24nm 文章 進(jìn)入24nm技術(shù)社區(qū)
新技術(shù)讓24nm閃存壽命延長13倍
- NAND閃存工藝技術(shù)不斷進(jìn)步，但是可靠性和使用壽命卻在倒退。盡管從理論上說依然足夠絕大多數(shù)人用上好幾年的，但這種趨勢終歸讓人很不爽。固態(tài)硬盤廠商STEC近日宣布了一項(xiàng)新技術(shù)“CellCare”，能讓NAND閃存的壽命一下子延長多達(dá)13倍。 CellCare是一項(xiàng)硬件和固件綜合技術(shù)，核心內(nèi)容包括：每個內(nèi)核的閃存參數(shù)追蹤，可帶來更少的、受控的磨損;終生閃存管理，可減少磨損、控制性能、改進(jìn)性能、降低讀寫延遲;高級錯誤糾正與數(shù)字信號處理，可改進(jìn)數(shù)據(jù)可靠性、最大程度減少重新讀取。
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東芝開始量產(chǎn)24nm工藝NAND閃存
- 東芝公司宣布，即日起開始使用24nm工藝批量生產(chǎn)NAND閃存芯片，這也是該領(lǐng)域內(nèi)迄今為止最為先進(jìn)的制造技術(shù)。 東芝透露，24nm工藝已被用于生產(chǎn)世界上體積最小、存儲密度最高的2bpc(每單元兩個比特)MLC NAND閃存芯片，單顆容量64Gb(8GB)，今后還會使用同樣工藝制造32Gb(4GB)容量和3bpc規(guī)格的閃存芯片。 東芝表示，新工藝將進(jìn)一步減小芯片尺寸、提高生產(chǎn)效率，同時還支持Toggle DDR接口規(guī)范，有助于增強(qiáng)數(shù)據(jù)傳輸速度。 在此之前，Intel、美光合資的IM Fl
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