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晶圓廠陸續(xù)上線 08年閃存產(chǎn)能將首超DRAM內(nèi)存
- 研究公司Strategic Marketing Associates(SMA)日前表示，閃存產(chǎn)能將在2008年首次超過DRAM內(nèi)存。 根據(jù)SMA報(bào)告，閃存產(chǎn)能從2000年以來已經(jīng)增長了四倍，達(dá)到相當(dāng)于290萬片200毫米硅晶圓的規(guī)模。相比之下，DRAM產(chǎn)能自那時起僅增長225%。 報(bào)告表示，從2005年到2008年底的三年間，閃存制造商增加的產(chǎn)能是之前四年增加量的六倍。 預(yù)計(jì)2008年和2009年，將有另外超過十座晶圓廠上線。SMA預(yù)計(jì)，當(dāng)設(shè)備裝機(jī)完成時，將帶來每月相當(dāng)于150萬片2
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第三季度IC代工業(yè)繁榮 先進(jìn)制程受益
- 對全球前四大代工廠公布的2007年第三季度財(cái)報(bào)進(jìn)行分析可以發(fā)現(xiàn)，在該季度，代工業(yè)整體需求旺盛，一掃今年第一季度和第二季度較往年同期下滑的頹勢。不過，雖然需求旺盛，但是由于代工產(chǎn)品種類及技術(shù)水平的差別，各代工廠在凈利潤方面卻是冷暖自知，中芯國際(SMIC)成為DRAM價格嚴(yán)重下滑的最大受害者。雖然繼今年第二季度之后第三季度繼續(xù)虧損，但是通過與Spansion的合作以及在其他利好因素的推動下，不久中芯國際有望走出低迷。 第三季度代工需求旺盛 綜合各家代工廠第三季度的財(cái)報(bào)，可以發(fā)現(xiàn)(見表“全球前
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IDC: 今年芯片銷售增速緩慢將促使08年猛增
- IDC在最新的《全球半導(dǎo)體市場預(yù)測》中預(yù)測，2007年全球芯片銷售收入增長速度放慢將為2008年的大增長奠定基礎(chǔ)。 據(jù)國外媒體報(bào)道，2007年全球芯片市場的增長速度將只有4.8%，2006年的這一數(shù)字只有8.8%。IDC預(yù)測，2008年的增長速度將達(dá)到8.1%。 報(bào)告指出，如果產(chǎn)能增長速度在明年放緩和需求仍然保持緩慢，芯片市場的增長速度會更快。市場潮流是合并和收購，這可能會改變業(yè)界的競爭格局。 IDC負(fù)責(zé)《全球半導(dǎo)體市場預(yù)測》的項(xiàng)目經(jīng)理戈帕爾說，今年上半年芯片市場的供過于求降低了對各
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應(yīng)用材料總裁談芯片業(yè) 閃存與移動視頻是關(guān)鍵
- 美國和歐洲市場強(qiáng)勁的季節(jié)銷售，以及緊隨其后的中國新年銷售旺季，將有助于決定DRAM是否供過于求、邏輯芯片供應(yīng)正在減少以及2008年全球芯片產(chǎn)業(yè)走向。 應(yīng)用材料總裁兼首席執(zhí)行官M(fèi)ikeSplinter預(yù)測，如果情況不是很好，2008年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展可能不會太強(qiáng)勁。2007年，半導(dǎo)體設(shè)備資本開支增長率為0到5%之間，而半導(dǎo)體收入增長預(yù)計(jì)為5%到10%之間。 Splinter表示，“尚未為止，2007年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未現(xiàn)繁榮景象。這不是因?yàn)殇N售沒有增加，而是由于遭遇沉重的價格壓力。粗略估計(jì)，邏輯芯片
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IC單位出貨量強(qiáng)勁 面臨廠商無利潤繁榮局面
- 最近公布的數(shù)據(jù)顯示，2007年IC單位出貨量將增長10%，略高于市場調(diào)研公司ICInsights最初預(yù)計(jì)的8%。自2002年以來，IC單位出貨量一直保持兩位數(shù)的年增長率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(58%)、和汽車相關(guān)的模擬IC(32%)出貨量強(qiáng)勁增長，正在推動總體產(chǎn)業(yè)需求，并使IC出貨量保持在高位。 1980年以來，IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實(shí)現(xiàn)連續(xù)三年保持兩位數(shù)增長率，分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后，IC的單位出貨量增長速
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2007年全球集成電路出貨量將增長10%
- 市場研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量成長率從原來的8%提升到了10%。 這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長歸功于一些集成電路產(chǎn)品出貨量的強(qiáng)勁增長,如DRAM內(nèi)存出貨量增長49%,NAND閃存出貨量增長38%,界面集成電路出貨量增長60%,數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換集成電路出貨量增長58%,汽車模擬集成電路出貨量增長32%。 ICInsights稱,如果2007年全球集成電路出貨量成長率達(dá)到10%或者更高,這將是連續(xù)第六年的兩位增長,這是前所未有的大牛市。
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DRAM十月價格持續(xù)下跌；ETT現(xiàn)貨價急漲12%
- 上周(10/15-10/22)現(xiàn)貨市場eTT顆粒呈現(xiàn)近幾周少見的急漲局面，DDR2512MbeTT價格收在1.17美元，漲幅約11.9%;相較之下，品牌顆粒仍呈現(xiàn)平穩(wěn)走勢，上漲至1.37美元，幅度為1.4%。根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)分析指出，上周DDR2eTT的強(qiáng)勁漲勢，是因?yàn)閑TT主要的供貨商進(jìn)行70nm轉(zhuǎn)進(jìn)，供給量減少，部份買主逢低買進(jìn)拉抬買氣，進(jìn)而帶動價格上揚(yáng)，因此這波價格上揚(yáng)主要是短期市場操作結(jié)果，而非市場終端需求帶動;此外，這波投機(jī)性買盤主要集中在DDR2eTT的顆粒，并沒有
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DRAM現(xiàn)貨市場持續(xù)走弱 合約市場交易冷清
- 現(xiàn)貨市場DDR2價格方面持續(xù)走弱;而DDR則因供應(yīng)不足價格緩步盤堅(jiān)。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價之后，暫時止跌并微幅反彈，在1.02至1.05美元震蕩，以1.03美元做收，跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市場方面，由于現(xiàn)貨市場供給數(shù)量仍舊不足，上周也曾出現(xiàn)缺貨狀況，價格持續(xù)小幅上揚(yáng)，DDR512Mb400MHz以2.66美元做收，上漲5.6%。 十月份合約市場相當(dāng)清淡，OEM拿貨意愿低落，部分廠商甚至認(rèn)為，倘若預(yù)期十一
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1美元失守！臺DRAM廠難逃虧損百億
- 全球DRAM現(xiàn)貨價16日正式跌破1美元重要心理關(guān)卡，以目前現(xiàn)貨報(bào)價及DRAM廠每月產(chǎn)能狀況推估，臺DRAM廠力晶、茂德及南科3雄每月合計(jì)將蒙受約1億美元損失，且未來虧損數(shù)字恐持續(xù)擴(kuò)大，若2007年底前DRAM現(xiàn)貨價無法翻揚(yáng)，初步估計(jì)臺DRAM3雄從現(xiàn)在起到2007年底前總共將虧掉新臺幣100億元以上，其中，以力晶處境最為不利。
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今年全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開支將達(dá)437億美元
- 據(jù)市場研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報(bào)告稱，全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開支增長速度正在減緩，這種低迷的狀況預(yù)計(jì)將持續(xù)到2008年第一季度。2007年全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開支總額將達(dá)到437億美元，比2006年增長4.1%。2008年全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開始預(yù)計(jì)將比2007年增長0.3%。 Gartner分析師稱，2007年全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開支的增長將影響到2008年的增長。2008年半導(dǎo)體大型設(shè)備的開支將勉強(qiáng)實(shí)現(xiàn)正增長，晶圓加工設(shè)備的開支將出現(xiàn)小幅度的負(fù)增長。后端設(shè)備市場的前景仍是正增長。 Gar
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索尼與奇夢達(dá)組建合資公司 開發(fā)DRAM儲存芯片
- 地時間本周二，日本索尼和德國芯片制造商奇夢達(dá)宣布，它們計(jì)劃建立一個芯片設(shè)計(jì)合資機(jī)構(gòu)，開發(fā)消費(fèi)電子和游戲機(jī)使用的DRAM儲存芯片。 兩公司在一份聯(lián)合聲明中稱，新的合資機(jī)構(gòu)稱為 Qreatic Design，計(jì)劃在今年年前在東京成立，在由雙方30名專家組成的芯片設(shè)計(jì)合資公司中，兩公司將各自擁有50%的股份。合資公司主要開發(fā)高性能、低能量消耗、嵌入式的、明確用于消費(fèi)電子產(chǎn)品的DRAM芯片。 奇夢達(dá)是全球最大的DRAM儲存芯片制造商之一，盡管索尼內(nèi)部擁有它自己的芯片設(shè)計(jì)
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集邦：9月下旬DRAM合約價格預(yù)計(jì)下滑10%
- DRAM現(xiàn)貨市場需求不佳，整體報(bào)價呈現(xiàn)下跌的情形。DDR2512Mb667MHz下跌幅度達(dá)7.8%，價格下跌至1.54美元。其余顆粒報(bào)價皆呈現(xiàn)微幅下跌，DDR2eTT下跌至1.31美元。 8月以來由于市場需求不振以及買賣雙方抱持觀望的態(tài)度，使得價格持續(xù)緩跌。然而當(dāng)DDR2eTT價格跌破5月低點(diǎn)后，部分分銷商及模塊廠開始備貨，使得現(xiàn)貨價格出現(xiàn)反彈，間接帶動了些許買氣。而合約市場方面，由于現(xiàn)貨價格快速下跌，加上PCOEM廠商已經(jīng)備足旺季所需的庫存水位，因此部份OEM廠商于9月上旬所談妥的合約數(shù)量有砍單的動作。
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DRAM價格跌至新低 分析師稱還可能進(jìn)一步下滑
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，所有想為自己電腦增加更多內(nèi)存的人都贏得了來自DRAM行業(yè)的禮物--激烈競爭使得內(nèi)存價格猛跌，行業(yè)分析師預(yù)測，DRAM價格還將進(jìn)一步下降。 使用最廣泛的512MB DDR2 667MHz芯片的合約價格已比兩周前下跌了12.5%，周二時跌至1.75美元，創(chuàng)下了DRAMeXchange今年記錄的新低。DRAMeXchange公司運(yùn)營一家對內(nèi)存芯片進(jìn)行網(wǎng)上交易的網(wǎng)站。 這條重大新聞將對用戶產(chǎn)生三個重大影響：第一，DRAM價格下跌將增加惠普和戴爾這類電腦制
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ST推出最新的DRAM內(nèi)存模塊標(biāo)準(zhǔn)專用溫度傳感器
- 高性能模擬器件和混合信號產(chǎn)品的主導(dǎo)廠商之一的意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM)今天推出兩款高精度專用數(shù)字溫度傳感器芯片，新產(chǎn)品完全符合個人計(jì)算機(jī)雙列直插內(nèi)存模塊（DIMM）的溫度監(jiān)測標(biāo)準(zhǔn)JEDEC JC42.4的規(guī)定。 計(jì)算機(jī)等系統(tǒng)內(nèi)的雙速率DDR2和DDR3的數(shù)據(jù)傳輸速度比上一代標(biāo)準(zhǔn)更快，但是內(nèi)存過熱的風(fēng)險也隨之增加。溫度傳感器可以監(jiān)視內(nèi)存溫度，為中央處理器調(diào)整數(shù)據(jù)流量和采取防過熱措施提供依據(jù)，因此溫度傳感器在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中變得更為重要。 STTS424是一個獨(dú)立使用的數(shù)字溫度傳感器芯片，而STTS
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