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	1b dram
    

    
	
    
    	
    
    	  	
    
              	
                                
    
                  

                                
    
                    
    DRAM的變數(shù)
    
                                                            
      
                    	
    • 一路暴跌的半導體行業(yè)在 8 月終于傳來了好消息。TrendForce 集邦咨詢研究發(fā)布最新數(shù)據(jù)，第二季 DRAM 產業(yè)營收約 114.3 億美元，環(huán)比增長 20.4%，終結連續(xù)三個季度的跌勢。存儲作為行業(yè)的風向標，止跌是大家喜聞樂見的。這樣的好消息背后，不知道還有多少變數(shù)，又何時傳遞給整個半導體行業(yè)呢？經歷低谷根據(jù) TrendForce 發(fā)布報告，2022 年第三季度 DRAM 行業(yè)營收為 181.9 億美元，環(huán)比下降 28.9%。2022 年第三季度，DRAM 供應商庫存快速堆積，為搶占第四季度的出貨市
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    • 關鍵字：
                        DRAM                          
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    美光 1-gamma 制程內存預計 2025 年上半年在臺量產
    
                                                            
      
                    	
    • IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)臺灣 《中央通訊社》 報道，臺灣美光董事長盧東暉表示，美光有多達 65% 的 DRAM 產品在臺灣生產，其中臺日團隊一起研發(fā)新一代的 1-gamma 制程將于 2025 年上半年先在臺中廠量產，這是美光第 1 代采用極紫外光（EUV）的制程技術。據(jù)悉，美光現(xiàn)在只有在臺中有 EUV 的制造工廠，1-gamma 制程勢必會先在臺中廠量產，日本廠未來也會導入 EUV 設備。盧東暉強調，臺灣和日本是美光非常重要的制造中心，美光有多達 65% 的動態(tài)隨機存取記憶體（DRAM
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    • 關鍵字：
                        美光  DRAM                          
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    三星發(fā)布其容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產品 
    
                                                            
      
                    	
    • 2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術，開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 
DRAM：五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器）。這是繼2023年5月三星開始量產12納米級16Gb DDR5 
DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開發(fā)下一代DRAM內存技術領域中的地位，并開啟了大容量內存時代的新篇章。 三星12納米級32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級32Gb內存的基礎上，我們可以研發(fā)出實現(xiàn)1TB內存模組的解決方案
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    • 關鍵字：
                        三星  12納米  DDR5  DRAM                          
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    3D DRAM時代即將到來，泛林集團這樣構想3D DRAM的未來架構
    
                                                            
      
                    	
    • 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內存的數(shù)字電子設備，如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮，隨著技術在節(jié)點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進行與非邏輯運算的電路單元。）l  這一趨勢有利于整個行業(yè)的發(fā)展，因為它能推動存儲器技術的突破，而且每平方微米存儲單元數(shù)量的增加意味著生產成本的降低。l  DRAM技
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    • 關鍵字：
                        3D DRAM  泛林                          
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    DRAM教父高啟全職業(yè)生涯又有新進展
    
                                                            
      
                    	
    • 高啟全是全球 DRAM 領域最資深的人士之一。
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    • 關鍵字：
                        DRAM                          
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    三季度DRAM和NAND閃存價格跌幅放緩
    
                                                            
      
                    	
    • 今年 Q3，存儲產品價格有望迎來拐點。
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    • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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    三星電子 DRAM 內存和代工部門業(yè)績低迷，負責人雙雙被換
    
                                                            
                                        
      
                    	
    • IT之家 7 月 5 日消息，據(jù)多個韓國媒體報道，三星電子昨日突然在非常規(guī)人事季更換了代工（DS）部門和 DRAM 部門負責人，被解讀為“彌補今年上半年存儲半導體表現(xiàn)低迷、強化代工業(yè)務的手段”。首先，三星代工事業(yè)部技術開發(fā)部門副社長鄭基泰（Jegae Jeong）被任命為事業(yè)部最高技術負責人（CTO），而他的繼任者則是 Jahun Koo。與此同時，負責存儲半導體中 DRAM 開發(fā)的部門負責人也被更換，由原本擔任戰(zhàn)略營銷部門副社長的黃相俊（Hwang Sang-jun）接管，被業(yè)界解讀為對 HB
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    • 關鍵字：
                        三星  DRAM                          
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    DRAM大廠：Q3產品價格可望回穩(wěn)？
    
                                                            
                                        
      
                    	
    • 6月5日，DRAM大廠南亞科公布2023年5月自結合并營收為新臺幣23.09億元，月增加2.17%、年減少62.74%，仍創(chuàng)下今年新高水準。累計前5月合并營收為新臺幣109.94億元，年減少66.42%。據(jù)中國臺灣媒體《中時新聞網(wǎng)》引述南亞科總經理提到，DRAM市況預期第三季產品價格可望回穩(wěn)。南亞科總經理認為，以今年整體狀況而言，DRAM需求成長率可能低于長期平均值，但DRAM是電子產品智能化的關鍵元件，未來各種消費型智能電子產品的推陳出新，加上5G、AI、智慧城市、智能工廠、智能汽車、智能家庭、智能穿戴
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    • 關鍵字：
                        DRAM  TrendForce                          
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    韓媒：三星已組建開發(fā)團隊，以量產4F2結構DRAM
    
                                                            
      
                    	
    • 5月26日，韓國媒體The Elec引用知情人士消息稱，三星電子近日在其半導體研究中心內組建了一個開發(fā)團隊，以量產4F2結構DRAM。4F2結構DRAM能夠大大提高DRAM的存儲密度，方便研究團隊克服DRAM線寬縮減的極限，增加DRAM制造的效率。報道稱，如果三星4F2 DRAM存儲單元結構研究成功，在不改變節(jié)點的情況下，與現(xiàn)有的6F2 DRAM存儲單元結構相比，芯片DIE面積可以減少30%左右。4F2結構是大約10年前DRAM產業(yè)未能商業(yè)化的單元結構技術，據(jù)說工藝難點頗多。不過三星認為，與SK海力士和美
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    • 關鍵字：
                        三星  4F2結構  DRAM                          
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    不改變工藝讓芯片面積減少 30%，三星組建團隊開發(fā) 4F2 DRAM
    
                                                            
                                        
      
                    	
    • IT之家 5 月 26 日消息，根據(jù)韓媒 The Elec 報道，三星組建了一支專業(yè)的團隊，負責開發(fā) 4F2 DRAM 存儲單元結構。相比較現(xiàn)有的 6F2 級別，在不改變工藝節(jié)點的情況下，芯片面積最高可減少 30%。4F Square 是一種單元結構技術，DRAM 行業(yè)早在 10 年前就嘗試商業(yè)化，但最后以失敗告終。三星組建了專業(yè)的團隊，研發(fā) 4F2 結構。IT之家從韓媒報道中獲悉，晶體管根據(jù)電流流入和流出的方向，形成源極（S）、柵極（G）和漏極（D）整套系統(tǒng)。在漏極（D）上方安裝一個
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    • 關鍵字：
                        三星  DRAM                          
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    DRAM一季營收環(huán)比下降21.2%，連續(xù)三個季度衰退
    
                                                            
                                        
      
                    	
    • 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，今年第一季DRAM產業(yè)營收約96.6億美元，環(huán)比下降21.2%，已續(xù)跌三個季度。出貨量方面僅美光有上升，其余均衰退；平均銷售單價三大原廠均下跌。目前因供過于求尚未改善，價格依舊續(xù)跌，然而在原廠陸續(xù)減產后，DRAM下半年價格跌幅將有望逐季收斂。展望第二季，雖出貨量增加，但因價格跌幅仍深，預期營收成長幅度有限。營收方面，三大原廠營收均下滑，三星（Samsung）自家品牌的新機備貨訂單有限，出貨量與平均銷售單價（ASP）同步下跌，營收約41.7億美元，環(huán)比下降24.7%。
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    • 關鍵字：
                        DRAM  TrendForce                          
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    需求好轉？兩家存儲廠商部分應用領域出現(xiàn)急單
    
                                                            
                                        
      
                    	
    • 受消費電子市場需求疲弱影響，存儲產業(yè)2022年下半年以來持續(xù)“過冬”，加上今年一季度為市場淡季，供過于求關系下，產業(yè)庫存高企。第二季度存儲產業(yè)市況如何？未來是否將有所好轉？近期，南亞科、華邦電兩家存儲廠商對此進行了回應。南亞科：庫存逐步去化，部分應用領域已出現(xiàn)急單近期，媒體報道，DRAM廠商南亞科表示，今年一季度是產業(yè)庫存高點，在需求與供應端改善下，庫存正逐步去化，預期本季DRAM市況有望落底，公司在部分應用領域已出現(xiàn)急單。為滿足市場應用需求趨勢，南亞科持續(xù)開發(fā)高速與低功耗產品，在技術推進上，20納米產品
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    • 關鍵字：
                        存儲廠商  DRAM                          
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    存儲進入筑底階段？
    
                                                            
      
                    	
    • 伴隨存儲芯片價格筑底，關于半導體周期拐點將臨近的討論越來越熱。
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    • 關鍵字：
                        存儲芯片  DRAM                          
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    三星電子宣布12納米級 DDR5 DRAM已開始量產 
    
                                                            
                                        
      
                    	
    • 今日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術的16Gb DDR5 DRAM已開始量產。三星本次應用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術方面的優(yōu)勢。"采用差異化的工藝技術，三星業(yè)內先進的12 納米級DDR5 
DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內存產品與技術執(zhí)行副總裁Jooyoung 
Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續(xù)開拓DRAM市場的決心。這不僅意味著我們?yōu)闈M足計算市場對大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求，提供高性能和高容量的產品，而且還將通過商業(yè)化的下一代
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                        三星電子  12納米  DDR5  DRAM                          
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    功耗降低 23%、量產率提高 20%，三星開始量產 12 納米 DDR5 DRAM
    
                                                            
                                        
      
                    	
    • IT之家 5 月 18 日消息，三星在去年 12 月宣布開發(fā) 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大規(guī)模量產 12 納米工藝的 DDR5 DRAM。存儲芯片行業(yè)當前正處于低谷期，三星通過量產 12nm 的 DRAM，希望進一步鞏固其在該領域的領先地位。IT之家從三星新聞稿中獲悉，與上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圓生產率提高了 20%，這意味著芯片尺寸比上一代更小，單個晶圓可以多生產 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗將使服務器和數(shù)據(jù)中
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                        三星  DDR5  DRAM                          
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