14nm 文章 進(jìn)入14nm技術(shù)社區(qū)
聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片
- 在Synopsys 的協(xié)助下，臺灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動14nm制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這次這款測試芯片完成流片設(shè)計(jì)則顯然向?qū)崿F(xiàn)這一目標(biāo)又邁進(jìn)了一步，當(dāng)然流片完成之后還需要對過程工藝等等項(xiàng)目進(jìn)行完善和改進(jìn)，還有大量工作要做。 ? 近年來，在臺積電，Globalfoundries，三星等老牌代工商的沖擊下，聯(lián)電在代工行業(yè)的排名一再下跌，更何況Intel也開始染指代工市場
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聯(lián)電攜手新思 14nm設(shè)計(jì)定案采用Galaxy平臺
- 聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)與新思科技(Synopsys)(SNPS-US)共同宣布，兩家公司的合作已獲得成果，采用新思科技DesignWare邏輯庫的IP組合，和Galaxy實(shí)作平臺的一部分寄生StarRC萃取方案，成功完成聯(lián)電第一個14奈米FinFET制程驗(yàn)證工具的設(shè)計(jì)定案。 在雙方持續(xù)進(jìn)展中的合作關(guān)系上，采用新思科技DesignWare矽智財(cái)解決方案來認(rèn)證聯(lián)電14奈米FinFET制程，可視為是雙方此次合作的第一座里程碑。 聯(lián)電表示，這次合作的第一個里程碑，可加速聯(lián)電14奈米
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我國移動芯片產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展
- 隨著移動互聯(lián)網(wǎng)在全球的普及，移動智能終端正在快速蠶食傳統(tǒng)PC的市場空間。在終端芯片領(lǐng)域，移動芯片的市場占有率卻在不斷提升，逐漸成為芯片產(chǎn)業(yè)的“明星”和領(lǐng)跑者。值得一提的是，在移動互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的新浪潮中，我國的移動芯片產(chǎn)業(yè)正在崛起，逐漸在全球芯片市場中占據(jù)一席之地，這不僅促進(jìn)了全球芯片市場的“變局”，更將為我國ICT產(chǎn)業(yè)的未來發(fā)展提供支撐和動力。 移動芯片是智能終端的硬件平臺，是其物理能力的基礎(chǔ)。在我國智能終端市場上爆發(fā)的激烈“核&rdqu
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ARM：14nm FinFET之路仍有顛簸
- 自從ARM決定從行動裝置跨足到伺服器市場后，無不加快自己在制程技術(shù)上的腳步，好能跟Intel一決高下，不過當(dāng)然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺積電與三星)的技術(shù)進(jìn)度。對ARM來說，去年年底宣布成功試產(chǎn)(Tape Out)14nm FinFET制程技術(shù)的三星，將是有助于提高自家處理器效能的關(guān)鍵，但目前仍有技術(shù)上的問題必須克服。 日前ARM已正式對外公布2013年Q1財(cái)報(bào)，營收同樣繼續(xù)維持成長，主要營收的大多比重皆是來自于IP技術(shù)授權(quán)(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術(shù))。而低功耗一直以來都
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ARM：14nm FinFET之路仍有顛簸
- 自從ARM決定從行動裝置跨足到伺服器市場后，無不加快自己在制程技術(shù)上的腳步，好能跟Intel一決高下，不過當(dāng)然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺積電與三星)的技術(shù)進(jìn)度。對ARM來說，去年年底宣布成功試產(chǎn)(TapeOut)14nmFinFET制程技術(shù)的三星，將是有助于提高自家處理器效能的關(guān)鍵，但目前仍有技術(shù)上的問題必須克服。 日前ARM已正式對外公布2013年Q1財(cái)報(bào)，營收同樣繼續(xù)維持成長，主要營收的大多比重皆是來自于IP技術(shù)授權(quán)(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術(shù))。而低功耗一直以來都是A
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ARM：14nm FinFET之路仍有顛簸
- 自從ARM決定從行動裝置跨足到伺服器市場后，無不加快自己在制程技術(shù)上的腳步，好能跟Intel一決高下，不過當(dāng)然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺積電與三星)的技術(shù)進(jìn)度。對ARM來說，去年年底宣布成功試產(chǎn)(Tape Out)14nm FinFET制程技術(shù)的三星，將是有助于提高自家處理器效能的關(guān)鍵，但目前仍有技術(shù)上的問題必須克服。 日前ARM已正式對外公布2013年Q1財(cái)報(bào)，營收同樣繼續(xù)維持成長，主要營收的大多比重皆是來自于IP技術(shù)授權(quán)(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術(shù))。而低功耗一直以來都
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采用Intel代工，Altera于14nm先下一城
- 2010年，Intel發(fā)布了其第一代22nm三柵極技術(shù)，這無疑是半導(dǎo)體工藝的一個突破性進(jìn)展。最近，Altera宣布將采用Intel的第二代14 nm三柵極技術(shù)開發(fā)下一代高性能FPGA，同時也將繼續(xù)與TSMC保持長期合作。這一消息也無疑成了最近業(yè)界的重磅話題之一。 為什么采用Intel的14nm三柵極技術(shù)？ Altera公司國際市場部總監(jiān)李儉先生將這個問題拆分為兩個層面，第一個層面是為什么要采用三柵極技術(shù)，第二個層面是為什么要采用Intel的技術(shù)。 三柵極技術(shù)能夠從三方面帶來技術(shù)突破：第一
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Altera副總裁：“14nm工藝FPGA的代工只委托英特爾”
- 美國阿爾特拉(Altera)于2013年2月25日宣布，決定把14nm工藝FPGA的生產(chǎn)委托給美國英特爾(參閱本站報(bào)道)。3月1日，阿爾特拉產(chǎn)品和企業(yè)營銷及技術(shù)服務(wù)副總裁Vince Hu在東京通過電話會議系統(tǒng)，向新聞媒體介紹了該制造委托協(xié)議。 Vince Hu說，阿爾特拉之所以選擇英特爾作為14nm工藝代工企業(yè)，是因?yàn)橛⑻貭栐诹Ⅲw晶體管(FinFET)技術(shù)方面的量產(chǎn)業(yè)績獲得好評。英特爾在業(yè)界率先在22nm工藝上采用了FinFET(該公司稱為Tri-Gate)，阿爾特拉表示，采用該技術(shù)制造的微處理
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2013年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)三大巨頭 14nm提前開戰(zhàn)
- 2013年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聚焦在三巨頭——臺積電、英特爾與三星的產(chǎn)能與技術(shù)比拚，以及訂單的板塊位移態(tài)勢，三巨頭今年的資本支出規(guī)模都讓市場吃驚，不約而同的維持高資本支出水位，讓原本預(yù)期資本支出將大減的外界皆有跌破眼鏡之感，三巨頭不但要力拚先進(jìn)制程產(chǎn)能的擴(kuò)增，也都展現(xiàn)出欲在20奈米以下制程與18寸晶圓技術(shù)超越對手的企圖心。 臺積電2013年資本支出再度上升至90億美元規(guī)模，而英特爾也逆勢增加至130億美元，三星也并未如外界預(yù)期大砍資本支出規(guī)模，而是宣布2013年資本支出與2012年
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明導(dǎo)支持三星14nm IC制造工藝平臺問世
- 明導(dǎo)公司(Mentor Graphics Corp)今天宣布，用以支持三星14nm IC制造工藝的綜合設(shè)計(jì)、制造與后流片實(shí)現(xiàn)(post tapeout)平臺問世，這一平臺能夠?yàn)榭蛻籼峁┩暾膹脑O(shè)計(jì)到晶圓的并行流程，使早期加工成為可能。完全可互操作的Mentor?流程可幫助客戶實(shí)現(xiàn)快速設(shè)計(jì)周期和晶圓生產(chǎn)的一次性成功。 明導(dǎo)專門用于三星14nm晶圓優(yōu)化的解決方案，包含設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC)、LVS查驗(yàn)、提取、可制造性設(shè)計(jì)(DFM)和先進(jìn)填充等功能的Calibre?平臺，以及Tessent?可測試性設(shè)
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ARM推A50系列 手機(jī)進(jìn)入64位時代？
- 智能手機(jī)快速崛起，填補(bǔ)移動設(shè)備空白，有望成為人們?nèi)粘Ｊ褂玫幕旧暇W(wǎng)工具，保證隨時在線互聯(lián)及各種多媒體應(yīng)用，這也使得市場對智能手機(jī)處理器的聯(lián)網(wǎng)、圖形、視頻等性能有了更高的期待。日前，ARM公司宣布推出首款64位ARMv8架構(gòu)的Cortex-A50處理器系列產(chǎn)品，同時宣布AMD、博通、Calxeda、海思、三星和意法半導(dǎo)體已獲得Cortex-A50系列架構(gòu)授權(quán)，首批采用該架構(gòu)的設(shè)備有望于2014年發(fā)貨。對此，有觀點(diǎn)認(rèn)為受益于ARM在智能手機(jī)市場的強(qiáng)勢地位，未來智能手機(jī)將快速進(jìn)入64位時代;但也有觀點(diǎn)認(rèn)為受
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導(dǎo)入FinFET制程技術(shù) 聯(lián)電14奈米后年亮相
- 聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢，擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子IC制造商機(jī)。 聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，14nmFinFET制程技術(shù)將會是聯(lián)電切入未來次世代通訊運(yùn)算市場的最佳利器。 聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，由于晶圓從28跨入20nm制程以下的微縮過程中，勢必得使用雙重曝光(DoublePatterning)微影技術(shù)才能實(shí)現(xiàn)，而此
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