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TO263-7封裝的新1200V CoolSiC溝槽式MOSFET推動電動出行的發(fā)展
- 【2023 年 7 月 3 日,德國慕尼黑訊】英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規(guī)級1200 V CoolSiC? MOSFET。這款新一代車規(guī)級碳化硅(SiC)MOSFET具有高功率密度和效率,能夠實現(xiàn)雙向充電功能,并顯著降低了車載充電(OBC)和DC-DC應用的系統(tǒng)成本。 相比第一代產品,1200 V CoolSiC系列的開關損耗降低了25%,具有同類最佳的開關性能。這種開關性能上的改進實現(xiàn)了高頻運行,縮小了系統(tǒng)尺寸并提高了功率密度。由于柵極-源極閾值電壓(VGS(th)
- 關鍵字: TO263-7 1200V 溝槽式MOSFET 電動出行
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