3d nand 文章進入3d nand技術(shù)社區(qū)

iSuppli調(diào)低08年半導體預期

　　市場研究機構(gòu)iSuppli以全球經(jīng)濟不景氣為由，調(diào)低了2008年全球半導體市場銷售收入預期，不過對于整個市場形勢仍持樂觀態(tài)度。　　據(jù)國外媒體報道，iSuppli的最新預期顯示，2008年全球半導體銷售收入將增至2914億美元，較2007年2709億美元(評估數(shù)據(jù))增長7.5%，而iSuppli今年9月份預測的增幅為9.3%，預期增幅減少了1.8個百分點。　　iSuppli表示，2008年半導體市場將受到了能源成本上升的不利影響，美國經(jīng)濟2008年的預期并不樂觀，而美國經(jīng)濟的影響力自然會波及全球
關(guān)鍵字：半導體芯片 NAND 半導體材料

東芝推出首個對應(yīng)多值技術(shù)的大容量NAND閃存

　　東芝今天宣布即將推出搭載世界上首個對應(yīng)多值技術(shù)的大容量NAND閃存(多值NAND)的行業(yè)內(nèi)最大級別128Gb的SSD(Solid State Drive：固態(tài)硬盤)產(chǎn)品，主要用于計算機。計劃2008年第一季度出貨，并同時開始量產(chǎn)。在此之前，東芝將于明年1月7日-10日在美國拉斯維加斯召開的世界最大規(guī)模的家電展中亮相該新產(chǎn)品。　　目前的SSD，采用高速雙值NAND閃存，和HDD相比，高速、體積輕，但也存在容量小、成本高的問題，目前還沒有真正普及。因此，搭載可以提高每個器件容量的普及型多值NAND的S
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機東芝 NAND 閃存

DRAM市場基礎(chǔ)繼續(xù)惡化預計08年資本開支下滑超過30%

　　Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示，“根據(jù)三星日前的報告，我們分析2008年上半年DRAM內(nèi)存市場基礎(chǔ)繼續(xù)惡化，大多數(shù)DRAM供應(yīng)商，尤其韓國之外的廠商2008年資本開支出現(xiàn)大幅削減?！? 　　預計2008年，DRAM領(lǐng)域的資本開支將下滑超過30%，原來預計下降20%。這將導致總體內(nèi)存資本開支減少10-12%。　　在DRAM市場經(jīng)歷了漫長的低迷之后，該市場仍然存在嚴重的供過于求情況?！斑@主要由于按容量計
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 DRAM 三星 NAND EDA IC設(shè)計

各類器件增長強勁出貨量增長率預測調(diào)高

　　據(jù)市場調(diào)研公司ICInsights，2007年IC單位出貨量有望增長10%。該公司先前的預測是增長8%。　　ICInsights將調(diào)高增長率預測歸因于以下器件的出貨量強勁增長：DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換IC(上升58%)和汽車相關(guān)的模擬IC(上升32%)。　　ICInsights表示，如果2007年IC單位出貨量增長率達到10%或者更高水平，將是連續(xù)第六年以兩位數(shù)的速度增長，創(chuàng)下前所未有的強勁增長紀錄。　　ICInsights認為，
關(guān)鍵字： NAND 閃存 IC 元件制造

內(nèi)存芯片廠商提出新設(shè)計欲破摩爾定律

　　很多廠商都設(shè)計出了未來的閃存技術(shù)，但誰能夠首先推出產(chǎn)品呢? 　　Spansion表示，其MirrorBit和Ornand閃存芯片的基礎(chǔ)是電荷捕獲技術(shù)，這一技術(shù)為閃存產(chǎn)業(yè)繼續(xù)縮小芯片尺寸、提高閃存芯片性能提供了一條途徑。　　Spansion CEO伯特蘭向CNET News.com表示，Spansion已經(jīng)生產(chǎn)出了采用電荷捕獲技術(shù)的閃存芯片。Spansion已經(jīng)啟動了一項營銷活動，希望向其它制造商許可一些技術(shù)。　　伯特蘭說，三星、東芝、Hynix公開表示對電荷捕獲技術(shù)有很大的興趣。我們擁有這一
關(guān)鍵字：閃存芯片 NAND 存儲器

第三季度NAND閃存銷售額增長37%，達42億美元

　　市場調(diào)研公司iSuppli日前在聲明中表示，第三季度NAND閃存半導體全球銷售額增長37%，達到42億美元。但iSuppli指出，在包括蘋果iPod在內(nèi)的消費電子產(chǎn)品需求刺激下的連續(xù)增長勢頭，本季度可能結(jié)束。由于產(chǎn)量增長速度快于需求，本季度NAND的平均銷售價格將下降18%。　　韓國海力士半導體第三季度增長最快，其NAND銷售額比第二季度大增79%，達到8.06億美元。它的市場份額是19%，在當季全球排名第三。最大的NAND閃存供應(yīng)商三星電子，市場份額從第二季度的45%降至40%，它出貨的閃存數(shù)量
關(guān)鍵字： NAND 閃存 DRAM 存儲器

閃存成本下滑固態(tài)硬盤價格將下降筆記本很有優(yōu)勢

　　固態(tài)硬盤明年仍然少見且價格昂貴，但隨著其量產(chǎn)，閃存成本的下滑，固態(tài)硬盤價格從2009年，2010年開始將開始下降。　　DRAM與閃存產(chǎn)品制造商Micron Technology本周公布了固態(tài)硬盤發(fā)展計劃。這種硬盤功能與常規(guī)硬盤無異，但與一般硬盤將數(shù)據(jù)存儲在磁碟上不同，固態(tài)硬盤將數(shù)據(jù)保存在NAND內(nèi)存芯片上，就像MP3播放器保存文件的方式一樣。　　Micron將從明年第一季度開始大規(guī)模生產(chǎn)固態(tài)硬盤。第一批產(chǎn)品為32GB或64GB型號。雖然容量是現(xiàn)在筆記本電腦硬盤平均容量的一半，但Micron內(nèi)存
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機固態(tài)硬盤閃存 NAND MCU和嵌入式微處理器

三星減少NAND閃存供貨量擬甩掉臺灣廠商

　　近期，三星和海力士(Hynix)面向臺灣的NAND閃存芯片供貨量有所下降，另一方面，英特爾和Micron的合資公司IM則推出了更具競爭力的價格并逐步搶占市場，許多分析人士認為未來閃存市場或許將會出現(xiàn)另一番局面。　　三星和海力士減少向臺灣內(nèi)存廠商的供貨量，是為了滿足蘋果這類國際大客戶的供貨需求。東芝也限制了供應(yīng)量，唯獨沒有對群聯(lián)電子(Phison Electronics)采取限制措施，這使得不少臺灣企業(yè)開始考慮降低對大廠商產(chǎn)品的依賴。　　一些臺灣內(nèi)存廠商指出，它們都不愿意繼續(xù)向三星和海力士采購，
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機三星海力士 NAND 其他IC 制程

大容量NAND Flash K9T1G08U0M在網(wǎng)絡(luò)存儲中的應(yīng)用

　　1 引言　　隨著嵌入式系統(tǒng)廣泛應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲和數(shù)據(jù)管理則成為設(shè)計人員考慮的重點。在許多現(xiàn)場不可達數(shù)據(jù)采集應(yīng)用中采用分布式數(shù)據(jù)存儲，必然帶來數(shù)據(jù)管理的不便，因此，集中管理數(shù)據(jù)成為一種思路。利用成熟的網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù)集中分布式嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù)，采用C/S模式管理數(shù)據(jù)。對于大容量數(shù)據(jù)存儲，選擇介質(zhì)存儲是需要重點考慮的問題。目前大多采用IDE硬盤或SCSI硬盤存儲，但都存在抗震和抗電磁干擾能力差、使用溫度范圍窄，無法長期在惡劣的環(huán)境中長期工作。電子式Flash存儲器具有速度快、容量大、成本低、體積
關(guān)鍵字：通訊無線網(wǎng)絡(luò) NAND Flash K9T1G08U0M MCU和嵌入式微處理器

供應(yīng)過剩 NAND及DRAM行情短期進一步惡化

　　美國iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示，由于供應(yīng)過剩與價格暴跌，DRAM及NAND閃存行情將在短期內(nèi)進一步惡化。　　NAND閃存方面，預計512M產(chǎn)品全球平均單價(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價在第二季度、第三季度均比上季度有所提高，分別為6%與8.4%。但是在第四季度，隨著價格下跌，行情出現(xiàn)惡化，短期內(nèi)很難恢復。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示，此次價格下跌的主要原因韓國內(nèi)存廠商將生產(chǎn)能力從DRAM轉(zhuǎn)移至NAND閃存，從而導
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND DRAM 閃存 MCU和嵌入式微處理器

年終旺季需求支撐，NAND FLASH合約價短期平穩(wěn)

　　11月上旬NAND Flash合約價格大致跌幅約為0-5%，比前兩個月跌幅明顯縮小，主要是因為下游客戶在10月已陸續(xù)進行降低庫存的動作，加上市場預期11月中旬要開始準備年底旺季的備貨需求，根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)觀察，NAND Flash價格走勢在11月初已經(jīng)出現(xiàn)止跌回穩(wěn)的現(xiàn)象。　　隨著NAND Flash供貨商5X納米制程產(chǎn)品供應(yīng)量提高后，下游客戶采購顆粒開始轉(zhuǎn)向以8Gb和16Gb MLC為主流，導致TSOP 4G MLC顆粒跌幅約為11%，相較于其它規(guī)格來得顯著。有鑒于9月以來
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND Flash microSD 嵌入式

FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲器上的改進設(shè)計

嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性，構(gòu)建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統(tǒng)，并闡述具體的設(shè)計思想。該系統(tǒng)改進了FAT表和FRT表的存儲方式，延長了存儲器的使用壽命，提高了穩(wěn)定性。 NAND Flash存儲器是一種數(shù)據(jù)正確性非理想的器件，容易出現(xiàn)位反轉(zhuǎn)現(xiàn)象，同時在使用中可
關(guān)鍵字： FAT NAND Flash 存儲器通信嵌入式系統(tǒng) 嵌入式無線通信

07年第三季NAND Flash廠營收逼近39億美元

　　根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)最新出爐的第三季NANDFlash營收市占率報告指出，NANDFlash品牌廠商在2007年第三季整體營收表現(xiàn)亮麗，逼近三十九億美元，比第二季增長了36.8%;整體NANDFlash位出貨量相較于第二季增長約30%;而就營收排行而言，三星(Samsung)如預期再度蟬連冠軍，東芝(Toshiba)居次，而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特爾(Intel)營收均有顯著的增長。　　　　由于第三季為傳統(tǒng)NANDFlash下游客戶的備貨旺
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND Flash 三星 MCU和嵌入式微處理器

IDC: 今年芯片銷售增速緩慢將促使08年猛增

　　IDC在最新的《全球半導體市場預測》中預測，2007年全球芯片銷售收入增長速度放慢將為2008年的大增長奠定基礎(chǔ)。　　據(jù)國外媒體報道，2007年全球芯片市場的增長速度將只有4.8%，2006年的這一數(shù)字只有8.8%。IDC預測，2008年的增長速度將達到8.1%。　　報告指出，如果產(chǎn)能增長速度在明年放緩和需求仍然保持緩慢，芯片市場的增長速度會更快。市場潮流是合并和收購，這可能會改變業(yè)界的競爭格局。　　IDC負責《全球半導體市場預測》的項目經(jīng)理戈帕爾說，今年上半年芯片市場的供過于求降低了對各
關(guān)鍵字：消費電子芯片 DRAM NAND EDA IC設(shè)計

IC單位出貨量強勁面臨廠商無利潤繁榮局面

　　最近公布的數(shù)據(jù)顯示，2007年IC單位出貨量將增長10%，略高于市場調(diào)研公司ICInsights最初預計的8%。自2002年以來，IC單位出貨量一直保持兩位數(shù)的年增長率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(58%)、和汽車相關(guān)的模擬IC(32%)出貨量強勁增長，正在推動總體產(chǎn)業(yè)需求，并使IC出貨量保持在高位。　　1980年以來，IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實現(xiàn)連續(xù)三年保持兩位數(shù)增長率，分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后，IC的單位出貨量增長速
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 IC DRAM NAND 模擬IC