2nm soc 文章 進(jìn)入2nm soc技術(shù)社區(qū)
輕松有趣地提高安全性：SoC組件協(xié)助人們保持健康
- 我們需要透過智慧的預(yù)防措施來恢復(fù)正常生活。當(dāng)人們必須估量并遵守1.5至2公尺的強(qiáng)制社交距離，很難想象購物、學(xué)習(xí)或工作如何變得輕松起來。在忘記保持安全社交距離時略帶驚恐地跳開，這已經(jīng)見怪不怪。盡管存在著所有的預(yù)防措施，我們?nèi)砸M快恢復(fù)常態(tài)的生活：企業(yè)需要再次提高產(chǎn)量，商店迫切需要營業(yè)，兒童和青少年需要上學(xué)，以及安排各項休閑活動。但我們還缺乏一個有效、通用和能快速實施這個衛(wèi)生理念的方法。為此，政府發(fā)起了圍繞「距離/衛(wèi)生/日常戴口罩」的運動，目前該運動為遏制新的感染提供了行動綱要，例如受惠于現(xiàn)代科技，企業(yè)和公共
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歐盟半導(dǎo)體“不再幼稚”：10年內(nèi)產(chǎn)能翻倍、搞定2nm工藝
- 半導(dǎo)體技術(shù)的重要性已經(jīng)無需多提，現(xiàn)在美國、中國、日本、韓國等國家和地區(qū)都在大力投資先進(jìn)半導(dǎo)體工藝，不希望自己被卡脖子，歐盟現(xiàn)在也清醒了，希望搞定2nm工藝。據(jù)報道，歐盟市場專員蒂埃里·布雷頓（Thierry Breton）日前在采訪中表示，歐盟需要恢復(fù)以前的市場份額，以滿足行業(yè)的需求。他還提到，多年來歐盟在半導(dǎo)體制造業(yè)中的份額下降了，因為該地區(qū)過于幼稚、過于相信全球化。歐盟委員會制定的計劃中，希望2030年將芯片產(chǎn)量翻倍，市場份額提升到20%，為此歐盟正在爭取歐洲地區(qū)先進(jìn)芯片制造商的支持，目前至少有22個
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里程碑！IBM宣布造出全球首顆2nm EUV芯片
- 藍(lán)色巨人出手就是王炸?！ ?月6日消息，IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導(dǎo)體芯片?！ 『诵闹笜?biāo)方面，IBM稱該2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百萬顆晶體管）為333.33，幾乎是臺積電5nm的兩倍，也比外界預(yù)估臺積電3nm工藝的292.21 MTr/mm2要高?！ ?nm晶圓近照 換言之，在150平方毫米也就是指甲蓋大小面積內(nèi)，就能容納500億顆晶體管?！ ⊥瑫r，IBM表示，在同樣的電力消耗下，其性能比當(dāng)前7nm高出45%，輸出同樣性能則減少75%的功耗?！ 嶋H上，I
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臺積電最新進(jìn)展:2nm正在開發(fā) 3nm和4nm將在明年面世
- 全球最大的晶圓代工廠，擁有近500個客戶，這就是他們的獨特之處。一方面，公司幾乎可以為提出任何需求的所有客戶提供服務(wù)；另一方面，就容量和技術(shù)而言，他們必須領(lǐng)先于其他任何人；就產(chǎn)能而言，臺積電（TSMC）是不接受任何挑戰(zhàn)，而且未來幾年也不會臺積電今年300億美元的資本預(yù)算中，約有80％將用于擴(kuò)展先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)能，例如3nm，4nm / 5nm和6nm / 7nm。分析師認(rèn)為，到今年年底，先進(jìn)節(jié)點上的大部分資金將用于將臺積電的N5產(chǎn)能擴(kuò)大，擴(kuò)大后的產(chǎn)能將提到至每月110,000?120,000個晶圓啟動（WSP
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全球沖刺2nm，臺積電和中芯國際卻發(fā)展成熟工藝，這是為何？
- 前兩天，臺媒報道稱臺積電將投資187億人民幣在南京廠建置月產(chǎn)4萬片的28nm產(chǎn)能，據(jù)悉，該計劃將于不久后正式啟動，新產(chǎn)能預(yù)計在2022年下半年開始逐步產(chǎn)出，并于2023年實現(xiàn)月產(chǎn)4萬片的目標(biāo)。當(dāng)臺積電傳來擴(kuò)增28nm產(chǎn)能的消息時，大部分人對此感到非常驚訝，在更多人眼中，臺積電作為全球工藝最先進(jìn)的芯片制造商，在全球都在沖刺2nm工藝的時候，它也應(yīng)該大力投資3nm、2nm，甚至是更加先進(jìn)的工藝，而卻不曾想臺積電居然選擇斥巨資投資28nm這樣成熟的工藝。事實上，投資28nm工藝只是臺積電的計劃之一，而其從始至終
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臺積電2nm工藝進(jìn)入研發(fā)階段：升級GAA晶體管、改進(jìn)EUV效率
- 做為全球最大最先進(jìn)的晶圓代工廠，臺積電在7nm、5nm節(jié)點上領(lǐng)先三星等對手，明年面還會量產(chǎn)3nm工藝，接下來則是2nm工藝。臺積電計劃未來三年投資1000億美元，其中先進(jìn)工藝花費的資金最多，2nm工藝也是前所未有的新工藝，臺積電去年稱2nm工藝取得了重大進(jìn)展，進(jìn)度比預(yù)期的要好。實際上臺積電的2nm工藝沒有宣傳的那么夸張，此前只是技術(shù)探索階段，尋找到了可行的技術(shù)路徑?，F(xiàn)在2nm工藝才算是進(jìn)入了研發(fā)階段，重點轉(zhuǎn)向了測試載具設(shè)計、光罩制作及硅試產(chǎn)等方向。根據(jù)臺積電的說法，2nm工藝節(jié)點上，他們也會放棄FinFE
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臺積電和蘋果合作致力2nm工藝開發(fā)，傳聞3nm芯片訂單勢頭強(qiáng)勁
- 近期臺積電（TSMC）和蘋果更緊密和高效的合作，使得研發(fā)上取得了多項突破?！ ∧壳笆謾C(jī)開始大量使用基于5nm工藝制造的芯片，即將推出的A15 Bionic預(yù)計將使用更先進(jìn)的N5P節(jié)點工藝制造，預(yù)計蘋果將在2021年占據(jù)臺積電80%的5nm產(chǎn)能。不過臺積電很快將向3nm工藝推進(jìn)，并且進(jìn)一步到2nm工藝，這都只是時間問題?！ ?jù)Wccftech報道，為了更好地達(dá)成這些目標(biāo)，臺積電和蘋果已聯(lián)手推動芯片的開發(fā)工作，將硅片發(fā)展推向極限。臺積電和蘋果都為了同一個目標(biāo)而努力，不過受益者可能不只是蘋果，還有英特爾。臺
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加快早期設(shè)計探索和驗證，縮短上市時間
- 芯片級驗證的挑戰(zhàn)鑒于先進(jìn)工藝設(shè)計的規(guī)模和復(fù)雜性，而且各方為 搶先將產(chǎn)品推向市場而不斷競爭，片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)計團(tuán)隊沒有時間等到所有芯片模塊都全 部完成后才開始組裝芯片。因此，SoC 設(shè)計人員 通常會在模塊開發(fā)的同時開始芯片集成工作，以 便在設(shè)計周期的早期捕獲并糾正任何布線違規(guī)， 從而幫助縮短至關(guān)重要的上市時間。錯誤在早期 階段更容易修復(fù)，而且對版圖沒有重大影響，設(shè) 計人員在此階段消除錯誤，可以減少實現(xiàn)流片所 需的設(shè)計規(guī)則檢查 (DRC) 迭代次數(shù)（圖 1）。但是，早期階段芯片級物理驗證面臨許多挑 戰(zhàn)
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利用更高效的 LVS 調(diào)試提高生產(chǎn)率
- 簡介版圖與電路圖比較 (LVS) 驗證是片上系統(tǒng) (SOC) 設(shè)計周期中集成電路 (IC) 驗證必不可少的組 成部分，但鑒于當(dāng)今高密度且層次化的版圖、不斷提高的電路復(fù)雜性以及錯綜復(fù)雜的晶圓 代工廠規(guī)則，運行 LVS 可能是一項耗時且資源密集的工作。全芯片 LVS 運行不僅會將設(shè)計版 圖與電路圖網(wǎng)表進(jìn)行比較，而且通常還包含會增加 LVS 運行時間的其他驗證，例如電氣規(guī)則 檢查 (ERC) 和短路隔離。根據(jù)設(shè)計的復(fù)雜性，調(diào)試這些設(shè)計的 LVS 結(jié)果可能同樣具挑戰(zhàn)性且耗時，進(jìn)而影響總周轉(zhuǎn)時 間 (TAT) 和計
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出貨量破億！聯(lián)發(fā)科第一次登頂智能手機(jī)SoC
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)CounterPoint今天公布了2020年第三季度全球智能手機(jī)SoC芯片市場統(tǒng)計報告，聯(lián)發(fā)科意外超越高通而登頂，這也是“發(fā)哥”第一次拿到第一。2019年第三季度的時候，聯(lián)發(fā)科的份額為26％，落后高通5個百分點，但是現(xiàn)在，聯(lián)發(fā)科來到了對手水平，拿下31％的市場，高通則滑落至29％。CounterPoint分析認(rèn)為，在中國、印度千元機(jī)市場上的強(qiáng)勁表現(xiàn)，是聯(lián)發(fā)科最大的資本，當(dāng)季搭載聯(lián)發(fā)科芯片的智能手機(jī)出貨量也突破了1億部。不過，高通在5G領(lǐng)域仍然無敵，39％ 5G手機(jī)都基于高通平臺。第三季度，17％的
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谷歌自研5nm SoC被曝已流片：效仿蘋果 打造全生態(tài)體驗
- 此前蘋果發(fā)布了基于ARM機(jī)構(gòu)的自研芯片M1，其性能表現(xiàn)十分出色，并且對于蘋果打造全生態(tài)用戶體驗的計劃又進(jìn)了一步。谷歌作為安卓生態(tài)的領(lǐng)導(dǎo)者，也有意效仿蘋果打通PC、平板、手機(jī)的終端壁壘，打造全生態(tài)體驗?！ 碜訟xios的最新報道稱，谷歌代號Whitechapel的SoC芯片已于近期流片成功。據(jù)了解，這顆芯片基于三星5nmLPE工藝，8核ARM架構(gòu)，除了CPU、GPU等，還集成了谷歌的TPU神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速單元。 值得一提的是，一顆芯片從流片到商用大概需要1年左右時間，因此還需要消費者耐心等待?！ 〈送?，
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臺積電2nm工藝重大突破！2023年投入試產(chǎn)
- 這幾年，天字一號代工廠臺積電在新工藝進(jìn)展上簡直是開掛一般的存在，7nm工藝全面普及，5nm工藝一路領(lǐng)先，3nm工藝近在眼前，2nm工藝也進(jìn)展神速。根據(jù)最新報道，臺積電已經(jīng)在2nm工藝上取得一項重大的內(nèi)部突破，雖未披露細(xì)節(jié)，但是據(jù)此樂觀預(yù)計，2nm工藝有望在2023年下半年進(jìn)行風(fēng)險性試產(chǎn)，2024年就能步入量產(chǎn)階段。臺積電還表示，2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距，同時延續(xù)摩爾定律，繼續(xù)挺進(jìn)1nm工藝的研發(fā)。臺積電預(yù)計，蘋果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先采納其2nm工藝。2nm工藝上，臺積
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臺積電：2nm芯片研發(fā)重大突破，1nm也沒問題
- 一、臺積電：第一家官宣2nm工藝，研發(fā)進(jìn)度超前據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報報道，臺積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進(jìn)度超前，業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險試產(chǎn)良率就可以達(dá)到90%。據(jù)臺媒透露，有別于3nm與5nm采用鰭式場效晶體管（FinFET）架構(gòu)，臺積電2nm改采全新的多橋通道場效晶體管（MBCFET）架構(gòu)，研發(fā)進(jìn)度超前。據(jù)悉，臺積電去年成立了2nm專案研發(fā)團(tuán)隊，尋找可行路徑進(jìn)行開發(fā)?？剂砍杀尽⒃O(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項條件，2nm采以環(huán)繞閘極（GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu)，解決FinFET因制程微
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臺積電2024年將量產(chǎn)突破性的2nm工藝晶體管
- 9 月 25 日消息 據(jù) wccftech 報道，臺灣半導(dǎo)體制造公司（TSMC）在 2nm 半導(dǎo)體制造節(jié)點的研發(fā)方面取得了重要突破：臺積電有望在 2023 年中期進(jìn)入 2nm 工藝的試生產(chǎn)階段，并于一年后開始批量生產(chǎn)。目前，臺積電的最新制造工藝是其第一代 5 納米工藝，該工藝將用于為 iPhone 12 等設(shè)備構(gòu)建處理器。臺積電的 2nm 工藝將采用差分晶體管設(shè)計。該設(shè)計被稱為多橋溝道場效應(yīng)（MBCFET）晶體管，它是對先前 FinFET 設(shè)計的補(bǔ)充。臺積電第一次作出將 MBCFET 設(shè)計用于其晶體管而不
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臺積電2nm工藝2023年風(fēng)險試產(chǎn)良率或達(dá)90%
- 據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報報道，臺積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進(jìn)度超前，業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險試產(chǎn)良率就可以達(dá)到90%。供應(yīng)鏈透露，有別于3nm和5nm采用鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET），臺積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構(gòu)。據(jù)悉，臺積電去年成立了2nm專案研發(fā)團(tuán)隊，尋找可行路徑進(jìn)行開發(fā)?？剂砍杀?、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項條件，2nm采以環(huán)繞閘極（GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu)，解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題。極紫外光（EUV）微顯
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2nm soc介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對2nm soc的理解，并與今后在此搜索2nm soc的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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