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            Qorvo推出緊湊型E1B封裝的1200V SiC模塊

            • 中國 北京,2024 年 2 月 29 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?(納斯達克代碼:QRVO)近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅(SiC)模塊,其中兩款為半橋配置,兩款為全橋配置,導通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動汽車充電站、儲能、工業(yè)電源和太陽能等應用。Qorvo SiC 電源產品線市場總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示:“該全新系列中的模塊可以取代多達四個分立式 SiC FET,從而簡化
            • 關鍵字: Qorvo  1200V  SiC模塊  SiC  

            TO263-7封裝的新1200V CoolSiC溝槽式MOSFET推動電動出行的發(fā)展

            • 【2023 年 7 月 3 日,德國慕尼黑訊】英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規(guī)級1200 V CoolSiC? MOSFET。這款新一代車規(guī)級碳化硅(SiC)MOSFET具有高功率密度和效率,能夠實現(xiàn)雙向充電功能,并顯著降低了車載充電(OBC)和DC-DC應用的系統(tǒng)成本。  相比第一代產品,1200 V CoolSiC系列的開關損耗降低了25%,具有同類最佳的開關性能。這種開關性能上的改進實現(xiàn)了高頻運行,縮小了系統(tǒng)尺寸并提高了功率密度。由于柵極-源極閾值電壓(VGS(th)
            • 關鍵字: TO263-7  1200V  溝槽式MOSFET  電動出行  

            賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT功率模塊

            • 賽米控丹佛斯(總部位于德國紐倫堡)和全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)在開發(fā)SiC(碳化硅)功率模塊方面,已有十多年的良好合作關系。此次,賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中,采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續(xù)保持緊密合作,全力響應全球電機驅動用戶的需求。ROHM Co., Ltd. 董事 常務執(zhí)行官 CFO 伊野和英 (左) 賽米控丹佛斯 CEO Claus A.  
            • 關鍵字: 賽米控丹佛斯  羅姆  1200V  IGBT  功率模塊  

            具有快速開關和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管

            • 由于能源成本上升和人們積極應對全球變暖,電力電子設備的能源效率已經變得越來越重要。為了提升電力電子設備的能源效率,具有較低功率損耗的功率半導體器件技術是關鍵所在。在半導體器件中,功率損耗的降低可以改善
            • 關鍵字: VCESAT  1200V  開關  碳化硅    
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            1200v介紹

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