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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d nand

            春節(jié)不停工,武漢國家存儲器基地要在今年實現(xiàn)3D NAND量產(chǎn)?

            •   打造萬億級產(chǎn)業(yè)集群,推動武漢經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展。春節(jié)闔家團圓之時,仍有大量建設(shè)者、生產(chǎn)者堅守崗位,為城市發(fā)展貢獻“加速度”。過年期間,分布在譽為“黃金大道”的8公里左嶺大道上的多個重大產(chǎn)業(yè)項目上,有超過2000多人堅守崗位過大年,光谷“芯片—顯示—智能終端”萬億級產(chǎn)業(yè)集群正在“加速度”中加快鍛造。   在國家存儲器基地,有600多人在建設(shè)工地上忙碌。據(jù)了解,目前,他們正在進行廠內(nèi)潔凈室
            • 關(guān)鍵字: 存儲器  NAND  

            空氣產(chǎn)品公司將為三星電子西安第二座3D V-NAND芯片廠供氣

            •   全球領(lǐng)先的工業(yè)氣體供應(yīng)商——空氣產(chǎn)品公司 (Air Products,紐約證券交易所代碼:APD) 今天宣布將為三星電子位于西安市的第二座半導(dǎo)體工廠供應(yīng)工業(yè)氣體?! ∥挥谖靼哺咝录夹g(shù)開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項目之一,也是中國最先進的半導(dǎo)體工廠之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式NAND存儲、固態(tài)硬盤、移動設(shè)備和其它消費電子產(chǎn)品?! 】諝猱a(chǎn)品公司西安工廠自2014年起開始服務(wù)于這一項目,目前運作兩座大型空氣分離裝置、一座氫氣生產(chǎn)裝
            • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  

            買個32G內(nèi)存的手機為啥只有20幾個G?看完你就懂了

            •   現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì),就是各類移動終端及手機的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區(qū)別,存儲芯片的實際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢?  我們總是在說手機內(nèi)存,那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機興起后,為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的,是NAND Flash的升級版,他的結(jié)構(gòu)如下:        我們接觸到的16G、32G等手機,為何實際
            • 關(guān)鍵字: eMMC  NAND   

            旺宏2017NOR市占達30%,稱霸全球

            •   旺宏昨日召開財報會表示,2017年在NOR型快閃存儲器的市占率約30%,為全球霸主。另外,小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營收60%,旺宏并預(yù)計NOR型快閃存儲器2018年成長動力將來自于數(shù)據(jù)中心、電信與車用產(chǎn)品等。NOR型快閃存儲器占上季旺宏營收48%為最大產(chǎn)品線。   旺宏電子總經(jīng)理盧志遠表示,預(yù)期今年高品質(zhì)的NOR型快閃存儲器價格仍穩(wěn)定微揚,旺宏不做低階產(chǎn)品,也仍看好SLC NAND市況,因此對今年營運看法樂觀。   就短期來看,盧志遠表示,本季整體需求預(yù)估會比去年第四季緩和;雖
            • 關(guān)鍵字: NOR  NAND  

            3D NAND-microSD 卡為視頻監(jiān)控帶來重大突破

            •   由于人們對周遭環(huán)境(住宅、建筑、工廠、企業(yè)或基礎(chǔ)設(shè)施的內(nèi)外環(huán)境)的視覺感知需求不斷增長,全球范圍的視頻監(jiān)控市場都在飛速發(fā)展。然而,所部署系統(tǒng)的數(shù)量和部署位置更多地受限于視頻攝像頭供應(yīng)方的經(jīng)濟狀況,以及用于部署、管理和監(jiān)控這些系統(tǒng)的基礎(chǔ)設(shè)施的復(fù)雜性?! ?nbsp;     上一次視頻監(jiān)控行業(yè)的重大突破得益于圖像傳感器和數(shù)字化技術(shù)的一些重大改進,以及互聯(lián)網(wǎng)協(xié)議(IP) 網(wǎng)絡(luò)的廣泛應(yīng)用。當(dāng)下,一些強大的新技術(shù)趨勢——例如使用諸如美光科技提供的基于 3D 
            • 關(guān)鍵字: NAND  microSD  

            2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情

            • 大廠3D NAND良率大躍進,供給過剩問題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆,至少2018年上半年恐怕都不會太理想。
            • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND   

            美光科技推出業(yè)界首款基于領(lǐng)先的64層3D NAND技術(shù)構(gòu)建的企業(yè)級SATA固態(tài)硬盤

            •   美光科技有限公司今日推出 Micron® 5200 系列 SATA 固態(tài)硬盤 (SSD),該產(chǎn)品可提供業(yè)界領(lǐng)先的性能、一致性、容量、可靠性和整體基礎(chǔ)設(shè)施價值。美光 5200 系列固態(tài)硬盤基于美光科技業(yè)界領(lǐng)先的全新 64 層 3D NAND 技術(shù)構(gòu)建,對于OLTP、BI/DSS、VDI、塊/對象和媒體流等在硬盤上無法一展身手的業(yè)務(wù)關(guān)鍵型虛擬化工作負載,可為其提供經(jīng)濟實惠的 SATA 平臺。   利用廣受好評的 5100 SATA 固態(tài)硬盤的成熟架構(gòu)和業(yè)界領(lǐng)先的性能及容量,美光 5200 系列提
            • 關(guān)鍵字: 美光科技  NAND   

            2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情

            •   2017年,整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)不論DRAM或NAND Flash,都度過了一個黃金好年,那么2018年可否持續(xù)榮景呢? 綜合目前業(yè)界的看法,DRAM熱度可望延續(xù),供不應(yīng)求態(tài)勢依舊,但NAND部分,恐怕就不會那么樂觀了,由于大廠3D NAND良率大躍進,供給過剩問題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆,至少2018年上半年恐怕都不會太理想, 最快2018年第二季供需平衡,第三季再度供給吃緊,屆時產(chǎn)業(yè)由悲轉(zhuǎn)喜。   DRAM無新增產(chǎn)能   首先就DRAM部分,以大方向來說,2018年在Fab端并無新增產(chǎn)能,頂多就
            • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND   

            Linux驅(qū)動之Nand Flash四問,原理、工作方式都包含了

            •   Nand Flash 是一個存儲芯片?! ∧敲矗哼@樣的操作很理“讀地址A的數(shù)據(jù),把數(shù)據(jù)B寫到地址A”  問1:原理圖上的Nand Flash和SC2440之間只有數(shù)據(jù)線,怎么傳輸?shù)刂?  答:在Data0-Data7上既傳輸數(shù)據(jù),又傳輸?shù)刂?,?dāng)ALE為高電平時傳輸?shù)氖堑刂贰 ?:從Nand Flash芯片手冊可知,要操作Nand Flash需要先發(fā)出命令,怎么傳入命令?! 〈穑涸贒ata0-Data7既傳輸數(shù)據(jù),又傳輸?shù)刂?,也傳輸命令  ?dāng)ALE為高
            • 關(guān)鍵字: Linux  Nand   

            3D NAND存儲助力智能手機應(yīng)用進入新時代

            •   前言  全球的智能手機用戶一直在不斷尋求更好的移動體驗。他們不僅下載比以往任何時候都更多的應(yīng)用,而且還使用更為復(fù)雜的應(yīng)用來支持攝影、4K Ultra視頻的播放和錄制、電影流式播放、導(dǎo)航、圖像采集以及虛擬現(xiàn)實(VR)/增強現(xiàn)實(AR)等方面更大的技術(shù)進步?! ≡谀承┑貐^(qū),智能手機是唯一與外界聯(lián)系的設(shè)備,因此用戶對它們的依賴程度非常高,已經(jīng)習(xí)慣于讓手機不間斷地運行并管理他們的日常生活。中國擁有全球最大智能手機用戶群,這些用戶經(jīng)常使用高級在線支付服務(wù)(如Alipay(支付寶)和Tenpay(財付通
            • 關(guān)鍵字: NAND  存儲  

            美光科技和英特爾發(fā)布NAND存儲聯(lián)合開發(fā)計劃的最新動態(tài)

            •   美光科技和英特爾今日發(fā)布了雙方 NAND 存儲聯(lián)合開發(fā)計劃的最新動態(tài)。這段成功的合作關(guān)系已幫助兩家公司開發(fā)出行業(yè)領(lǐng)先的 NAND 技術(shù)并順利推向市場。  此次發(fā)布內(nèi)容包括兩家公司商定將各自獨立開發(fā)新世代 3D NAND 技術(shù)。雙方同意共同完成第三代 3D NAND 技術(shù)的開發(fā),該技術(shù)將在 2018 年末交付,并持續(xù)到 2019 年初。在此技術(shù)節(jié)點之后,兩家公司將獨
            • 關(guān)鍵字: 美光科技  NAND   

            存儲器大廠3D NAND良率升 NAND Flash恐過剩

            • 三星、東芝等存儲器大廠已擬定3D NAND擴產(chǎn)計畫,新產(chǎn)能將在2019年后開出,屆時NAND Flash市場將供過于求。
            • 關(guān)鍵字: 存儲器  NAND  

            ARM平臺數(shù)據(jù)為何會莫名其妙丟失

            •   Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器,為固態(tài)大容量存儲的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大,改寫速度快等優(yōu)點,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而越來越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域?! ?nbsp;    圖1 Nand-Flash與eMMC芯片  1.1存儲器件使用壽命  使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象,是一個讓無數(shù)工程師毛骨悚然的
            • 關(guān)鍵字: Nand-Flash  eMMC  

            東芝宣布興建第7座NAND Flash工廠

            •   2017 年是 NAND Flash 閃存廠商豐收的一年,零售價格的暴漲帶動了廠商的營收,同時還對獲利有了巨大貢獻。 所以,當(dāng)前全球的 4 大 NAND Flash 廠商,包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來進行新一波的投資。 而根據(jù)外電的報導(dǎo),東芝就最新宣布,將拿出 70 億日圓的金額,準(zhǔn)備興建第 7 座閃存工廠(Fab7),地點就在日本的四日市(Yokkaichi)。   事實上,目前東芝的第 6 座工廠(Fab 6)正在建設(shè)當(dāng)中,預(yù)計將于 2018 年第 4 季完工
            • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

            明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

            • DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài),產(chǎn)品價格同步高漲,而明年上半年將轉(zhuǎn)為供過于求。
            • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  
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            3d nand介紹

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