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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 1γ dram

        DRAM錢坑 臺塑集團(tuán)進(jìn)退兩難

        •   聯(lián)電榮譽(yù)副董事長宣明智暗指臺塑集團(tuán)可以出面集成臺灣DRAM產(chǎn)業(yè),南亞科表示,無法評論此事;存儲器業(yè)界則認(rèn)為,臺塑集團(tuán)雖然資金實(shí)力雄厚,但DRAM 產(chǎn)業(yè)走到現(xiàn)在已不是資金問題,沒有技術(shù)和專利也是關(guān)鍵,現(xiàn)在就算再投錢集成,也未必拼得過韓廠,而臺塑集團(tuán)這幾年DRAM產(chǎn)業(yè)投資并沒有得到等值回報,或許茂德財(cái)務(wù)狀況圓滿解決后,有非常劃算的機(jī)會可取,臺塑才會考慮與美光(Micron)合作切入,否則光是投錢集成,臺塑意愿恐怕不大。
        • 關(guān)鍵字: 臺塑  DRAM  

        存儲器3Q景氣 NAND Flash略優(yōu)于DRAM

        •   存儲器產(chǎn)業(yè)度過辛苦的第2季后,第3季景氣恐沒有這么快復(fù)蘇,業(yè)界預(yù)期NANDFlash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后,會隨著消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求出籠而開始翻揚(yáng),但業(yè)界對于DRAM市場看法則是分歧,7月合約價續(xù)跌已成定局,部分業(yè)者認(rèn)為8月中開始價格可止跌,但另一派業(yè)者則認(rèn)為DRAM報價到年底都不會反轉(zhuǎn),且恐有續(xù)跌的可能性,整體來看,下半年NANDFlash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè),但好日子也不會維持太長。
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  

        DRAM成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩

        •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術(shù),該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。
        • 關(guān)鍵字: DRAM  光刻  

        茂德再度減資85%

        •   茂德再度啟動2次減資計(jì)劃,繼2010年4月宣布減資65%后,2011年7月6日董事會中再度通過減資85%,預(yù)計(jì)將在第3季底前完成減資程序,之后將辦理增資引進(jìn)策略性投資人,市場屢次點(diǎn)名的老面孔鴻海、聯(lián)電等大型集團(tuán),再度被提出來討論。   
        • 關(guān)鍵字: 茂德  DRAM  

        DRAM產(chǎn)業(yè)走向低納米技術(shù) 成本縮減將放速

        •   最近幾個季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點(diǎn)方面比較積極,但在今年剩余時間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均節(jié)點(diǎn)從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%,表明推動DRAM技術(shù)遷移的力度在增大。。在此期間,成本降幅從7.8%增大至14.2%,晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。據(jù)IHS iSuppli公司的研究,隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術(shù),該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。
        • 關(guān)鍵字: Inotera  DRAM  

        存儲器3Q景氣NAND Flash略優(yōu)于DRAM

        •   存儲器產(chǎn)業(yè)度過辛苦的第2季后,第3季景氣恐沒有這么快復(fù)蘇,業(yè)界預(yù)期NAND Flash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后,會隨著消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求出籠而開始翻揚(yáng),但業(yè)界對于DRAM市場看法則是分歧,7月合約價續(xù)跌已成定局,部分業(yè)者認(rèn)為8月中開始價格可止跌,但另一派業(yè)者則認(rèn)為DRAM報價到年底都不會反轉(zhuǎn),且恐有續(xù)跌的可能性,整體來看,下半年NAND Flash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè),但好日子也不會維持太長?!?/li>
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  

        DRAM產(chǎn)業(yè)成本削減步伐將放緩

        •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術(shù),該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。   雖然最近幾個季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點(diǎn)方面比較積極,但在今年剩余時間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度該產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均節(jié)點(diǎn)從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%,表明推動DRAM技術(shù)遷移的力度增大。在此期間,成本降幅從7.8%增大至14.2%,晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。
        • 關(guān)鍵字: DRAM  50納米  

        傳世界先進(jìn)有意投資茂德中科12吋廠

        •   茂德申請負(fù)債降息暫化解當(dāng)前財(cái)務(wù)危機(jī)后,引進(jìn)新資金成為當(dāng)務(wù)之急,業(yè)界已傳出多組人馬正評估有條件投資茂德,或?qū)ζ煜轮锌?2吋晶圓廠有興趣,近期已有第1個出價者浮現(xiàn),內(nèi)存業(yè)界傳出世界先進(jìn)出價新臺幣100億元,想買茂德12吋廠,且推測背后應(yīng)是獲得臺積電默許,主要系因驅(qū)動IC未來采12吋廠生產(chǎn)較具成本優(yōu)勢,世界先進(jìn)可趁此機(jī)會撿便宜。不過,茂德和世界先進(jìn)對此事都予以否認(rèn)。 
        • 關(guān)鍵字: 茂德中科  DRAM  

        瑞晶成30納米制程轉(zhuǎn)換最快的臺灣DRAM廠

        •   瑞晶董事會日前通過30納米制程轉(zhuǎn)換資本支出18.15億元決議案,并沖刺單月產(chǎn)能到年底達(dá)到8.8萬片,成為邁向30納米制程進(jìn)展最快的臺系DRAM廠。此外,董事會也通過,向臺灣歐力士公司申請機(jī)器設(shè)備售后租回融資約10億元,持續(xù)添購重要半導(dǎo)體制程設(shè)備如ASML的浸潤機(jī)臺等。 
        • 關(guān)鍵字: 瑞晶  DRAM  

        力成科技布局先進(jìn)封裝技術(shù)

        •   力成科技積極自內(nèi)存封測業(yè)務(wù)往先進(jìn)封裝技術(shù)布局,繼先前買下茂德廠房以作為實(shí)驗(yàn)工廠后,轉(zhuǎn)投資公司聚成科技的新竹廠也在3月動土,預(yù)計(jì)2012年第3季裝機(jī)試產(chǎn)。力成董事長蔡篤恭表示,實(shí)驗(yàn)工廠以開發(fā)新技術(shù)為主,包括晶圓級封裝、3D IC及銅柱凸塊等,估計(jì)開發(fā)時程約1年,屆時新竹廠正好開始啟用,新產(chǎn)品效益可望適時于2012~2013年發(fā)酵。 
        • 關(guān)鍵字: 封裝  DRAM  

        華芯預(yù)計(jì)內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)收入將過億元

        •   華芯半導(dǎo)體公司市場營銷部經(jīng)理殷和國6月28日在深圳集成電器創(chuàng)新應(yīng)用展上對《第一財(cái)經(jīng)日報》透露,預(yù)計(jì)今年內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)(DRAM)將為公司帶來超過1億元的收入。   
        • 關(guān)鍵字: 華芯  DRAM  

        iSuppli:DDR4將在2014年集中上市

        •   據(jù)IHSiSuppli公司的研究,DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%,2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術(shù),隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。2011年DRAM模組出貨量將達(dá)8.08億個左右,預(yù)計(jì)DDR3將占89%,高于去年的67%和2009年的24%。DRAM模組是包含DRAM芯片的封裝,用于PC和其它電子產(chǎn)品之中。
        • 關(guān)鍵字: DDR4  DRAM  

        爾必達(dá)宣布開始銷售DDR3 DRAM樣品芯片

        •   日本爾必達(dá)公司27日宣布已經(jīng)開始銷售采用穿硅互連技術(shù)(TSV)制作的DDR3 SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內(nèi)部由四塊2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通過TSV三維堆疊技術(shù)封裝為一塊8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相當(dāng)1GB容量),該三維芯片中還集成了接口功能芯片。
        • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  

        DDR3仍是主流DRAM技術(shù)

        •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%,2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術(shù),隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。   
        • 關(guān)鍵字: DDR3  DRAM  

        爾必達(dá)開發(fā)出全球最薄的DRAM

        •   日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布,已開發(fā)出全球最薄的動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM),4塊疊加厚度僅為0.8毫米。   超薄DRAM將有助于減少智能手機(jī)等移動設(shè)備的厚度,增大其容量。制造成本則和目前厚度1毫米的DRAM相同。   
        • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  
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