NAND閃存
            
                                                            
              
                    	
            • 　　據(jù)外電報道，三星電子表示，該公司從上周末開始批量生產(chǎn)20納米制程32GB多層單元(MLC)NAND閃存。
　　20納米制程32GB多層單元NAND閃存的生產(chǎn)性，比30納米制程高50%左右。三星電子在全球半導體行業(yè)率先投入到了量產(chǎn)。
　　三星電子相關負責人表示，公司同時開發(fā)20納米制程32GB多層單元專用controller，確保了與30納米級NAND閃存相同的穩(wěn)定性。
　　三星電子的20納米制程NAND閃存將先用于手機存儲卡SD卡。
　　此外，今年2月公布開發(fā)20納米制程64GB NAND閃存
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            • 關鍵字：
                        三星電子  20納米  NAND                          
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            Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實現(xiàn)
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已逐步取代其它半導體存儲元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
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            • 關鍵字：
                        系統(tǒng)  實現(xiàn)  DSP  管理  Flash  存儲  Nand                          
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            三星第一季營業(yè)利潤38億美元同比猛增7倍
            
                                                            
              
                    	
            • 　　據(jù)國外媒體報道，三星電子今天發(fā)布的財報顯示，受益于PC需求增加以及電視價格上漲，該公司第一季度營業(yè)利潤同比猛增7倍。
　　利潤增長
　　三星的初步財報顯示，該公司第一季度營業(yè)利潤約為4.3萬億韓元(約合38億美元)，上下浮動區(qū)間為2000億韓元，去年同期調整后營業(yè)利潤僅為 5900億韓元。根據(jù)彭博社的調查，15名分析師此前對三星營業(yè)利潤的中位數(shù)預期為4.27萬億韓元。
　　外界預計，受到存儲芯片以及平板顯示器價格上漲的刺激，三星第一季度將創(chuàng)下今年最好業(yè)績。受此影響，三星股價周一創(chuàng)下歷史新高。分析
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            • 關鍵字：
                        三星電子  NAND  存儲芯片                          
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