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28nm
28nm 文章 進(jìn)入28nm技術(shù)社區(qū)
“新摩爾時(shí)代”的新興應(yīng)用與技術(shù)探尋(下)
- (接上期) 產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵詞：28nm、EDA、ODM、制造 技術(shù)和產(chǎn)品的大繁榮，離不開健全的IC產(chǎn)業(yè)鏈。此篇從與IC相關(guān)的產(chǎn)業(yè)鏈角度報(bào)道一些企業(yè)。 EDA 2009年EDA和半導(dǎo)體業(yè)都下降了10%左右。但在蕭條的嚴(yán)冬中，總有一些可敬的頑強(qiáng)生命在成長(zhǎng)。一家2001年才成立的小EDA公司，2009年銷售額增長(zhǎng)了22%，2008年在功率分析方面的市場(chǎng)份額高達(dá)67%!這家公司就是Apache，CEO兼董事長(zhǎng)Andrew T. Yang(楊天勝，華裔)博士介紹說(shuō)，Apache專門提供降低功
- 關(guān)鍵字： 28nm EDA ODM 201007
28nm節(jié)點(diǎn)將引發(fā)全球代工攻堅(jiān)戰(zhàn)
- 按Gartner副總裁Dean Freeman看法，能進(jìn)行先進(jìn)制程設(shè)計(jì)的fabless公司目前正處于極好時(shí)光。因?yàn)镕reeman看到頂級(jí)代工廠正義無(wú)反顧的向40及28nm進(jìn)軍，同時(shí)為爭(zhēng)奪更大的市場(chǎng)份額，而使硅片代工的價(jià)格迅速下降。 按Freeman說(shuō)法，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)之前從未出現(xiàn)過(guò)有好幾家代工廠能夠同時(shí)提供最先進(jìn)的工藝制程加工能力。目前已有三家，如 TSMC，GlobalFoundries及三星電子。 由于互相競(jìng)爭(zhēng)，先進(jìn)制程代工的價(jià)格下降很快，這是Freeman在周一(12 July)，每年S
- 關(guān)鍵字： 電子代工 28nm
中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)再次發(fā)起沖擊
- 沉寂了一段時(shí)間后，中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)又重新開始沖剌，表現(xiàn)為上海華力12英寸項(xiàng)目啟動(dòng)及中芯國(guó)際擴(kuò)充北京12英寸生產(chǎn)線產(chǎn)能至4.5萬(wàn)片，包括可能在北京再建一條12英寸生產(chǎn)線等。 然而，從國(guó)外媒體來(lái)的訊息表示的觀點(diǎn)有些不同。如美國(guó)Information Network認(rèn)為中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)在政府資金支持下，在未來(lái)的5年內(nèi)將投資250億美元，可能再次掀起高潮。但也不排除，有的市場(chǎng)分析公司對(duì)于投資的回報(bào)率存有質(zhì)疑，其實(shí)這一切才是正常的。因?yàn)橹袊?guó)半導(dǎo)體業(yè)是屬于戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)，不是完全可用市場(chǎng)機(jī)制，單一的經(jīng)濟(jì)規(guī)律來(lái)解釋得通。
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 28nm 40nm
IBM、GF、三星、意法四巨頭同步投產(chǎn)28nm芯片
- IBM、GlobalFoundries、三星電子、意法半導(dǎo)體四家行業(yè)巨頭今天聯(lián)合宣布，他們將合作實(shí)現(xiàn)半導(dǎo) 體制造工廠的同步，共同使用IBM技術(shù)聯(lián)盟開發(fā)的28nm低功耗工藝生產(chǎn)相關(guān)芯片。據(jù)了解，這種同步模式將確?？蛻舻男酒O(shè)計(jì)能夠在三個(gè)國(guó)家的多座晶圓廠內(nèi)靈活生產(chǎn)，無(wú)需重新設(shè)計(jì)，大大降低半導(dǎo) 體制造的風(fēng)險(xiǎn)和成本。相關(guān)的28nm新工藝通用電路已經(jīng)發(fā)放到各家工廠，預(yù)計(jì)今年底就會(huì)有工廠率先完成同步過(guò)程，隨后不久便可以開始投產(chǎn)。 IBM技術(shù)聯(lián)盟的核心是IBM位于紐約州East Fishkill的工廠，成員包
- 關(guān)鍵字： GlobalFoundries 28nm 晶圓
IBM集團(tuán)就28nm工藝展開合作
- IBM“晶圓廠俱樂(lè)部”中的四家公司IBM、Samsung、GlobalFoundries和ST稱他們將在28nm低功耗工藝上展開合作保持同步。 該集團(tuán)將于2010年晚期開始出貨28nm晶圓，并且開始對(duì)其代工競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手進(jìn)行隱晦的口頭攻擊。 該集團(tuán)沒(méi)有指出臺(tái)積電的名字，但臺(tái)積電對(duì)IBM集團(tuán)的高k技術(shù)表示過(guò)不滿。IBM的28nm工藝是基于gate-first高k金屬柵技術(shù)，而臺(tái)積電則在高k中采用gate-last工藝。
- 關(guān)鍵字： IBM 28nm 晶圓
聯(lián)電：明年試產(chǎn)28nm工藝3D堆疊芯片
- 據(jù)悉，臺(tái)灣代工廠聯(lián)電(UMC)計(jì)劃于2011年年中開始，使用28nm新工藝試產(chǎn)3D立體堆疊式芯片，并于2012年批量投產(chǎn)。 聯(lián)電CEO孫世偉(Shih-Wei Sun)表示，這種3D堆疊芯片使用了硅通孔(TSV)技術(shù)，是聯(lián)電與日本爾必達(dá)、臺(tái)灣力成科技(PTI)共同研發(fā)完成的。這次三方合作匯聚了聯(lián)電的制造技術(shù)、爾必達(dá)的內(nèi)存技術(shù)和力成的封裝技術(shù)，并在3D IC方案中整合了邏輯電路和DRAM。 孫世偉指出，客戶需要3D-IC TSV方案用于下一代CMOS圖像傳感器、MEMS芯片、功率放大器和其他
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)電 28nm 立體堆疊式芯片
IBM可能與阿布扎比政府開展合作
- 隨著現(xiàn)代芯片制造工藝的研發(fā)成本越來(lái)越高，以及不同機(jī)構(gòu)之間的合作越來(lái)越密切，大型企業(yè)和國(guó)家政府也可能會(huì)越走越近，比如藍(lán)色巨人IBM和阿聯(lián)酋阿布扎比，他們中間就有一個(gè)GlobalFoundries。 Petrov Group創(chuàng)始人兼首席分析師、前特許半導(dǎo)體市場(chǎng)戰(zhàn)略總監(jiān)Boris Petrov在接受媒體采訪時(shí)表示：“IBM 在與政府打交道的時(shí)候會(huì)比個(gè)體公司感到更舒服，就像是航空母艦對(duì)比土著小漁船。” GlobalFoundries的客戶現(xiàn)在都普遍需要更先進(jìn)的制造工藝，比如
- 關(guān)鍵字： GlobalFoundries 32nm 28nm
“新摩爾時(shí)代”的新興應(yīng)用與技術(shù)探尋(上)
- 有人說(shuō)現(xiàn)在是大公司時(shí)代，強(qiáng)者更強(qiáng)，因此電子業(yè)內(nèi)兼并重組現(xiàn)象時(shí)有發(fā)生。有人卻說(shuō)，未來(lái)給中小企業(yè)帶來(lái)了機(jī)會(huì)，只要你的技術(shù)或產(chǎn)品在專注的領(lǐng)域里能排在前三，因?yàn)榘l(fā)達(dá)的媒體業(yè)鏟平了信息阻隔，為更多的中小企業(yè)創(chuàng)造了貿(mào)易機(jī)會(huì)。 最近，筆者參加了美國(guó)Globalpress公司在硅谷周邊——Santa Cruz舉辦的Electronic Summit2010(電子高峰會(huì)議)，有約30家公司參與，大部分是中小企業(yè)。從中感慨到：摩爾定律揭示了半導(dǎo)體業(yè)正向40/32/28nm制程推進(jìn)的必然過(guò)
- 關(guān)鍵字： 摩爾定律 40nm 32nm 28nm 201006
半導(dǎo)體制造：又逢更新?lián)Q代時(shí)
- 本文結(jié)合多方視角，詳細(xì)探討最新的半導(dǎo)體工藝技術(shù)發(fā)展，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈各方對(duì)新工藝的應(yīng)用情況及客觀評(píng)價(jià)。
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體制造 28nm Foundry HKMG 201006
Gloabl Foundries 30億美元的賭局
- Gloabl Foundries(GF)聲稱將投資30億美元用來(lái)擴(kuò)充德國(guó)與美國(guó)的產(chǎn)能，以回應(yīng)全球代工近期呈現(xiàn)的產(chǎn)能饑餓癥。 歐洲：在Dresden新建Fab 12，目標(biāo)是45nm、28nm及22nm，月產(chǎn)能8萬(wàn)片，潔凈廠房面積11萬(wàn)平方英尺。項(xiàng)目已經(jīng)國(guó)家與歐盟批準(zhǔn)，并于2011年開始量產(chǎn)。 GF發(fā)言人稱Dresden投資在14-15億美元。 美國(guó)：GF正在紐約的Luther Forecast興建Fab 8，目標(biāo)為28nm及22nm，總建筑面積為30萬(wàn)平方英尺，其中潔凈廠房為9萬(wàn)平方英
- 關(guān)鍵字： GloablFoundries 22nm 45nm 28nm
誰(shuí)會(huì)在代工投資“盛宴”中缺席？
- 在前3年之前全球代工總是在看前4大的動(dòng)向，包括臺(tái)積電、聯(lián)電、中芯國(guó)際及特許。然而，臺(tái)積電一家獨(dú)大，聯(lián)電居老二似乎也相安無(wú)事。 自AMD分出Globalfoundries，及ATIC又兼并特許，再把Globalfoundries與特許合并在一起。表面上看少了一個(gè)特許，實(shí)際上由于Globalfoundries在其金主支持下積極建新廠，在代工業(yè)界引發(fā)了波浪,至少誰(shuí)將成為老二成為話題。 加上存儲(chǔ)器大享三星近期開始投資代工，放言要接高通的手機(jī)芯片訂單;加上fabless大廠Xilinx改變策略，把2
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 FPGA 28nm
張忠謀公開臺(tái)積電20nm制程技術(shù)部分細(xì)節(jié)
- 臺(tái)積電公司宣布他們將于28nm制程之后跳過(guò)22nm全代制程，直接開發(fā)20nm半代制程技術(shù)。在臺(tái)積電公司日前舉辦的技術(shù)會(huì)展上，臺(tái)積電公司展示了部分 20nm半代制程的一些技術(shù)細(xì)節(jié)，20nm制程將是繼28nm制程之后臺(tái)積電的下一個(gè)主要制程平臺(tái)，另外，20nm之后，臺(tái)積電還會(huì)跳過(guò)18nm制程。 根據(jù)臺(tái)積電會(huì)上展示的信息顯示，他們的20nm制程將采用10層金屬互聯(lián)技術(shù)，并仍然采用平面型晶體管結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)技術(shù)方面則會(huì)使用HKMG/應(yīng)變硅和較新的“low-r”技術(shù)(即由銅+low-
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 光刻 28nm 22nm
張忠謀：臺(tái)積電將向14nm以下工藝挺進(jìn)
- 臺(tái)積電CEO兼董事長(zhǎng)張忠謀近日在加州圣何塞的一次技術(shù)會(huì)議上表示，臺(tái)積電將會(huì)和整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一起，向14nm以下的制造工藝進(jìn)軍。 張忠謀認(rèn)為，2011-2014年間的全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展速度不會(huì)很快，原因有很多，其中之一就是受摩爾定律制約，技術(shù)發(fā)展的速度會(huì)趨于緩慢。 張忠謀表示，2xnm時(shí)代眼下很快就要到來(lái)，1xnm時(shí)代也會(huì)在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)內(nèi)成為現(xiàn)實(shí)，而臺(tái)積電或許無(wú)法在他的任期內(nèi)走向1xnm，但肯定會(huì)竭盡全力將半導(dǎo)體制造技術(shù)帶向新的水平。 臺(tái)積電2010年間的資本支出預(yù)算高達(dá)48億美元，
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 22nm 28nm
Globalfoundries代工:ARM公布新一代SOC芯片制程細(xì)節(jié)
- ARM公司近日公布了其委托Globalfoundries代工的新款SOC芯片的部分技術(shù)細(xì)節(jié)。這款芯片主要面向無(wú)線應(yīng)用，據(jù)稱芯片的計(jì)算性能將提升40% 左右，而耗電則將降低30%，電池續(xù)航時(shí)間則可提升100%。據(jù)透露，這種SOC芯片將采用GF公司的兩種制程進(jìn)行生產(chǎn)，包括28nm SLP(超低功耗)和28nmHP(高性能)，其中前者將主要用于生產(chǎn)對(duì)功耗水平要求較高的產(chǎn)品，而后者則主要面向消費(fèi)應(yīng)用級(jí)產(chǎn)品。 這款SOC芯片基于ARM Cortex-A9核心，并將采用GF公司的28nm Gate-firs
- 關(guān)鍵字： Globalfoundries SOC 28nm
臺(tái)積電宣布驚人之舉 28nm制程節(jié)點(diǎn)將轉(zhuǎn)向Gate-last工藝
- 去年夏季，一直走Gate-first工藝路線的臺(tái)積電公司忽然作了一個(gè)驚人的決定：他們將在其28nm HKMG柵極結(jié)構(gòu)制程技術(shù)中采用Gate-last工藝。不過(guò)據(jù)臺(tái)積電負(fù)責(zé)技術(shù)研發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義表示，臺(tái)積電此番作出這種決定是要“以史為鑒”。以下，便讓我們?cè)谑Y尚義的介紹中，了解臺(tái)積電28nm HKMG Gate-last工藝推出的背景及其有關(guān)的實(shí)現(xiàn)計(jì)劃。 Gate-last是用于制作金屬柵極結(jié)構(gòu)的一種工藝技術(shù)，這種技術(shù)的特點(diǎn)是在對(duì)硅片進(jìn)行漏/源區(qū)離子注入操作以及隨后的高溫
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 Gate-last 28nm
28nm介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)28nm的理解，并與今后在此搜索28nm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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