3dic 文章 進(jìn)入3dic技術(shù)社區(qū)
2025開年前瞻：技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域的關(guān)注要點(diǎn)與未來走向
- 進(jìn)入新的一年，技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域?qū)殡S著AI/ML、HI/3DIC?生態(tài)系統(tǒng)、光子學(xué)乃至量子計算等重要發(fā)展勢頭持續(xù)向前演進(jìn)。這些重要趨勢有望激發(fā)真正的創(chuàng)新并塑造未來。在此篇文章中，是德科技EDA高級設(shè)計與驗(yàn)證業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Nilesh Kamdar?重點(diǎn)探討了上述關(guān)鍵的技術(shù)研發(fā)趨勢，以及這些趨勢在驅(qū)動行業(yè)取得突破與在全球范圍內(nèi)推動創(chuàng)新等方面的潛力。廣泛采用AI/ML提高生產(chǎn)力企業(yè)和個人對人工智能（AI）和機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）解決方案的認(rèn)知將從感到好奇和有趣轉(zhuǎn)變?yōu)橄嘈臕I是必然趨勢。人工智能的廣泛應(yīng)用
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新思科技面向臺積公司先進(jìn)工藝加速下一代芯片創(chuàng)新
- 摘要：●? ?由Synopsys.ai? EDA套件賦能可投產(chǎn)的數(shù)字和模擬設(shè)計流程能夠針對臺積公司N3/N3P和N2工藝，助力實(shí)現(xiàn)芯片設(shè)計成功，并加速模擬設(shè)計遷移。●? ?新思科技物理驗(yàn)證解決方案已獲得臺積公司N3P和N2工藝技術(shù)認(rèn)證，可加速全芯片物理簽核?！? ?新思科技3DIC Compiler和光子集成電路（PIC）解決方案與臺積公司COUPE技術(shù)強(qiáng)強(qiáng)結(jié)合，在硅光子技術(shù)領(lǐng)域開展合作，能夠進(jìn)一步提高人工智能（AI）和多裸晶（Multi-Die
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極速智能,創(chuàng)見未來 2023芯和半導(dǎo)體用戶大會順利召開
- 高性能計算和人工智能正在形成推動半導(dǎo)體行業(yè)飛速發(fā)展的雙翼。面對摩爾定律趨近極限的挑戰(zhàn)，3DIC Chiplet先進(jìn)封裝異構(gòu)集成系統(tǒng)越來越成為產(chǎn)業(yè)界矚目的焦點(diǎn)。這種創(chuàng)新的系統(tǒng)不僅在Chiplet的設(shè)計、封裝、制造、應(yīng)用等方面帶來了許多突破，同時也催生了全新的Chiplet EDA平臺，共同為創(chuàng)造下一代數(shù)字智能系統(tǒng)賦能。芯和半導(dǎo)體，作為國內(nèi)首家推出“3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設(shè)計分析全流程”EDA平臺的EDA公司，在10月25日上海舉辦了2023芯和半導(dǎo)體用戶大會，總規(guī)模超過600人。大會以“極速智能，
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臺積電魏哲家出席日本3DIC材料研發(fā)中心開幕
- 晶圓代工龍頭臺積電總裁魏哲家24日出席「臺積電日本3DIC研究開發(fā)中心」開幕啟用典禮，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)相萩生田光一亦出席致詞。該中心由臺積電設(shè)立，并與揖斐電（Ibiden）、新光電氣、信越化學(xué)等日本逾20家廠商合作，總投資金額達(dá)370億日圓，日本政府透過新能源及產(chǎn)業(yè)技術(shù)統(tǒng)合開發(fā)機(jī)構(gòu)（NEDO）出資190億日圓。臺積電在日本茨城縣筑波市產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所設(shè)立的臺積電日本3DIC研究開發(fā)中心24日開幕啟用，由于日本已開放臺灣人士以商務(wù)簽證入境且免隔離，魏哲家與臺積電先進(jìn)封裝技術(shù)暨服務(wù)副總經(jīng)理廖德堆一同出席，說明臺
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新思科技推出業(yè)界首個統(tǒng)一平臺3DIC Compiler，以加速多裸晶芯片系統(tǒng)設(shè)計和集成
- 重點(diǎn)：3DIC Compiler基于新思科技的Fusion Design Platform、世界級引擎和數(shù)據(jù)模型，在單一用戶環(huán)境下提供一個綜合性的端到端解決方案，具有針對先進(jìn)多裸晶芯片系統(tǒng)設(shè)計的全套功能提供強(qiáng)大的三維視圖功能，為2.5D/3D封裝可視化提供直觀的環(huán)境，顯著減少設(shè)計到分析的迭代次數(shù)，并最大限度地縮短整體集成時間提供與Ansys硅-封裝-印刷電路板技術(shù)的緊密集成，以進(jìn)行系統(tǒng)級信號、功率和熱量分析新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）近日推出其3DIC Co
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硅通孔3DIC工藝顯著減小傳感器的外形尺寸
- 引言 更小的外形尺寸、卓越的功能、更出色的性能和更低的BOM(物料成本)是系統(tǒng)工程師在開發(fā)傳感器和傳感器接口應(yīng)用等復(fù)雜電子產(chǎn)品時面臨的主要挑戰(zhàn)?？s小芯片尺寸可以通過使用集成密度更高的小型制程節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)，而系統(tǒng)的小型化則可以通過使用先進(jìn)的封裝技術(shù)來達(dá)成。如今，對更高系統(tǒng)集成度的需求與日俱增，這也促使那些傳統(tǒng)的封裝服務(wù)供應(yīng)商和半導(dǎo)體公司著手開發(fā)更具創(chuàng)新性、更為先進(jìn)的封裝技術(shù)。其中前景廣闊，同時也具有挑戰(zhàn)性的當(dāng)屬采用硅通孔(TSV)的3D集成電路(3DIC)。3DIC技術(shù)現(xiàn)已被廣泛應(yīng)用于數(shù)字集成電路(例如存
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半導(dǎo)體展買氣勝往年 臺灣半導(dǎo)體業(yè)看好
- 國內(nèi)年度半導(dǎo)體業(yè)展會盛事「SEMICONTaiwan2014」九月三日至五日舉行。主辦單位「國際半導(dǎo)體設(shè)備材料協(xié)會」(SEMI)臺灣區(qū)副總裁何玫玲表示，此次展覽規(guī)模，創(chuàng)下歷年最高紀(jì)錄，總計超過六百五十家廠商、一千四百一十個攤位，參展廠商和參觀人數(shù)則突破四萬。比起去年，何玫玲直言，今年展覽買氣強(qiáng)旺，買主洽談會共約六十場，這是往年沒有發(fā)生的現(xiàn)象。 2014年半導(dǎo)體展概念股臺廠營運(yùn)情形 何玫玲分析并解釋說，買氣旺盛，應(yīng)是國內(nèi)龍頭廠商臺積電(2330)、聯(lián)電(2303)等，近年大力扶持國內(nèi)
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手機(jī)芯片加速整合 3D IC是重要武器
- 3D IC將是半導(dǎo)體業(yè)者站穩(wěn)手機(jī)晶片市場的必備武器。平價高規(guī)智慧型手機(jī)興起，已加速驅(qū)動內(nèi)部晶片整合與制程演進(jìn);然而，20奈米以下先進(jìn)制程研發(fā)成本極高，但所帶來的尺寸與功耗縮減效益卻相對有限，因此半導(dǎo)體廠已同步展開3D IC技術(shù)研發(fā)，以實(shí)現(xiàn)更高的晶片整合度，其中，三星已率先宣布將于2014年導(dǎo)入量產(chǎn)。 拓墣產(chǎn)業(yè)研究所半導(dǎo)體中心研究員蔡宗廷認(rèn)為，MEMS技術(shù)將是手機(jī)設(shè)計差異化的關(guān)鍵，包括MEMS自動對焦和振蕩器的出貨成長均極具潛力。 拓墣產(chǎn)業(yè)研究所半導(dǎo)體中心研究員蔡宗廷表示，2013～2015
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SEMI中國封測委員會第五次會議聚焦3DIC標(biāo)準(zhǔn)
- 在西安市高新開發(fā)區(qū)管委會大力支持下，SEMI中國封測委員會第五次會議近日在西安成功召開。SEMI全球副總裁、中國區(qū)總裁陸郝安與西安高新開發(fā)區(qū)安主任共同為會議致辭，吳凱代表SEMI中國同與會者分享了中國半導(dǎo)體及封測市場現(xiàn)況、SEMI標(biāo)準(zhǔn)制定流程和重要意義、SEMI標(biāo)準(zhǔn)在北美的成功案例等主題報告。經(jīng)過熱烈討論，代表們就3DIC標(biāo)準(zhǔn)的制訂在以下幾個方面達(dá)成共識： 一是臺灣和北美對3DIC發(fā)展方向也不明確，中國半導(dǎo)體投資巨大且貼近應(yīng)用市場，有機(jī)會趕上歐美先進(jìn)水平，甚至在特定領(lǐng)域可實(shí)現(xiàn)"彎道
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中芯國際成立視覺、傳感器以及3DIC中心
- 中芯國際集成電路制造有限公司(中芯國際)宣布成立視覺、傳感器和3DIC中心(簡稱CVS3D)。中芯國際CVS3D整合、強(qiáng)化了中芯國際在硅傳感器、通過硅通孔(TSV)技術(shù)和其他中端晶圓制程技術(shù)(MEWP)的上的研發(fā)和生產(chǎn)制造能力。而MEWP技術(shù)帶動了在CMOS圖像傳感器、MEMS傳感器、三維堆疊設(shè)備，和基于TSV2.5D和3D的高性能系統(tǒng)級封裝(SiP)方面的顯著進(jìn)步。 半導(dǎo)體行業(yè)正快速采用基于TSV2.5D和3DIC的技術(shù)，使系統(tǒng)芯片進(jìn)一步小型化，同時降低功耗、提高設(shè)備和系統(tǒng)性能。根據(jù)201
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美商Altera公司與TSMC采用CoWoS生產(chǎn)技術(shù)
- 美商Altera公司與TSMC22日宣布，采用TSMC CoWoS生產(chǎn)技術(shù)共同開發(fā)全球首顆能夠整合多元芯片技術(shù)的三維集成電路(Heterogeneous 3DIC)測試芯片，此項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)系將模擬、邏輯及內(nèi)存等各種不同芯片技術(shù)堆棧于單一芯片上組合而成，可協(xié)助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)超越摩爾定律的發(fā)展規(guī)范，而TSMC的CoWoS整合生產(chǎn)技術(shù)能夠提供開發(fā)3DIC技術(shù)的半導(dǎo)體公司一套完整的解決方案，包括從前端晶圓制造到后端封裝測試的整合服務(wù)。
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半導(dǎo)體制程技術(shù)邁入3D 2013年可視為量產(chǎn)元年
- 時序即將進(jìn)入2012年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)持續(xù)進(jìn)行變革，其中3D IC便為未來芯片發(fā)展趨勢，將促使供應(yīng)鏈加速投入3D IC研發(fā)，其中英特爾(Intel)在認(rèn)為制程技術(shù)將邁入3D下，勢必激勵其本身的制程創(chuàng)新。另外在半導(dǎo)體業(yè)者預(yù)期3D IC有機(jī)會于2013年出現(xiàn)大量生產(chǎn)的情況下，預(yù)估2013年也可視為是3D IC量產(chǎn)元年。 3D IC為未來芯片發(fā)展趨勢，其全新架構(gòu)帶來極大改變，英特爾即認(rèn)為，制程技術(shù)將邁入3D，未來勢必激勵技術(shù)創(chuàng)新。英特爾實(shí)驗(yàn)室日前便宣布與工研院合作，共同合作開發(fā)3D IC架構(gòu)且具低功耗
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