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	30納米
      

      
	
      
    	
      
    	  	
      
              	
                                
      
                  

                                
      
                    
      瑞晶預計提前轉進30納米制程
      
                                                            
        
                    	
      • 　　DRAM報價直逼歷史低價，在DRAM產業(yè)籠罩一片低氣壓時，瑞晶的制程轉進速度仍是一馬當先，原本預定2011年底前旗下所有產能都全數轉進30納米制程，日前目標已提前達陣，但因母公司爾必達(Elpida)應部分客戶需要40納米制程產品，因此保留2萬片產能在40納米，在制程轉進成功后，預計成本可進一步下滑，雖然相較于目前DRAM報價仍是虧錢，但仍是臺廠中競爭力最強的業(yè)者。
　　瑞晶一向是臺系DRAM廠中制程轉換速度最快的業(yè)者，旗下8萬片12寸晶圓廠領先在2011年轉進40納米制程，日前又在30納米制程上搶
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      • 關鍵字：
                        瑞晶  30納米                          
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      海力士半導體明年一季度開始量產30納米芯片
      
                                                            
        
                    	
      • 　　海力士半導體發(fā)言人Park Seong Ae周四表示，公司將從明年第一季度開始量產30納米芯片。
　　這一表態(tài)證實了韓國網絡新聞媒體edaily此前的相關報道。
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      • 關鍵字：
                        海力士  30納米                          
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      中芯45億美元打造國內最大高端芯片基地
      
                                                            
        
                    	
      • 　　昨日，內地最大集成電路制造商中芯國際，與東湖開發(fā)區(qū)正式聯(lián)姻。中芯國際將注資45億美元，助光谷打造國內最大高端芯片生產基地。
　　中芯國際是內地規(guī)模最大、技術最先進的集成電路晶圓代工企業(yè)。早在2006年，中芯國際就開始
　　
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      • 關鍵字：
                        中芯國際  芯片  30納米                          
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      景氣雖不明　海力士仍持續(xù)投資30納米制程
      
                                                            
        
                    	
      • 　　雖然在經濟前景不明的情況下，半導體產業(yè)景氣亦受到連帶影響，不過全球排名第2的半導體大廠海力士(Hynix)仍計劃對轉進30納米制程持續(xù)加碼，以增加和三星電子(Samsung Electronics)、日本爾必達(Elpida)等大廠競爭的優(yōu)勢。
　　
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      • 關鍵字：
                        海力士  DRAM  30納米                          
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      爾必達12月將啟動30納米DRAM量產
      
                                                            
        
                    	
      • 　　據《日本經濟新聞》周三報道，爾必達計劃在今年12月開始量產40納米以下的DRAM芯片，此舉預計可節(jié)省生產成本約30%。爾必達即將量產的DRAM芯片線寬僅略大于30納米，比三星電子的最新制程更小。至目前為止，三星仍是全球首家跨入40納米制程以下的公司。
　　報道稱呢個，爾必達已開發(fā)出的“雙重曝光 (double-patterning)”新技術，能用現(xiàn)有的設備來達成更精細制程，而無需進行大規(guī)模的資本投資。
　　爾必達位于日本廣島的工廠，將于12月率先量產新DRAM芯片;瑞晶電子
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      • 關鍵字：
                        爾必達  DRAM  30納米                          
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      爾必達停止研發(fā)PRAM
      
                                                            
        
                    	
      • 　　日刊工業(yè)新聞報導，由于擴展應用范圍及降低成本不易，爾必達(Elpida)計劃停止研發(fā)相位變化隨機存取存儲器 (PRAM)。
　　爾必達監(jiān)于30納米技術已是DRAM產品細微化的技術極限，遂轉而研發(fā)PRAM，甚至已送樣容量為128MB的產品，然爾必達社長本幸雄認為PRAM成本很難降到比Flash低，且應用范圍難以擴大，故決定停止研發(fā)該產品。日后研發(fā)重心將轉至矽穿孔(Through Silicon Via;TSV) 3D IC技術。
　　爾必達于2009年內已開始量產40納米技術DRAM產品，緊接著將朝
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      • 關鍵字：
                        Elpida  30納米  PRAM                          
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      三星電子增加下半年在半導體業(yè)務投資
      
                                                            
        
                    	
      • 　　電子行業(yè)報紙ETnews周五報導稱，預計韓國三星電子下半年在一個半導體生產設施上投資至少1萬億韓元(合7.9億美元)。
　　該報未指明消息來源稱，三星下半年在芯片業(yè)務方面的資本支出料為8,000億韓元左右。
　　三星半導體事業(yè)群總裁勸五鉉周四在一次業(yè)內活動上稱，三星預計下半年投資“略高于”上半年。
　　該公司多次拒絕透露今年的資本投資計劃規(guī)模，或是迄今的已投資額。
　　ETnews報稱，芯片業(yè)務下半年的投資將側重于引進更先進的生產技術，比如采用40納米制程生產DRAM和
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      • 關鍵字：
                        三星  DRAM  30納米  NAND                          
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      NAND Flash再刮大風　30納米世代競賽起跑
      
                                                            
        
                    	
      • 　　全球NAND Flash需求仍相當疲弱，盡管東芝(Toshiba)宣布增產重創(chuàng)市場信心，然存儲器業(yè)者透露，由于東芝43納米制程NAND Flash芯片日前打入蘋果(Apple)iPhone供應鏈，推測其增產系為蘋果供貨做準備，近期更需關注的是，三星電子(Samsung Electronics)除采用既有42納米制程應戰(zhàn)，亦開始準備最新版35納米制程NAND Flash芯片，且已陸續(xù)送樣給控制芯片廠，這不僅將對東芝和英特爾(Intel)、美光(Micron)聯(lián)盟造成壓力，亦將影響NAND Flash市場
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      • 關鍵字：
                        三星  NAND  30納米  43納米                          
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      全球閃存市場達254億美元 廠商Q4投身30nm制程
      
                                                            
        
                    	
      • 　　據外電報道，NAND Flash(閃存)制造廠制程技術持續(xù)不斷推進，集邦科技表示，各Flash制造廠自今年第四季起將陸續(xù)轉進30納米制程技術。
　　根據美光預估，今年全球NAND Flash市場可望增長至254億美元規(guī)模，除了目前一般數字影音播放器、UFD(通用串行總線閃存儲存驅動器)、記憶卡等應用外，也相當看好移動儲存市場的發(fā)展?jié)摿Α?
　　為降低生產成本，強化競爭力，NAND Flash制造廠持續(xù)不斷進行制程技術微縮，其中IM Flash陣營已宣示，34納米制程技術將于今年第四季投產。韓國三星電
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      • 關鍵字：
                        閃存  NAND  Flash  移動儲存  30納米                          
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